"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
О волновых функциях горячих экситонов в полупроводниках с вырожденными зонами
Ефанов А.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 12 июля 2007 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2008 г.

Рассмотрены горячие экситоны в прямозонных кубических полупроводниках с вырожденной валентной зоной. Найдены поправки к модели независимых экситонных ветвей по малому параметру h/K aB, где K --- импульс экситона, aB --- боровский радиус. Рассматриваемые поправки обусловлены внутренними движениями частиц в экситоне. Показано, что они приводят к смешиванию состояний легких и тяжелых дырок в экситонной волновой функции. Вследствие этого становятся разрешенными процессы рассеяния экситонов на нулевой угол с переходами между разными экситонными ветвями. В работе рассмотрена область кинетических энергий, не превышающих величину спин-орбитального расщепления в валентной зоне. Закон дисперсии дырок описан в сферической модели Кона-Латтинджера (матрица 4x4). PACS: 71.35.Cc, 78.66.Fd
  • E.O. Kane. Phys. Rev. B, 11, 3850 (1975)
  • Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. ФТТ, 18, 220 (1976)
  • M. Altarelli, N.O. Lipari. Phys. Rev. B, 15, 4898 (1977)
  • A. Siarkos, E. Runge, R. Zimmermann. Phys. Rev. B, 61, 10 854 (2000)
  • Экситоны, ред. Э.И. Рашба, М.Д. Стердж (М., Наука, 1985) гл. 6
  • J.M. Luttinger. Phys. Rev., 102, 1030 (1956)
  • Г.Л. Бир. Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.