Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2008, выпуск 6 » Статья стр. 641
>>>
Источники спонтанного излучения на основе арсенида индия О б з о р
Зотова Н.В.1, Ильинская Н.Д.1, Карандашёв С.А.1, Матвеев Б.А.1, Ременный М.А.1, Стусь Н.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 7 сентября 2007 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2008 г.
PDF версия
Приводится обзор результатов, полученных в светодиодах на основе гетероструктур, содержащих в активной области InAs, и выращенных методами жидкофазной, молекулярно-лучевой и газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Проведен анализ яркости, картин ближнего поля, ватт-амперных и вольт-амперных характеристик светодиодов, имеющих конструкции с точечным контактом и флип-чип. PACS: 85.60.Jb, 78.60.Fi, 78.55.Cr
  1. L. Schnitzer, E. Yablonovitch, C. Caneau, T.J. Gmitter, A. Scherer. Appl. Phys. Lett., 63, 2174 (1993)
  2. L. Schnitzer, E. Yablonovitch, C. Caneau, T.J. Gmitter, Appl. Phys. Lett., 62, 131 (1993)
  3. S.D. Smith, J.G. Crowder, H.R. Hardaway. SPIE, 4651, 157 (2002)
  4. Н.П. Есина, Н.В. Зотова и Д.Н. Наследов. РЭ, 8, 1602 (1963); Н.П. Есина, Н.В. Зотова, Д.Н. Наследов. ФТП, 2 (3), 370 (1968)
  5. J. Melngailis, R.H. Redicker. J. Appl. Phys., 37, 899 (1966)
  6. T.S. Moss, G.J. Burell, B. Ellis. Semiconductor Optoelectronics (Butterworth, London, 1973)
  7. M.J. Kane, G. Braithwaite, M.T. Emeny, D. Lee, T. Martin, D.R. Wright. Appl. Phys. Lett., 76 (8), 943 (2000)
  8. D.G. Gevaux, A.M. Green, C.C. Philips, I. Vurgaftman, W.W. Bewley, C.L. Felix, J.R. Meyer, H. Lee, R. Martinelli. IEE Proc. Optoelectron., 150 (4), 351 (2003)
  9. J.R. Dixon, J.M. Ellis. Phys. Rev., 123, 1560 (1961)
  10. M.J. Kane, G. Braithwaite, M.T. Emeny, D. Lee, T. Martin, D.R. Wright. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 450, 129 (1997)
  11. Landolt-Bornstein. Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology, vol. 17a, Physics of Group IV elements and III--V Compounds (Springer, Berlin, 1982)
  12. K.L. Vodopyanov, H. Graener, C. Philips, T.J. Tate. Phys. Rev. B, 46, 13 194 (1992)
  13. A. Monakhov, A. Krier, V.V. Sherstnev. Semicond. Phys. Technol., 19, 480 (2004)
  14. A. Krier. Phil. Trans. Royal. Soc. (London) A, 359, 599 (2001)
  15. A. Krier, V.V. Sherstnev. J. Phys. D: Appl. Phys., 33, 101 (2000)
  16. S.S. Kizhaev, N.V. Zotova, S.S. Molchanov, Yu.P. Yakovlev. IEE Pros. Optoelectron., 140 (1), 36 (2002)
  17. V.K. Malyutenko, O.Yu. Malyutenko, A.V. Zinovchuk. Appl. Phys. Lett., 89, 201 114 (2006)
  18. A. Krier, X.L. Huang. J. Phys. D: Appl. Phys., 39, 255 (2006)
  19. Г.А. Сукач, П.Ф. Олексенко, А.Б. Богословская, Ю.Ю. Билинец, В.Н. Кабаций. ЖТФ, 67 (9), 68 (1997)
  20. S.S. Kizhaev, N.V. Zotova, S.S. Molchanov, Yu.P. Yakovlev. IEE Proc. Optoelectron., 140 (1), 36 (2002)
  21. А.А. Попов, М.В. Степанов, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 23 (21), 24 (1997)
  22. A.A. Popov, V.V. Sherstnev, Y.P. Yakovlev, A.N. Baranov, C. Alibert. Electron. Lett., 33 (1), 86 (1997)
  23. A. Krier, V.V. Sherstnev. J. Phys. D, Appl. Phys., 38, 1484 (2003)
  24. Е.А. Гребенщикова, Н.В. Зотова, С.С. Кижаев, С.С. Молчанов, Ю.П. Яковлев. ЖТФ, 71 (9), 58 (2001)
  25. D.A. Write, V.V. Sherstnev, A. Krier, A.M. Monakhov, G. Hill. IEE Proc. Optoelectron., 150 (4), 314 (2003)
  26. A. Krier, H.H. Gao, V.V. Sherstnev. J. Appl. Phys., 85 (12), 8419 (1999)
  27. X.Y. Gong, T.N. Yamaguchi, H. Kan, T. Makino, T. Iida, T. Kato, M. Aoyama, Y. Hayakawa, M. Kumagawa. Jap. J. Appl. Phys., 36, 2614 (1997)
  28. Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТП, 33 (8), 1010 (1999)
  29. J.R. Meyer, C.A. Hoffman, F.J. Bartoli, L.R. Ram-Moham. Appl. Phys. Lett., 67 (6), 757 (1998)
  30. D.G. Gevaux, A.M. Green, C.C. Phillips. Appl. Phys. Lett., 79 (25), 4075 (2001)
  31. М. Айдаралиев, Н.В. Зотов, С.А. Карандашев, Н.М. Стусь. ФТП, 23 (1), 593 (1989)
  32. M. Pullin, X. Li, J. Heber, D. Gevaux, C. Phillips. SPIE Proc, 3938-33 (Conference on Optoelectronics, San Jose, Jan. 2000) p. 144
  33. A. Sugimura. J. Appl. Phys., 51, 4405 (1980)
  34. A. Krier, V.V. Sherstnev, H.H. Gao, A.M. Monakhov, H. Hill. Appl. Phys. Lett., 80 (16), 2821 (2002)
  35. Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, А.А. Шленский. ФТП, 40 (3), 356 (2006)
  36. J.R. Dixon, J.M. Ellis. Phys. Rev., 124, 1321 (1961)
  37. О. Аллаберенов, Н.В. Зотова, Д.Н. Наследов, Л.Д. Неуймина. ФТП, 4, 1939 (1970)
  38. И.М. Несмелова, Н.С. Барышев, Б.П. Пырегов. Опт. и спектр., 27 (4), 661 (1969)
  39. Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, В.В. Шустов, Н.Г. Тараканова. ФТП, 40 (8), 1004 (2006)
  40. B.A. Matveev, M. Aydaraliev, N.V. Zotova, S.A. Karandashov, N.D. Il'inskaya, M.A. Remennyi, N.M. Stus', G.N. Talalakin. IEE Proc. Optoelectron., 150, 356 (2003)
  41. H. Benistry, H.De Neve, C. Weibuch. IEEE J. Quant. Electron., 3, 1612 (1998)
  42. M. Aidaraliev, N.V. Zotova, N.D. Il'inskaya, S.A. Karandashov, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, N.M. Stys', G.N. Talalakin. Semicond. Sci. Technol., 18, 269 (2003)
  43. Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, В.В. Шустов. ФТП, 38 (10), 1270 (2004)
  44. B. Matveev, N. Zotova, N. Il'inskaya, S. Karandashov, M. Remennyi, N. Stus'. Phys. Status Solidi C, 2 (2), 927 (2005)
  45. M.A. Remennyi, B.A. Matveev, N.V. Zotova, S.A. Karandashov, N.M. Stus', G.N. Talalakin. Physica E: Low-Dim. Systems and Nanostructur., 20 (3--4), 548 (2004)
  46. V.K. Malyutenko, O.Yu. Malyutenko, A.D. Podoltsev, I.N. Kucheryavaya, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, N.M. Stus'. Appl. Phys. Lett., 79, 4228 (2001)
  47. B.A. Matveev, N.V. Zotova, N.D. Il'inskaya, S.A. Karandashov, M.A. Remennyi, N.M. Stus', G.N. Talalakin. J. Mod. Opt., 49 (5/6), 743 (2002)
  48. M.A. Remennyi, N.V. Zotova, S.A. Karandashov, B.A. Matveev, N.M. Stus', G.N. Talalakin. Sensors Actuators B: Chemical, 91 (1--3), 256 (2003)
  49. B. Matveev, N. Zotova, N. Il'inskaya, S. Karandashov, M. Remennyi, N. Stus', A. Kovchavtsev, G. Kuryshev, V. Polovinkin, N. Tarakanova. Progress in Semiconductor Materials V-Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications, eds L.J. Olafsen, R.M. Biefeld, M.C. Wanke, A.W. Saxler (paper N 0891-EE01-04)
  50. V. Malyutenko, O. Malyutenko, A. Zinovchuk, N. Zotova, S. Karandashov, B. Matveev, M. Remennyi, N. Stus'. Book of abstracts of the 6th Int. Conf. "Mid-Infrared Optoelectronics Materials and Devices (MIOMD-VI)" (June 28--July 02, 2004, St. Petersburg, Russia)
  51. J.P. Van der Ziel, R.S. Logan, R.M. Mikulyak, A.A. Ballman. IEEE J. Quant. Electron., QE-21 (11), 1827 (1985)
  52. М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. Письма ЖТФ, 13 (9), 563 (1987)
  53. N. Kobayashi, Y. Horikoshi. Jap. J. Appl. Phys., 19, 1641 (1980)
  54. Z.G. Yu, Srini Krishnamurthy. J. Opt. Soc. Amer. B, 23 (11), 2256 (2006)
