Арсентьев И.Н.1, Бобыль А.В.1, Тарасов И.С.1, Болтовец Н.С.2, Иванов В.Н.2, Беляев А.Е.3, Камалов А.Б.3, Конакова Р.В.3, Кудрик Я.Я.3, Литвин О.С.3, Миленин В.В.3, Руссу Е.В.4
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-исследовательский институт "Орион", Киев, Украина
3Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
4Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
Выставление онлайн: 19 июня 2008 г.
-1 Исследованы структурные и электрические свойства многослойных барьерных структур Au-TiBx-nn+n++-InP и TiBx-nn+n++-InP на стандартных ("жестких") и пористых ("мягких") подложках n++-InP. Полупроводниковые слои были изготовлены методом газофазной эпитаксии, металлические - магнетронным распылением, а пористые подложки - электрохимическим травлением стандартного InP. Образцы на пористых подложках имеют преимущества по следующим параметрам: токи утечек обратной ветви вольт-амперной характеристики меньше в 10 раз; на порядок больше диапазон экспоненциального роста тока на прямой ветви; при изменении площади контакта в 100 раз изменение фактора идеальности и высоты барьера Шоттки соответственно в 3 и ~10 раз меньше; более стабильная структура слоев при отжигах до 800oC. PACS: 73.30.+y, 73.40.Cg, 73.40.Kp
- A. Dargys, J. Kundrotas. Handbook on physical properties of Ge, Si, GaAs and InP (Vilnius, Science and Encyclopedia Publishera, 1994)
- L.S. Brillson, C.F. Brucker, A.D. Katnani, N.G. Stoffel, G. Margaritondo. Appl. Phys. Lett., 38, 784 (1981)
- K. Hattori, Y. Izumi. J. Appl. Phys., 53, 6946 (1982)
- Е.Ф. Венгер, Р.В. Конакова, Г.С. Коротченков, В.В. Миленин, Э.В. Руссу, И.В. Прокопенко. Межфазные взаимодействия и механизмы деградации в структурах металл--InP и металл--GaAs. (Киев, Книжная типография научной книги, 1999)
- D.A. Evans, T.P. Chen, T.H. Chusse, K. Horn, M. von der Emde, D.R.T. Zahn. Surf. Sci., 269/270, 979 (1992)
- Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, А.Е. Беляев, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, В.В. Миленин, И.Н. Арсентьев, А.В. Бобыль, П.Н. Брунков, И.С. Тарасов, А.А. Тонких, В.П. Улин, В.М. Устинов, Г.Э. Цирлин. ФТП, 40, 753 (2006)
- Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, О.С. Литвин, П.М. Литвин, В.В. Миленин. ФТП, 38, 769 (2004)
- И.Н. Арсентьев, М.В. Байдакова, А.В. Бобыль, Л.С. Вавилова, С.Г. Конников, В.П. Улин, Н.С. Болтовец, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, Д.И. Войциховский. Письма ЖТФ, 28 (17), 57 (2002)
- C.W. Rao, C.R. Crowell. Sol. St. Electron., 23, 881 (1980)
- П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупроводникая электроника. Справочник (Киев, Наук. думка, 1975)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
