Рассчитаны параметры образования вакансий в кристаллах элементов подгруппы углерода: C_diam, Si, Ge, alpha-Sn, Pb. Методика учитывает как квантовые эффекты при низких температурах, так и делокализацию атомов при высоких температурах. Показано, что учет делокализации атомов увеличивает значения энтальпии, энтропии и объема образования вакансии. При низких температурах параметры образования вакансий сильно зависят от температуры, причем энтропия образования вакансий переходит в отрицательную область значений. В области высоких температур получено хорошее согласие как с экспериментальными данными, так и с теоретическими оценками других авторов. Изучена зависимость вакансионных параметров от температуры при изобарическом нагреве алмаза от 100 до 4500 K. Обсуждены границы применимости уравнения Аррениуса с независимой от температуры энергией активационного процесса. Показано выполнение "компенсационного правила" (корреляции энтропии и энтальпии образования вакансии) и корреляции объема и энтропии образования вакансии на всем изученном температурном интервале. PACS: 61.72.Bb, 61.72.jd, 66.30.Fq

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.