Исследовались поляризационные спектры фотолюминесценции нитрида галлия. Из анализа спектров следует, что неоднородное уширение линии излучения, имеющей значение полуширины больше 20 мэВ, может определяться дисперсией углов theta_c осей симметрии различных кристаллитов, образующих эпитаксиальный слой GaN, по отношению к поверхности слоя. Вариация угла падения и фокусировки возбуждающего лазерного пучка, а также угла регистрации фотолюминесценции позволяет использовать поляризационные измерения фотолюминесценции для прецизионной диагностики качества слоев GaN.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.