"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Перезарядка центров с глубокими уровнями и отрицательная остаточная фотопроводимость в селективно легированных гетероструктурах AlGaAs / GaAs
Борисов В.И.1, Сабликов В.А.1, Борисова И.В.1, Чмиль А.И.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 14 августа 1997 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1998 г.

Исследована кинетика релаксации фотопроводимости селективно легированных гетероструктур AlGaAs / GaAs, связанная с перезарядкой структурных дефектов с глубокими уровнями (EL2- и DX-центров). Установлено, что фотоиндуцированная перезарядка глубоких центров приводит к накоплению на них как положительного, так и отрицательного зарядов и таким образом вызывает положительную и отрицательную остаточную фотопроводимость. Положительные и отрицательные заряды накапливаются в разных частях гетероструктуры и характеризуются разными временами релаксации, по-разному зависящими от температуры. С этим связан немонотонный характер релаксации остаточной фотопроводимости и немонотонные температурные зависимости. Выяснено, что презарядка EL2-центров приводит к отрицательной остаточной фотопроводимости в области температур 180/300 K. При температурах ниже 180 K наблюдается отрицательная фотопроводимость, связанная с возбужденными состояниями DX-центров.
  1. T. Hariu, T. Sato, H. Komori, K. Matsushita. J. Appl. Phys., 61, 1068 (1987)
  2. A. Kitagawa, A. Usami, T. Wada, Yu. Tokuda, H. Kano. J. Appl. Phys., 61, 1215 (1987)
  3. P.M. Mooney, T.N. Theis. Comm. Cond. Matt. Phys., 16, 167 (1992)
  4. M.J. Chou, D.C. Tsui, G. Weimann. Appl. Phys. Lett., 47, 609 (1985)
  5. H. Peterson, H.J. Grimmeiss, A.L. Powell, C.C. Button, J.S. Roberts, P.I. Rockett. J. Appl. Phys., 74, 5596 (1993)
  6. A.J. Shields, J.L. Osborne, M.J. Simmons, D.A. Ritchie, M. Pepper. Semicond. Sci. Technol., 4, 890 (1996)
  7. P. Silverberg, P. Oming, L. Samuelson. Appl. Phys. Lett., 52, 1689 (1988)
  8. М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир, 1991). [Пер. с англ.: M. Shur. GaAs Devices and Circuits (N. Y.--London, Plenum Press, 1987)]
  9. J.S. Blakemore. J. Phys. Chem. Sol., 49, 627 (1988)
  10. L. Dobaczewski, P. Kaczor. Phys. Rev. Lett., 66, 68 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.