Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование зависимости электрофизических параметров пленок Cd_xHg_1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, от уровня легирования индием

Варавин В.С.¹, Дворецкий С.А.¹, Икусов Д.Г.¹, Михайлов Н.Н.¹, Сидоров Ю.Г.¹, Сидоров Г.Ю.¹, Якушев М.В.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 23 октября 2007 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2008 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы зависимости времени жизни неосновных носителей заряда и подвижности электронов от уровня легирования индием в пленках Cd_xHg_1-xTe. Пленки с x~0.22 были выращены методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs и легированы индием в процессе роста по всей толщине. Исследованы температурные зависимости времени жизни в диапазоне температур 77-300 K. Уменьшение времени жизни с ростом уровня легирования определяется механизмом оже-рекомбинации. С увеличением уровня легирования наблюдается снижение подвижности, что качественно соответствует теоретическим расчетам. PACS: 61.72.Vv, 72.80.Ey, 81.05.Dz, 81.15.Hi

R.D. Rajavel, D.M. Jamba, J.E. Jensen, O.K. Wu, J.A. Wilson, J.L. Johnson, E.A. Patten, K. Kosai, P. Goetz, S.M. Jonson. J. Cryst. Growth, 184/185, 1272 (1998)
L.A. Almeida, M. Thomas, W. Larsen, K. Spariosu, D.D. Edwall, J.D. Benson, W. Mason, A.J. Stoltz, J.H. Dinan. J. Electron. Mater., 31 (7), 669 (2002)
H.R. Vydyanath, F. Aqariden, P.S. Wijewarnasuriya, S. Sivananthan, G. Chambers, L. Becker. J. Electron. Mater., 27 (6), 504 (1998)
D.D. Edwall, R.E. De Wames, W.V. McLevige, J.G. Pasko, J.M. Arias. J. Electron. Mater., 27 (6), 698 (1998)
P.S. Wijewarnasuriya, M.D. Lange, S. Sivananthan, J.P. Faurie. J. Electron. Mater., 24 (5), 545 (1995)
Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, И.В. Сабинина. ФТП, 35 (9), 1092 (2001)
H.R. Vydyanath. J. Cryst. Growth, 161, 64 (1996)
К.Д. Мынбаев, В.И. Иванов-Омский. ФТП, 35 (9), 1092 (2001)
M.C. Chen, L. Colombo. J. Appl. Phys., 73 (6), 2916 (1992)
B. Gelmont, B. Lund, Kim Ki-Sang, G.U. Jensen, M. Shur, T.A. Fjedly. J. Appl. Phys., 71 (10), 4977 (1992)
J.J. Dubowski, T. Dietl, W. Szymanska, R.R. Galazka. J. Phys. Chem. Sol., 42 (5B), 351 (1981)
V.C. Lopes, A.J. Syllaios, M.C. Chen. Semicond. Sci. Technol., 8, 824 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель