"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние облучения электронами и протонами на характеристики поверхностно-барьерных структур SiC-детекторов ядерных излучений
Иванов А.М.1, Строкан Н.Б.1, Козловский В.В.2, Лебедев А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 августа 2007 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2008 г.

Структуры с барьером Шоттки на основе CVD-пленок 4H-SiC облучались 8 МэВ протонами и 900 кэВ электронами. Максимальные дозы составили 1014 см-2 и 3· 1016 см-2 соответственно. В случае электронов первично вводимые радиационные дефекты являлись близко расположенными парами Френкеля. Сопоставлялись изменения электрофизических характеристик структур. Использовались емкостные методики и техника ядерной спектрометрии. С ее помощью определялась эффективность переноса заряда при импульсной ионизации alpha-частицами. Облучение протонами приводит с ростом дозы к монотонному падению эффективности переноса. Для электронов эффективность в интервале доз (1-3)· 1016 см-2 не изменилась. Однако доза 3· 1016 см-2 привела к существенному возрастанию неоднородности условий переноса заряда по объему образца. PACS: 61.82.Fk, 61.80.-x
  1. G. Lindstrom, M. Moll, E. Fretwurst. Nucl. Instrum. Meth. A, 426, 1 (1999)
  2. D. Bechevet, M. Glaser, A. Houdayer, C. Lebel, C. Leroy, M. Moll, P. Roy. Nucl. Instrum. Meth. A, 479 (2--3), 487 (2002)
  3. M. Huhtinen. Nucl. Instrum. Meth. A, 491 (1--2), 194 (2002)
  4. K.K. Lee, T. Ohshima, A. Saint, T. Kamiya, D.N. Jamieson, H. Itoh. Nucl. Instrum. Meth. B, 210, 489 (2003)
  5. Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, Н.С. Савкина, А.А. Лебедев, В.В. Козловский, M. Syvajarvi, R. Yakimova. ФТП, 38, 841 (2004)
  6. A.M. Ivanov, N.B. Strokan, A.A. Lebedev, V.V. Kozlovski. Mater. Sci. Forum, 556-- 557, 961 (2007)
  7. N.B. Strokan, A.M. Ivanov, A.A. Lebedev. Nucl. Instrum. Meth. A, 569 (3), 758 (2006)
  8. K. Hecht. Z. Phys. 77, 235 (1932)
  9. C.T. Sah, W.G.K. Reddi. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-11, 345 (1964)
  10. А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, 1977)
  11. L.S. Berman. Purity control of semiconductors by the method of capacitance transient spectroscopy, "Electronic Integral Systems" (St. Petersburg, Russia, 1995)
  12. Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, А.А. Лебедев, M. Syvajarvi, R. Yakimova. ФТП, 39 (12), 1443 (2005)
  13. A. Castaldini, A. Cavallini, L. Rigutti, F. Nava, S. Ferrero, F. Giorgis. J. Appl. Phys., 98, 053 706 (2005)
  14. D. Aberg, A. Hallen, P. Pellegrino, B.G. Swensson. Appl. Phys. Lett., 78, 2908 (2001)
  15. A.A. Lebedev, A.I. Veinger, V.V. Kozlovski, D.V. Davydov, N.S. Savkina, A.M. Strelchuk. J. Appl. Phys., 88 (11), 6265 (2000)
  16. А.М. Иванов, Н.Б. Строкан, Е.В. Богданова, А.А. Лебедев. ФТП, 41 (1), 117 (2007)
  17. В.К. Еремин, Н.Б. Строкан, О.П. Чикалова--Лузина. ФТП, 19, 70 (1985)
  18. Н.Б. Строкан. Письма ЖТФ, 24 (5), 44 (1998)
  19. А.М. Иванов, А.А. Лебедев, Н.Б. Строкан. ФТП, 40 (10), 1259 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.