Рассмотрены горячие экситоны в прямозонных кубических полупроводниках с вырожденной валентной зоной. Найдены поправки к модели независимых экситонных ветвей по малому параметру h/K a_B, где K - импульс экситона, a_B - боровский радиус. Рассматриваемые поправки обусловлены внутренними движениями частиц в экситоне. Показано, что они приводят к смешиванию состояний легких и тяжелых дырок в экситонной волновой функции. Вследствие этого становятся разрешенными процессы рассеяния экситонов на нулевой угол с переходами между разными экситонными ветвями. В работе рассмотрена область кинетических энергий, не превышающих величину спин-орбитального расщепления в валентной зоне. Закон дисперсии дырок описан в сферической модели Кона-Латтинджера (матрица 4x4). PACS: 71.35.Cc, 78.66.Fd

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.