"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Высоковольтные (900 В) 4H-SiC диоды Шоттки с охранным p-n-переходом, изготовленным имплантацией бора
Грехов И.В.1, Иванов П.А.1, Ильинская Н.Д.1, Коньков О.И.1, Потапов А.С.1, Самсонова Т.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 мая 2007 г.
Выставление онлайн: 20 января 2008 г.

Изготовлены и исследованы высоковольтные (900 В) 4H-SiC диоды Шоттки с охранным p-n-переходом. Охранный переход формировался имплантацией бора при комнатной температуре с последующим высокотемпературным отжигом. Благодаря неравновесной диффузии бора во время отжига глубина залегания охранного p-n-перехода составляет около 1.7 мкм, что приблизительно на 1 мкм больше пробега ионов 11B в 4H-SiC. Максимальное обратное напряжение изготовленных 4H-SiC диодов Шоттки ограничено лавинным пробоем планарного охранного p-n-перехода; величина пробивного напряжения, равная 910 В, близка к теоретической для концентрации примесей в n-слое N=2.5· 1015 см-3, толщины n-слоя d=12.5 мкм и глубины залегания p-n-перехода rj=1.7 мкм. Сопротивление диодов в прямом направлении, 3.7 мОм · см2, определяется сопротивлением эпитаксиального n-слоя. Заряд обратного восстановления, около 1.3 нКл, численно равен заряду основных носителей, выносимых из эпитаксиального слоя при переключении диода Шоттки из открытого в запертое состояние. PACS: 72.20.-i
  1. D.C. Sheridan, G. Niu, J.D. Cressler. Sol. St. Electron., 45, 1659 (2001)
  2. R.R. Rupp, M. Treu, A. Mauder, E. Griebl, W. Werner, W. Bartsch, D. Stephani. Mater. Sci. Forum, 338--342, 1167 (2000).
  3. M. Treu, R.R. Rupp, C.S. Tai, P. Blaschitz, J. Hilsenbeck, H. Brunner, D. Peters, R. Elpelt, T. Reimann. Mater. Sci. Forum., 527--529, 1155 (2006)
  4. M.S. Janson, M.K. Linnarsson, A. Halle, B.G. Svensson. Appl. Phys. Lett., 76 (11), 1434 (2000)
  5. I.O. Usov, A.A. Suvorova, Y.A. Kudriavsev, A.V. Suvorov. J. Appl. Phys., 96 (9), 4960 (2004)
  6. C. Sudre, M.B. Mooney, C. Leveugle, J. O'Brien, W.A. Lane. Mater. Sci. Forum, 338--342, 1191 (2000)
  7. D. Stephani, R. Schoerner, D. Peters, P. Friedrichs. Mater. Sci. Forum, 527--529, 1147 (2006)
  8. G. Pensl, F. Ciobanu, T. Frank. Int. J. High Speed Electron. Syst., 15 (4), 705 (2005)
  9. B.G. Svensson, A. Hallen, J. Wong-Leung, M.S. Janson, M.K. Linnarsson, A.Y. Kuznetsov, G. Alfieri, U. Grossner, E.V. Monakhov, H. K.-Nielsen, C. Jagadish, J. Grillenberger. Mater. Sci. Forum, 527--529, 781 (2006)
  10. V. Anantharam, K.N. Bhat. IEEE Trans. Electron. Dev. ED-27 (5), 939 (1980)
  11. T. Hatakeyama, T. Watanabe, T. Shinohe, K. Kojima, K. Arai, N. Sano. Appl. Phys. Lett., 85 (8), 1380 (2004).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.