Вышедшие номера
Исследование влияния температуры крекинга мышьяка на эффективность его встраивания в пленки CdHgTe в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии
Сидоров Г.Ю.1, Михайлов Н.Н.1, Варавин В.С.1, Икусов Д.Г.1, Сидоров Ю.Г.1, Дворецкий С.А.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 23 октября 2007 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2008 г.

Пленки CdxHg1-xTe с x~0.22 толщиной ~10 мкм выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из арсенида галлия и легировались мышьяком в процессе роста. Активационный отжиг легированных пленок позволил получить p-тип проводимости с концентрацией дырок до 1017 см-3. Исследовано влияние температуры зоны крекинга источника мышьяка на эффективность встраивания мышьяка в пленку CdHgTe. Предложена модель, описывающая зависимость концентрации мышьяка в пленках от температуры зоны крекинга. Из сопоставления модели и экспериментальных данных следует, что эффективность встраивания двухатомного мышьяка примерно на 2 порядка выше, чем четырехатомного. PACS: 61.72.Vv, 72.80.Ey, 81.05.Dz, 81.15.Hi