Изготовлены и исследованы высоковольтные (900 В) 4H-SiC диоды Шоттки с охранным p-n-переходом. Охранный переход формировался имплантацией бора при комнатной температуре с последующим высокотемпературным отжигом. Благодаря неравновесной диффузии бора во время отжига глубина залегания охранного p-n-перехода составляет около 1.7 мкм, что приблизительно на 1 мкм больше пробега ионов ¹¹B в 4H-SiC. Максимальное обратное напряжение изготовленных 4H-SiC диодов Шоттки ограничено лавинным пробоем планарного охранного p-n-перехода; величина пробивного напряжения, равная 910 В, близка к теоретической для концентрации примесей в n-слое N=2.5· 10¹⁵ см^-3, толщины n-слоя d=12.5 мкм и глубины залегания p-n-перехода r_j=1.7 мкм. Сопротивление диодов в прямом направлении, 3.7 мОм · см², определяется сопротивлением эпитаксиального n-слоя. Заряд обратного восстановления, около 1.3 нКл, численно равен заряду основных носителей, выносимых из эпитаксиального слоя при переключении диода Шоттки из открытого в запертое состояние. PACS: 72.20.-i

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.