Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Эффективное время жизни носителей заряда в варизонных структурах на основе CdHgTe

Осадчий В.М.¹, Сусляков А.О.¹, Васильев В.В.¹, Дворецкий С.А.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 5 мая 1998 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведены расчеты эффективного времени жизни носителей заряда в варизонных структурах из n-CdHgTe с учетом оже-рекомбинации и рекомбинации на дислокациях. Показано, что введение варизонных широкозонных слоев позволяет исключить влияние поверхностной рекомбинации и получить высокие эффективные времена жизни даже при высоких плотностях дислокаций (выше 10⁷ см^-2). Получено согласие измеренных и рассчитанных времен жизни носителей заряда в варизонных структурах, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии.

R. Pal, R.K. Bhan, K.C. Chhabra, O.P. Agnihotri. Semicond. Sci. Technol., 11, 231 (1996)
C.A. Musca, J.F. Siliquini, K.A. Fynn, B.D. Nener, L. Faraone, S.J.C. Irvine. Semicond. Sci. Technol., 11, 1912 (1996)
V.N. Ovsyuk, A.O. Suslyakov, T.I. Zakharyash, S.A. Studenikin, V.V. Vasilyev, Yu.G. Sidorov, S.A. Dvoretsky, V.S. Varavin, N.N. Mikhailov, V.I. Liberman. Proc. SPIE, 2746, 277 (1996)
D.K. Arch, R.A. Wood, D.L. Smith. J. Appl. Phys., 58, 2360 (1985)
R.D. Rajavel, D.M. Jamba, O.K. Wu, J.E. Jensen, J.A. Wilson, E.A. Patten, K. Kosai, P. Goetz, G.R. Chapman, W.A. Radford. J. Cryst. Growth, 175/176, 653 (1997)
S.H. Shin, J.M. Arias, M. Zandian, J.G. Pasko, R.E. DeWames. Appl. Phys. Lett., 59, 2718 (1991)
L. He, J.R. Yang, S.L. Wang, S.P. Guo, M.F. Yu, X.Q. Chen, W.Z. Fang, V.M. Qiao, Q.Y. Zhang, R.J. Ding, T.L. Xin. J. Cryst. Growth, 175/176, 677 (1997)
H.F. Matare. Defect Electronics in Semiconductors (Wiley, N.Y.--London, 1971)
T. Yamamoto, Y. Miyamoto, K. Tanikawa. J. Cryst. Growth, 72, 270 (1985).
В.Н. Давыдов, Е.А. Лоскутова, И.И. Фефелова. Микроэлектроника, 15, 455 (1986)
О.В. Константинов, Г.В. Царенков. ФТП, 10, 720 (1976)
G.L. Hansen, J.L. Schmidt. J. Appl. Phys., 54, 1639 (1983)
E. Finkman, S.E. Shachman. J. Appl. Phys., 56, 2896 (1984)
J.P. Rosbeck, R.E. Starr, S.L. Price, K.J. Riley. J. Appl. Phys., 53, 6430 (1982)
W.W. Anderson. Infr. Phys., 20, 363 (1980)
A. Rogalski, J. Piotrowski. Prog. Quant. Electron., 12, 87 (1988)
A.R. Beattie, P.T. Landsberg. Proc. Royal Soc., A249, 16 (1959)
А.А. Самарский, А.В. Гулин. Численные методы (М., Наука, 1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель