"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
CdTe как пассивирующий слой в гетероструктуре CdTe/HgCdTe
Вирт И.С.1, Курило И.В.2, Рудый И.А.2, Сизов Ф.Ф.3, Михайлов Н.Н.4, Смирнов Р.Н.4
1Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко, Дрогобыч, Украина
2Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
3Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
4Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 10 сентября 2007 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2008 г.

Исследовались гетероструктуры CdTe/Hg1-xCdxTe, где CdTe используется как пассивирующий слой, осаждаемый в виде поликристалла или монокристалла на монокристаллическую пленку Hg1-xCdxTe. Пленку и пассивирующий слой получали в едином технологическом процессе молекулярно-лучевой эпитаксии. Структуру пассивирующих слоев исследовали методом дифракции электронов высоких энергий на отражение, а влияние структуры пассивирующего слоя на свойства активного слоя --- методом рентгеновской дифракции. Механические свойства гетероструктур исследованы методом микротвердости. Представлены электрофизические и фотоэлектрические параметры эпитаксиальных пленок Hg1-xCdxTe. PACS: 61.66.Fn, 68.55.Jk, 72.80.Ey, 73.40.Lq
  1. В.Г. Средин, Ю.С. Мезин, В.М. Укроженко. ФТП, 35, 1335 (2001)
  2. V.S. Varavin, V.V. Vasiliev, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, V.N. Ovsyuk, Yu.G. Sidorov, A.O. Suslyakov, M.V. Yakushev, A.L. Aseev. Proc. SPIE, 5136, 381 (2003)
  3. Yu.G. Sidorov, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, M.V. Yakushev, V.S. Varavin, V.V. Vasiliev, A.O. Suslyakov, V.N. Ovsyuk. Proc. SPIE, 4355, 228 (2001)
  4. Y. Nemirovski, N. Mainzer, E. Weiss. Properties of Narrow Gap Cadmium-Based Compounds, ed. by P. Capper (Gec-Marconi, Infra-Red Ltd, Southampton, London, INSPEC, 1994) p. 284
  5. Н.Н. Берченко, В.Э. Кревс, В.Г. Средин. Полупроводниковые твердые растворы и их применение (М., Воениздат, 1982) с. 103
  6. С.С. Горелик, М.Я. Дашевский. Материаловедение полупроводников и диэлектриков (М., Металургия, 1988) с. 432.
  7. И.С. Вирт, А.В. Войцеховский, А.П. Коханенко, И.В. Курило, И.А. Рудый, И.Е. Лопатинский, М.С. Фружинский. Вестник НУ "Львовская политехника", сер. Электроника (Львов, 2003) N 482, c. 3
  8. М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников (М., Металлургия, 1985) с. 8
  9. И.В. Курило, И.А. Рудый, А.И. Власенко. УФЖ, 43, 207 (1998)
  10. I.V. Kurilo, I.O. Rudyj, O.I. Vlasenko. J. Cryst. Growth, 204, 447 (1999)
  11. А.И. Власенко, З.К. Власенко, И.В. Курило, И.А. Рудый. ФТТ, 48, 436 (2006)
  12. С.Г. Гасан-заде, С.В. Старый, М.В. Стриха, Г.А. Шепельский. ФТП, 37, 8 (2003)
  13. Ю. А. Концевой, Ю.М. Литвинов, Э.А. Фаттахов. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур (М., Радио и связь, 1982) с. 52

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.