"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Общее количество статей:
10472
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
219

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1999 год:
Статья
Просмотров
Статья
Просмотров
Автор
Организация
Статей
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
16
Рудь В.Ю.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
16
Жуков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
15
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
15
Копьев П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
15
Ковш А.Р.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
14
Егоров А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
13
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
11
Цацульников А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
11
Максимов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
11
Алферов Ж.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
11
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
10
Соболев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
9
Воловик Б.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
9
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Шерстнев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Бимберг Д.
Institute fur Festkorperphusik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
6
Власенко А.И.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
6
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Емельянов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Николаев Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Мусихин Ю.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Малеев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Данилова Т.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Зегря Г.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Жиляев Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Бедарев Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Евтихиев В.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Степанов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Ипатова И.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Берт Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Лунев А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Зотова Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Боднарь И.В.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
4
Воронков В.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Власенко З.К.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
4
Булярский С.В.
Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
4
Данилова А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Колчанова Н.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Михайлова М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Голикова О.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Слободчиков С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Салихов Х.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Ботнарюк В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Моисеев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Лундин В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Усиков А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Мастеров В.Ф.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Насрединов Ф.С.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Серегин П.П.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Серегин Н.П.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Гольдман Е.И.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
3
Ждан А.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
3
Карандашев С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Матвеев Б.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Ременный М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Стусь Н.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Талалакин Г.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Токранов В.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Капитонов В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шерняков Ю.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Петров В.Н.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Масалов С.А.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Голубок А.О.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Кудрявцев Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Воронина Т.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гременок В.Ф.
Институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
3
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Венгер Е.Ф.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Машин А.И.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Хохлов А.Ф.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Козлов В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Безрядин Н.Н.
Воронежская государственная технологическая академия, Воронеж, Россия
3
Арсентьев И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Зайцев С.В.
Microelectronics Research Center University of Texas at Austin, Burnet RD, Bldg. 160, Austin, TX,, USA
3
Ременюк А.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Голубев В.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Акимов Б.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Рябова Л.И.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Рубцова Р.А.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Казанин М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Журтанов Б.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Соболев В.В.
Удмуртский государственный университет, Ижевск, Россия
2
Поклонский Н.А.
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2
Сягло А.И.
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2
Андреев Б.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Маковийчук М.И.
Институт микроэлектроники Российской академии наук, Ярославль, Россия
2
Паршин Е.О.
Институт микроэлектроники Российской академии наук, Ярославль, Россия
2
Кудряшов В.Е.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Юнович А.Э.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Ковалев А.Н.
Московский институт стали и сплавов, Москва, Россия
2
Маняхин Ф.И.
Московский институт стали и сплавов, Москва, Россия
2
Колобаев В.В.
Московский энергетический институт, Москва, Россия
2
Руссу Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Белогорохов А.И.
Институт редкометаллической промышленности "Гиредмед", Москва, Россия
2
Ткач Н.В.
Черновицкий государственный университет, Черновцы, Украина
2
Иванов-Омский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Андреев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Александров О.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шек Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гусев О.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сахаров В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Серенков И.Т.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Котов Г.И.
Воронежская государственная технологическая академия, Воронеж, Россия
2
Котельников Е.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Айдаралиев М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сиповская М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Немов С.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Бер Б.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сахаров А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Садофьев Ю.Г.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Синявский Э.П.
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
2
Кульбачинский В.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Кытин В.Г.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Лунин Р.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Баграев Н.Т.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Клячкин Л.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Маляренко А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Робозеров С.В.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Цэндин К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Осипов В.В.
Государственный научный центр РФ "Орион" Москва, Россия
2
Селяков А.Ю.
Государственный научный центр РФ "Орион" Москва, Россия
2
Foygel M.
Государственный научный центр РФ "Орион" Москва, Россия
2
Гольдберг Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Оболенский О.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Петелина Т.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гук Е.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Георгиевский А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Барабаненков М.Ю.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Леонов А.В.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Мордкович В.Н.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Омельяновская Н.М.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Бондаревский С.И.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Пагава Т.А.
Грузинский технический университет, Тбилиси, Грузия
2
Колин Н.Г.
Филиал ГНЦ РФ "НИФХИ им. Л.Я. Карпова", Обнинск, Россия
2
Соловьев С.П.
Институт атомной энергетики, Обнинск, Россия
2
Чучева Г.В.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
2
Белоусов М.В.
Санкт-Петербургский государственный университет (Институт физики), Петродворец, Санкт-Петербург, Россия
2
Преображенский В.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Воронков Э.Н.
Московский энергетический институт, Москва, Россия
2
Есаев Д.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Синица С.П.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Чернявский Е.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Цырлин Г.Э.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Андреев В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Хвостиков В.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шварц М.З.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кудряшов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кочерешко В.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Михайлов Г.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Соколова З.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Винокуров Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Вавилова Л.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мурашова А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Щукин В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ситникова А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Рогачев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Третьяков Д.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Поляков Н.К.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Чалдышев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Sobolev N.A.
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St.Petersburg, Russia
2
Ильчук Г.А.
Государственный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
2
Бекимбетов Р.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Осадчий В.М.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Акимов И.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сапега В.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Борисенко С.И.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Звонков Б.Н.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета, Нижний Новгород, Россия
2
Астрова Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шуман В.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Любченко А.В.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Аверкиев Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гуткин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Рещиков М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Каганович Э.Б.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Кириллова С.И.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Манойлов Э.Г.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Примаченко В.Е.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Свечников С.В.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Никитина И.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сережкин Ю.Н.
Мордовский государственный университет, Саранск, Россия
2
Ионычев В.К.
Мордовский государственный университет, Саранск, Россия
2
Фалеев Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Торопов А.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Козловский В.В.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Ушакова Т.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сресели О.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Велиев З.А.
Нахичеваньский государственный университет им. Ю.Г. Мамедалиева Нахичевань, Азербайджан
2
Косяченко Л.А.
Черновицкий государственный университет, Черновцы, Украина
2
Раренко И.М.
Черновицкий государственный университет, Черновцы, Украина
2
Гордеев Н.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Копчатов В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Карачинский Л.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Новиков И.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Емцев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Полоскин Д.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лодыгин А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
137
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
29
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
13
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
11
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
10
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
6
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
6
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
5
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
4
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Черновицкий государственный университет, Черновцы, Украина
4
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
4
Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
4
Институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
4
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
4
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
3
Институт химических проблем микроэлектроники, Москва, Россия
3
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3
Московский энергетический институт, Москва, Россия
3
Государственный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
3
A.F. Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
3
Воронежская государственная технологическая академия, Воронеж, Россия
3
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Институт микроэлектроники Российской академии наук, Ярославль, Россия
2
Удмуртский государственный университет, Ижевск, Россия
2
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
2
Государственный научный центр РФ "Орион" Москва, Россия
2
Московский институт стали и сплавов, Москва, Россия
2
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Черновицкий государственный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
2
Semiconductor Physics Institute, Vilnius, Lithuania
2
Институт физики, Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Institute fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
2
Мордовский государственный университет, Саранск, Россия
2
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Грузинский технический университет, Тбилиси, Грузия
2
Институт атомной энергетики, Обнинск, Россия
2
Волгоградский государственный педагогический университет, Волгоград, Россия
2
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
1
Ташкентский государственный технический университет, Ташкент, Узбекистан
1
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
1
Ферганский государственный университет, Фергана, Республика Узбекистан
1
Калининградский государственный университет, Калининград, Россия
1
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
1
Linkuping University, Linkuping, Sweden
1
South Dakota School of Mines and Technology Rapid City, SD, USA
1
Физико-техничекий институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Научно-исследовательский физико-технический институт, Нижегородский государственный университет, Нижний Новгород, Россия
1
Institute for Experimental Physics, University of Linz, Linz, Austria
1
Institute for Analytical Chemistry, Technical University of Vienna, Vienna, Austria
1