Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние облучения электронами и протонами на характеристики поверхностно-барьерных структур SiC-детекторов ядерных излучений
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 августа 2007 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2008 г.
Структуры с барьером Шоттки на основе CVD-пленок 4H-SiC облучались 8 МэВ протонами и 900 кэВ электронами. Максимальные дозы составили 1014 см-2 и 3· 1016 см-2 соответственно. В случае электронов первично вводимые радиационные дефекты являлись близко расположенными парами Френкеля. Сопоставлялись изменения электрофизических характеристик структур. Использовались емкостные методики и техника ядерной спектрометрии. С ее помощью определялась эффективность переноса заряда при импульсной ионизации alpha-частицами. Облучение протонами приводит с ростом дозы к монотонному падению эффективности переноса. Для электронов эффективность в интервале доз (1-3)· 1016 см-2 не изменилась. Однако доза 3· 1016 см-2 привела к существенному возрастанию неоднородности условий переноса заряда по объему образца. PACS: 61.82.Fk, 61.80.-x
- G. Lindstrom, M. Moll, E. Fretwurst. Nucl. Instrum. Meth. A, 426, 1 (1999)
- D. Bechevet, M. Glaser, A. Houdayer, C. Lebel, C. Leroy, M. Moll, P. Roy. Nucl. Instrum. Meth. A, 479 (2--3), 487 (2002)
- M. Huhtinen. Nucl. Instrum. Meth. A, 491 (1--2), 194 (2002)
- K.K. Lee, T. Ohshima, A. Saint, T. Kamiya, D.N. Jamieson, H. Itoh. Nucl. Instrum. Meth. B, 210, 489 (2003)
- Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, Н.С. Савкина, А.А. Лебедев, В.В. Козловский, M. Syvajarvi, R. Yakimova. ФТП, 38, 841 (2004)
- A.M. Ivanov, N.B. Strokan, A.A. Lebedev, V.V. Kozlovski. Mater. Sci. Forum, 556-- 557, 961 (2007)
- N.B. Strokan, A.M. Ivanov, A.A. Lebedev. Nucl. Instrum. Meth. A, 569 (3), 758 (2006)
- K. Hecht. Z. Phys. 77, 235 (1932)
- C.T. Sah, W.G.K. Reddi. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-11, 345 (1964)
- А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, 1977)
- L.S. Berman. Purity control of semiconductors by the method of capacitance transient spectroscopy, "Electronic Integral Systems" (St. Petersburg, Russia, 1995)
- Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, А.А. Лебедев, M. Syvajarvi, R. Yakimova. ФТП, 39 (12), 1443 (2005)
- A. Castaldini, A. Cavallini, L. Rigutti, F. Nava, S. Ferrero, F. Giorgis. J. Appl. Phys., 98, 053 706 (2005)
- D. Aberg, A. Hallen, P. Pellegrino, B.G. Swensson. Appl. Phys. Lett., 78, 2908 (2001)
- A.A. Lebedev, A.I. Veinger, V.V. Kozlovski, D.V. Davydov, N.S. Savkina, A.M. Strelchuk. J. Appl. Phys., 88 (11), 6265 (2000)
- А.М. Иванов, Н.Б. Строкан, Е.В. Богданова, А.А. Лебедев. ФТП, 41 (1), 117 (2007)
- В.К. Еремин, Н.Б. Строкан, О.П. Чикалова--Лузина. ФТП, 19, 70 (1985)
- Н.Б. Строкан. Письма ЖТФ, 24 (5), 44 (1998)
- А.М. Иванов, А.А. Лебедев, Н.Б. Строкан. ФТП, 40 (10), 1259 (2006)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
