"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Эффективное время жизни носителей заряда в варизонных структурах на основе CdHgTe
Осадчий В.М.1, Сусляков А.О.1, Васильев В.В.1, Дворецкий С.А.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 5 мая 1998 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1999 г.

Проведены расчеты эффективного времени жизни носителей заряда в варизонных структурах из n-CdHgTe с учетом оже-рекомбинации и рекомбинации на дислокациях. Показано, что введение варизонных широкозонных слоев позволяет исключить влияние поверхностной рекомбинации и получить высокие эффективные времена жизни даже при высоких плотностях дислокаций (выше 107 см-2). Получено согласие измеренных и рассчитанных времен жизни носителей заряда в варизонных структурах, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии.
  1. R. Pal, R.K. Bhan, K.C. Chhabra, O.P. Agnihotri. Semicond. Sci. Technol., 11, 231 (1996)
  2. C.A. Musca, J.F. Siliquini, K.A. Fynn, B.D. Nener, L. Faraone, S.J.C. Irvine. Semicond. Sci. Technol., 11, 1912 (1996)
  3. V.N. Ovsyuk, A.O. Suslyakov, T.I. Zakharyash, S.A. Studenikin, V.V. Vasilyev, Yu.G. Sidorov, S.A. Dvoretsky, V.S. Varavin, N.N. Mikhailov, V.I. Liberman. Proc. SPIE, 2746, 277 (1996)
  4. D.K. Arch, R.A. Wood, D.L. Smith. J. Appl. Phys., 58, 2360 (1985)
  5. R.D. Rajavel, D.M. Jamba, O.K. Wu, J.E. Jensen, J.A. Wilson, E.A. Patten, K. Kosai, P. Goetz, G.R. Chapman, W.A. Radford. J. Cryst. Growth, 175/176, 653 (1997)
  6. S.H. Shin, J.M. Arias, M. Zandian, J.G. Pasko, R.E. DeWames. Appl. Phys. Lett., 59, 2718 (1991)
  7. L. He, J.R. Yang, S.L. Wang, S.P. Guo, M.F. Yu, X.Q. Chen, W.Z. Fang, V.M. Qiao, Q.Y. Zhang, R.J. Ding, T.L. Xin. J. Cryst. Growth, 175/176, 677 (1997)
  8. H.F. Matare. Defect Electronics in Semiconductors (Wiley, N.Y.--London, 1971)
  9. T. Yamamoto, Y. Miyamoto, K. Tanikawa. J. Cryst. Growth, 72, 270 (1985).
  10. В.Н. Давыдов, Е.А. Лоскутова, И.И. Фефелова. Микроэлектроника, 15, 455 (1986)
  11. О.В. Константинов, Г.В. Царенков. ФТП, 10, 720 (1976)
  12. G.L. Hansen, J.L. Schmidt. J. Appl. Phys., 54, 1639 (1983)
  13. E. Finkman, S.E. Shachman. J. Appl. Phys., 56, 2896 (1984)
  14. J.P. Rosbeck, R.E. Starr, S.L. Price, K.J. Riley. J. Appl. Phys., 53, 6430 (1982)
  15. W.W. Anderson. Infr. Phys., 20, 363 (1980)
  16. A. Rogalski, J. Piotrowski. Prog. Quant. Electron., 12, 87 (1988)
  17. A.R. Beattie, P.T. Landsberg. Proc. Royal Soc., A249, 16 (1959)
  18. А.А. Самарский, А.В. Гулин. Численные методы (М., Наука, 1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.