"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О волновых функциях горячих экситонов в полупроводниках с вырожденными зонами
Ефанов А.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 12 июля 2007 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2008 г.

Рассмотрены горячие экситоны в прямозонных кубических полупроводниках с вырожденной валентной зоной. Найдены поправки к модели независимых экситонных ветвей по малому параметру h/K aB, где K --- импульс экситона, aB --- боровский радиус. Рассматриваемые поправки обусловлены внутренними движениями частиц в экситоне. Показано, что они приводят к смешиванию состояний легких и тяжелых дырок в экситонной волновой функции. Вследствие этого становятся разрешенными процессы рассеяния экситонов на нулевой угол с переходами между разными экситонными ветвями. В работе рассмотрена область кинетических энергий, не превышающих величину спин-орбитального расщепления в валентной зоне. Закон дисперсии дырок описан в сферической модели Кона-Латтинджера (матрица 4x4). PACS: 71.35.Cc, 78.66.Fd
  1. E.O. Kane. Phys. Rev. B, 11, 3850 (1975)
  2. Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. ФТТ, 18, 220 (1976)
  3. M. Altarelli, N.O. Lipari. Phys. Rev. B, 15, 4898 (1977)
  4. A. Siarkos, E. Runge, R. Zimmermann. Phys. Rev. B, 61, 10 854 (2000)
  5. Экситоны, ред. Э.И. Рашба, М.Д. Стердж (М., Наука, 1985) гл. 6
  6. J.M. Luttinger. Phys. Rev., 102, 1030 (1956)
  7. Г.Л. Бир. Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.