Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование влияния температуры крекинга мышьяка на эффективность его встраивания в пленки CdHgTe в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии

Сидоров Г.Ю.¹, Михайлов Н.Н.¹, Варавин В.С.¹, Икусов Д.Г.¹, Сидоров Ю.Г.¹, Дворецкий С.А.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 23 октября 2007 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2008 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Пленки Cd_xHg_1-xTe с x~0.22 толщиной ~10 мкм выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из арсенида галлия и легировались мышьяком в процессе роста. Активационный отжиг легированных пленок позволил получить p-тип проводимости с концентрацией дырок до 10¹⁷ см^-3. Исследовано влияние температуры зоны крекинга источника мышьяка на эффективность встраивания мышьяка в пленку CdHgTe. Предложена модель, описывающая зависимость концентрации мышьяка в пленках от температуры зоны крекинга. Из сопоставления модели и экспериментальных данных следует, что эффективность встраивания двухатомного мышьяка примерно на 2 порядка выше, чем четырехатомного. PACS: 61.72.Vv, 72.80.Ey, 81.05.Dz, 81.15.Hi

L.A. Almeida. J. Electron. Mater., 31 (7), 660 (2002)
M. Boukerche, S. Sivananthan, P.S. Wijewarnasuriya, I.K. Sou, J.P. Faurie. J. Vac. Sci. Technol. A, 7, 311 (1989)
S. Sivananthan, P.S. Wijewarnasuriya, F. Aqariden, H.R. Vydyanath, M. Zandian, D.D. Edwall, J.M. Arias. J. Electron. Mater., 26, 621 (1997)
M.A. Kinch, F. Aqariden, D. Chandra, P.-K. Liao, H.F. Shaake, H.D. Shih. J. Electron. Mater., 34 (6), 880 (2005)
A.C. Chen, M. Zandian, D.D. Edwall, R.E. De Wames, P.S. Wijewarnasuriya, J.M. Arias, S. Sivananthan, M. Berding, A. Sher. J. Electron. Mater., 27 (6), 595 (1998)
C.H. Swartz, S. Chandril, R.P. Tompkins, N.C. Giles, T.H. Myers, D.D. Edwall, E.C. Piquette, C.S. Kim, I. Vurgaftman, J.R. Meyer. J. Electron. Mater., 35 (6), 1360 (2006)
В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, А.Э. Климов, В.Н. Шумский. Автометрия, N 4, 59 (1998)
D.T.J. Hurle, J.B. Mullin. Proc. Int. Conf. Cryst. Growth (Boston, 1966) p. 241

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель