"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Спектры фотолюминесценции гетероструктур n-ZnO/ p-GaN<Er+Zn> и p-AlGaN<Er+Zn>
Мездрогина М.М.1, Криволапчук В.В.1, Феоктистов Н.А.1, Даниловский Э.Ю.2, Кузьмин Р.В.2, Разумов С.В.3, Кукушкин С.А.1, Осипов А.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 сентября 2007 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2008 г.

Интенсивность излучения гетероструктур на основе n-ZnO/p-GaN<Er+Zn>, n-ZnO/AlGaN<Er+Zn> по сравнению с интенсивностью отдельных слоев n-ZnO, p-GaN<Er+Zn>, AlGaN<Er+Zn> увеличивается более чем на порядок. По всей вероятности, причиной того является эффективная туннельная рекомбинация носителей, обусловленная уменьшением концентрации центров безызлучательной рекомбинации межфазных поверхностных состояний между слоями n-ZnO/p-GaN<Er+Zn> и n-ZnO/AlGaN<Er+Zn>. PACS: 78.55.Cr, 78.67.Pt
  1. G. Hu, H. Gong, E.F. Chor. Appl. Phys. Lett., 89 (25), 1 102 (2006)
  2. L.L. Chen, Z.Z. Ye, J.G. Lu, P. Chu. 89 (25), 2 113 (2006)
  3. C.D. Ahn, H.S. Kang, J.H. Kim, G.H. Kim, S.Y. Lee. J. Appl. Phys., 100 (9), 3 701 (2006)
  4. K.A. Bulashevich, I.Yu. Evstratov, V.N. Nabokov, S.Yu. Karpov. Appl. Phys. Lett., 87 (3), 502 (2005)
  5. В.В. Криволапчук, Ю.В. Кожанова, В.В. Лундин, М.М. Мездрогина, С.Н. Родин, Ш.А. Юсупова. ФТП, 38 (11), 1308 (2004)
  6. В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина, А.В. Насонов, С.Н. Родин. ФТП, 45 (9), 1556 (2003)
  7. М.М. Мездрогина, В.В. Криволапчук, В.Н. Петров, С.Н. Родин, А.В. Черенков. ФТП, 40 (12), 1412 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.