  55. P.P. Paskov. J. Appl. Phys., 81 (4), 1890 (1977)
  56. A.N. Baranov, R. Teissier, D. Barate, A. Vicer, C. Alibet, C. Renard, X. Marcadet, M. Garsia, C. Sirtory. Book of abstracts of the 6th Int. Conf. "Mid-Infrared Optoelectronics Materials and Devices (MIOMD-VI)" (June 28--July 02, 2004, St. Petersburg, Russia) p. 3
  57. Н.П. Есина, Н.В. Зотова, И.И. Марков, Б.А. Матвеев, А.А. Рогачев, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. Журн. прикл. спектроскопии, 42 (4), 691 (1985)
  58. J. Malinen, T. Hannula, N.V. Zotova, S.A. Karandashov, I.I. Markov, B.A. Matveev, N.M. Stus', G.N. Talalakin. Proc. Conf. Optical Methods for Chemical Process Control" (Boston, Sept., 7--10, 1993) (SPIE, 2069, p. 95)
  59. В.И. Иванов-Омский, Б.А. Матвеев. ФТП, 41 (3), 257 (2007)
  60. N.C. Das, G. Simonis, J. Bardshaw, A. Goldberg, N. Gupta. Proc. SPIE, 5408, 136 (2004)
  61. S.D. Smith, A. Vass, P. Bramley, J.G. Crowder, C.H. Wang. IEE Proc. Optoelectron., 144 (5), 266 (1997)
  62. B.A. Matveev. Mid-Infrared Semiconductor Optoelectronics (Springer Ser. Opt. Sci., ISSN 0342-4111, 2006) p. 395
  63. R.C. Johnes. Appl. Opt., 1, 607 (1962)
  64. M.A. Remennyi, B.A. Matveev, N.V. Zotova, S.A. Karandashov, N.M. Stus', N.D. Il'inskaya. SPIE Proc. 6585 (Optical Sensing Technology and Applications), editors: Francesco Baldini, Jiri Homola, Robert A. Lieberman, Miroslav Miler. Date: 1 May 2007, ISBN: 9780819467133, 658504, DOI: 10.1117/12.722847
  65. М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашёв, Б.А. Матвеев, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТП, 27 (1), 21 (1993)
  66. M. Aidaraliev, N.V. Zotova, S.A. Karandashov, B.A. Matveev, N.M. Stus', G.N. Talalakin. Semicond. Sci. Technol., 8 (8), 1575 (1993)
  67. B.A. Matveev, N.V. Zotova, S.A. Karandashov, M.A. Remennyi, N.M. Stus', G.N. Talalakin. Proc. Conf. " Photodetector Materials and Devices VII" [SPIE, 4650, 173 (2002)]
  68. Б.И. Степанов. Основы спектроскопии отрицательных световых потоков (Минск, Мир, 1961)
  69. B.A. Matveev, N.V. Zotova, N.D. Il'inskaya, S.A. Karandashov, M.A. Remennyi, N.M. Stus', G.N. Talalakin. Radiation Source, US patent \# 6 876 006 with grant date 5 April 2005
  70. B.A. Matveev, N.V. Zotova, S.A. Karandashov, M.A. Remenniy, N.M. Stus', G.N. Talalakin. Proc. Conf. "Light-Emitting Diodes: Research, Manufacturing, and Applications V", eds H. Walter Yao, E. Fred Schubert [SPIE, 4278, 189 (2001)]
  71. М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.М. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТП, 36 (7), 881 (2002)
  72. Ю.М. Задиранов, Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, А.А. Усикова. Письма ЖТФ, 34 (10), 1 (2008)
  73. А.А. Кузнецов, О.Б. Балашов, Е.В. Васильев, С.А. Логинов, А.И. Луговской, Е.Я. Черняк. Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика, N 6, 55 (2003)
  74. А.В. Сукач, В.В. Тетеркин, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., вып. 37, 215 (2002)
  75. А.В. Сукач, В.В. Тетеркин, С.В. Старый, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. Тез. докл. XVIII Межд. конф. по фотоэлектронике и приборам ночного видения (25-28 мая 2004 г., Москва) с. 29
  76. B.A. Matveev, N.V. Zotova, S.A. Karandashov, M.A. Remennyi, N.M. Stus', G.N. Talalakin. Proc. 1st Int. Conf. on Advanced Optoelectronics and Lasers (CAOL'2003) (Sept. 16--20, 2003 Alushta, Crimea, Ukraine) v. 2, p. 138.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme