"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние состояния вакансионного равновесия на процесс диффузии примеси хрома в арсениде галлия
Хлудков С.С.1
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 17 мая 2007 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2008 г.

Представлены результаты исследования процесса диффузии примеси Cr в GaAs по данным электрических измерений. Определены зависимости коэффициента диффузии и предельной растворимости электрически активных атомов Cr в GaAs от температуры (при фиксированных давлениях паров As) и от давления паров As (при фиксированных температурах). Установлена зависимость коэффициента диффузии Cr в GaAs от отношения объема исследуемого образца к объему ампулы для случая сильного отклонения от стехиометрии кристалла в сторону избытка Ga. Полученные экспериментальные результаты анализируются на основе представлений о диссоциативном механизме миграции атомов Cr в кристаллической решетке GaAs, согласно которому коэффициент диффузии существенно зависит от концентрации вакансий Ga. PACS: 66.30.Jt, 68.35.Fx, 81.40.Vw
  1. С.С. Хлудков. Вестн. Том. гос. ун-та. Сер. Физика, N 285, 84 (2005)
  2. С.С. Хлудков, Г.А. Приходько, Т.Н. Карелина. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 8, 1044 (1972)
  3. Х. Кейзи. В кн.: Атомная диффузия в полупроводниках (М., Мир, 1975)
  4. Н.В. Гонтарь, Л.Б. Городник, А.В. Емельянов, Д.Н. Нишанов, В.В. Старостин, А.Н. Шокин. В сб.: Свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1977) с. 31
  5. B. Tuck, A. Adegboyega. J. Phys. D: Appl. Phys., 12, 1895 (1979)
  6. J. Kasahara, N. Watanabe. Jpn. J. Appl. Phys., 19 (3), L15 (1980)
  7. M.D. Deal, D.A. Stevenson. J. Appl. Phys., 59, 2398 (1986)
  8. С.С. Хлудков, О.Б. Корецкая, А.В. Тяжев. ФТП, 38, 274 (2004)
  9. С.С. Хлудков, О.Б. Корецкая, Г.Р. Бурнашева. ФТП, 40, 1025 (2006)
  10. С.С. Хлудков, О.Б. Корецкая, И.А. Прудаев, Г.Р. Бурнашева. В сб.: Матер. 9-й конф. Арсенид галлия и полупроводниковые соединения III--V. GaAs-2006" (3-5 октября 2006 г., Томск, Россия) с. 108
  11. M.D. Deal, R.A. Gasser, D.A. Stevenson. J. Phys. Chem. Sol., 46, 859 (1985)
  12. H.R. Potts, G.L. Pearson. J. Appl. Phys., 37, 2098 (1966)
  13. В.И. Фистуль, В.И. Петровский, Н.С. Рытова, П.М. Гринштейн. ФТП, 13, 1402 (1979)
  14. S.J. Chiang, G.L. Pearson. J. Appl. Phys., 46, 2986 (1975)
  15. R. Arthur. J. Phys. Chem. Sol., 28, 2257 (1967)
  16. F.S. Frank, D. Turnbull. Phys. Rev., 104, 617 (1956)
  17. Б.И. Болтакс. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках (Л., Наука, 1972)
  18. Т.Д. Джафаров. Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах (Л., Наука, 1978).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.