Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Снижение подвижности электронов в канале металл-окисел-полупроводник транзистора при уменьшении длины затвора

Французов А.А.¹, Бояркина Н.И.¹, Попов В.П.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 14 мая 2007 г.

Выставление онлайн: 20 января 2008 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Измерена эффективная подвижность mu_eff электронов в каналах металл-окисел-полупроводник транзисторов с длиной канала L от 3.8 до 0.34 мкм, изготовленных на пластинах типа кремний-на-изоляторе. Обнаружено, что mu_eff уменьшается при уменьшении L. Показано, что объяснить это уменьшение влиянием последовательных сопротивлений истока и стока можно, только если предположить быстрое возрастание сопротивлений при уменьшении затворного напряжения. Такое предположение трудно объяснить. Предложена более реалистичная модель, объясняющая наблюдаемое снижение mu_eff при уменьшении L. Модель предполагает возникновение на краях затвора зон с меньшей подвижностью, чем в средней части канала. Анализ показал, что при этом график зависимости величины 1/mu_eff от 1/L должен быть линейным, что и наблюдается в действительности. Использование этого графика позволяет определить подвижность электронов mu₀ в средней части канала и некоторую величину A, характеризующую зоны со сниженной подвижностью на краях затвора. PACS: 73.40.-c, 73.40.Qv, 73.25.+i, 73.20.-r

J.-C. Guo, S.S.-S. Chung, C.C.-H. Hsu. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-41, 1811 (1994)
K.Y. Lim, X. Zhou. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-47 (6), 1300 (2000)
C.-L. Lou, W.-K. Chim, D.S.-H. Chan, Y. Pan. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-45, 1317 (1998)
D.M. Lim, H.C. Lim, H.T. Kim. Sol. St. Electron., 47, 1707 (2003)
S. Bisemans, M. Hendriks, S. Kubicek, K. De Meyer. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-47 (6), 1310 (1998)
S.E. Laux. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-31, 1245 (1984)
J.F. Chen, J. Tao, P. Fang, C. Hu. IEEE Trans. Electron. Dev., 19 (7), 216 (1998)
В.П. Попов, И.В. Антонова, А.А. Французов, Л.Н. Сафронов, О.В. Наумова, Д.В. Киланов. ФТП, 35 (9), 1075 (2001)
В.П. Попов, И.В. Антонова, А.А. Французов, Л.Н. Сафронов, А.И. Попов, О.В. Наумова, А.Х. Антоненко, Д.В. Киланов, Л.В. Миронова. Микроэлектроника, 31 (4), 274 (2002)
Ф.П. Жарков, В.В. Каратаев, В.Ф. Никифоров, В.С. Панов. Использование виртуальных инструментов LabVIEW (М., Солон-Р, Радио и связь, Горячая линия --- Телеком, 1999)
L. Perron, A.L. Lacaita, A. Pacelli, R. Bez. IEEE Electron. Dev. Lett., 18, 235 (1997)
S. Villa, G.De Geronimo, A. Pacelli, A. Pacelli, A.L. Lagata, A. Longoni. Microelectronics Reliability, 38, 1919 (1998)
S. Takagi, A. Toriumi, M. Iwase, H. Tango. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-41, 2356 (1994).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель