Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние состояния вакансионного равновесия на процесс диффузии примеси хрома в арсениде галлия
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия 
Поступила в редакцию: 17 мая 2007 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2008 г.
Представлены результаты исследования процесса диффузии примеси Cr в GaAs по данным электрических измерений. Определены зависимости коэффициента диффузии и предельной растворимости электрически активных атомов Cr в GaAs от температуры (при фиксированных давлениях паров As) и от давления паров As (при фиксированных температурах). Установлена зависимость коэффициента диффузии Cr в GaAs от отношения объема исследуемого образца к объему ампулы для случая сильного отклонения от стехиометрии кристалла в сторону избытка Ga. Полученные экспериментальные результаты анализируются на основе представлений о диссоциативном механизме миграции атомов Cr в кристаллической решетке GaAs, согласно которому коэффициент диффузии существенно зависит от концентрации вакансий Ga. PACS: 66.30.Jt, 68.35.Fx, 81.40.Vw
- С.С. Хлудков. Вестн. Том. гос. ун-та. Сер. Физика, N 285, 84 (2005)
- С.С. Хлудков, Г.А. Приходько, Т.Н. Карелина. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 8, 1044 (1972)
- Х. Кейзи. В кн.: Атомная диффузия в полупроводниках (М., Мир, 1975)
- Н.В. Гонтарь, Л.Б. Городник, А.В. Емельянов, Д.Н. Нишанов, В.В. Старостин, А.Н. Шокин. В сб.: Свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1977) с. 31
- B. Tuck, A. Adegboyega. J. Phys. D: Appl. Phys., 12, 1895 (1979)
- J. Kasahara, N. Watanabe. Jpn. J. Appl. Phys., 19 (3), L15 (1980)
- M.D. Deal, D.A. Stevenson. J. Appl. Phys., 59, 2398 (1986)
- С.С. Хлудков, О.Б. Корецкая, А.В. Тяжев. ФТП, 38, 274 (2004)
- С.С. Хлудков, О.Б. Корецкая, Г.Р. Бурнашева. ФТП, 40, 1025 (2006)
- С.С. Хлудков, О.Б. Корецкая, И.А. Прудаев, Г.Р. Бурнашева. В сб.: Матер. 9-й конф. Арсенид галлия и полупроводниковые соединения III--V. GaAs-2006" (3-5 октября 2006 г., Томск, Россия) с. 108
- M.D. Deal, R.A. Gasser, D.A. Stevenson. J. Phys. Chem. Sol., 46, 859 (1985)
- H.R. Potts, G.L. Pearson. J. Appl. Phys., 37, 2098 (1966)
- В.И. Фистуль, В.И. Петровский, Н.С. Рытова, П.М. Гринштейн. ФТП, 13, 1402 (1979)
- S.J. Chiang, G.L. Pearson. J. Appl. Phys., 46, 2986 (1975)
- R. Arthur. J. Phys. Chem. Sol., 28, 2257 (1967)
- F.S. Frank, D. Turnbull. Phys. Rev., 104, 617 (1956)
- Б.И. Болтакс. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках (Л., Наука, 1972)
- Т.Д. Джафаров. Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах (Л., Наука, 1978).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
