Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2008, выпуск 7 » Статья стр. 793
<<<>>>
Свойства барьерных контактов к InP с наноразмерными слоями TiBx
Арсентьев И.Н.1, Бобыль А.В.1, Тарасов И.С.1, Болтовец Н.С.2, Иванов В.Н.2, Беляев А.Е.3, Камалов А.Б.3, Конакова Р.В.3, Кудрик Я.Я.3, Литвин О.С.3, Миленин В.В.3, Руссу Е.В.4
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-исследовательский институт "Орион", Киев, Украина
3Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
4Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
Поступила в редакцию: 23 октября 2007 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2008 г.
PDF версия
-1 Исследованы структурные и электрические свойства многослойных барьерных структур Au-TiBx-nn+n++-InP и TiBx-nn+n++-InP на стандартных ("жестких") и пористых ("мягких") подложках n++-InP. Полупроводниковые слои были изготовлены методом газофазной эпитаксии, металлические - магнетронным распылением, а пористые подложки - электрохимическим травлением стандартного InP. Образцы на пористых подложках имеют преимущества по следующим параметрам: токи утечек обратной ветви вольт-амперной характеристики меньше в 10 раз; на порядок больше диапазон экспоненциального роста тока на прямой ветви; при изменении площади контакта в 100 раз изменение фактора идеальности и высоты барьера Шоттки соответственно в 3 и ~10 раз меньше; более стабильная структура слоев при отжигах до 800oC. PACS: 73.30.+y, 73.40.Cg, 73.40.Kp
  1. A. Dargys, J. Kundrotas. Handbook on physical properties of Ge, Si, GaAs and InP (Vilnius, Science and Encyclopedia Publishera, 1994)
  2. L.S. Brillson, C.F. Brucker, A.D. Katnani, N.G. Stoffel, G. Margaritondo. Appl. Phys. Lett., 38, 784 (1981)
  3. K. Hattori, Y. Izumi. J. Appl. Phys., 53, 6946 (1982)
  4. Е.Ф. Венгер, Р.В. Конакова, Г.С. Коротченков, В.В. Миленин, Э.В. Руссу, И.В. Прокопенко. Межфазные взаимодействия и механизмы деградации в структурах металл--InP и металл--GaAs. (Киев, Книжная типография научной книги, 1999)
  5. D.A. Evans, T.P. Chen, T.H. Chusse, K. Horn, M. von der Emde, D.R.T. Zahn. Surf. Sci., 269/270, 979 (1992)
  6. Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, А.Е. Беляев, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, В.В. Миленин, И.Н. Арсентьев, А.В. Бобыль, П.Н. Брунков, И.С. Тарасов, А.А. Тонких, В.П. Улин, В.М. Устинов, Г.Э. Цирлин. ФТП, 40, 753 (2006)
  7. Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, О.С. Литвин, П.М. Литвин, В.В. Миленин. ФТП, 38, 769 (2004)
  8. И.Н. Арсентьев, М.В. Байдакова, А.В. Бобыль, Л.С. Вавилова, С.Г. Конников, В.П. Улин, Н.С. Болтовец, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, Д.И. Войциховский. Письма ЖТФ, 28 (17), 57 (2002)
  9. C.W. Rao, C.R. Crowell. Sol. St. Electron., 23, 881 (1980)
  10. П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупроводникая электроника. Справочник (Киев, Наук. думка, 1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2023 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme