Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1999, выпуск 7 » Статья стр. 781
<<<>>>
Электрофизические свойства эпитаксиального арсенида индия и узкозонных твердых растворов на его основе
Воронина Т.И.1, Лагунова Т.С.1, Моисеев К.Д.1, Розов А.Е.1, Сиповская М.А.1, Степанов М.В.1, Шерстнев В.В.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 декабря 1998 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1999 г.
PDF версия
Исследованы электрические свойства эпитаксиальных слоев InAs и твердых растворов на его основе (InGaAsSb, InAsSbP, InAsGa, InAsP). Показано, что все специально не легированные кристаллы имеют n-тип проводимости, который определяется мелкими донорными примесями (E1=0.002-0.003 эВ) и структурными дефектами (E2=0.02-0.03 эВ и E3=0.09-0.10 эВ). Показано, что выращивание слоев InAs при использовании нейтрального растворителя - свинца, а также редкоземельных элементов позволяет снизить концентрацию электронов почти на порядок (до 3·1015 см-3) за счет уменьшения концентрации структурных дефектов.
  1. А.Н. Баранов, Т.И. Воронина, А.А. Гореленок, Т.С. Лагунова, А.М. Литвак, М.А. Сиповская, С.П. Старосельцева, В.А. Тихомирова, В.В. Шерстнев. ФТП, 26, 1612 (1992)
  2. А.Н. Баранов, Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.А. Сиповская, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 27, 421 (1993)
  3. Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, М.А. Сиповская, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 25, 421 (1991)
  4. Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, К.Д. Моисеев, Н.А. Прокофьева, Т.Б. Попова, М.А. Сиповская, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 25, 1639 (1991)
  5. Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, К.Д. Моисеев, М.А. Сиповская, И.Н. Тимченко, Ю.П. Яковлев. ФТП, 27, 1777 (1993)
  6. А.Н. Баранов, А.А. Гореленок, А.М. Литвак, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ЖНХ, 37, 448 (1992)
  7. А.Н. Баранов, А.Н. Дахно, Б.Е. Джуртанов, Т.С. Лагунова, М.А. Сиповская, Ю.П. Яковлев. ФТП, 24, 98 (1990)
  8. А.Н. Баранов, Т.И. Воронина, А.Н. Дахно, Б.Е. Джуртанов, Т.С. Лагунова, М.А. Сиповская, Ю.П. Яковлев. ФТП, 24, 1072 (1990)
  9. Т.И. Воронина, Б.Е. Джуртанов, Т.С. Лагунова, Ю.П. Яковлев. ФТП, 28, 2001 (1994)
  10. J.C. De Winter, M.A. Pollack, A.K. Strivastava, J.L. Zyskind. J. Electron. Mater., 4, 729 (1985)
  11. М.А. Афраилов, А.Н. Баранов, А.П. Дмитриев, М.П. Михайлова, Ю.П. Сморчкова, И.Н. Тимченко, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев, И.Н. Яссиевич. ФТП, 24, 1397 (1990)
  12. А.Н. Баранов, Б.Е. Джуртанов, А.М. Литвак, Н.А. Чариков, А.Г. Чернявский, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ЖНХ. 35, 3008 (1990)
  13. E.P. Gertner, D.T. Cheung, A.N. Andrews, J.T. Longo. J. Electron. Mater., 6, 163 (1977)
  14. T. Fukui, J. Horikoshi. J. Appl. Phys., 20, 587 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme