"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Проводимость тонких нанокристаллических пленок кремния
Голубев В.Г.1, Морозова Л.Е.1, Певцов А.Б.1, Феоктистов Н.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 мая 1998 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1998 г.

Показано, что тонкие (200--250 Angstrem) гидрогенизированные нанокристаллические пленки кремния обладают низкой продольной проводимостью, сравнимой с проводимостью нелегированного аморфного кремния, и высокой поперечной проводимостью. Такие пленки могут быть использованы в качестве легированных слоев при создании барьерных структур с малым поверхностным растеканием тока. Установлено, что проводимость пленок уменьшается на 8--10 порядков в направлении вдоль слоя при изменении толщины от 1500 до 200 Angstrem. Наблюдаемые зависимости проводимости от толщины интерпретированы в рамках теории протекания разрушением перколяционного кластера из нанокристаллитов при уменьшении толщины слоя.
  1. Аморфные полупроводники и приборы на их основе, под. ред. Й. Хамакавы (М., Металлургия, 1986)
  2. N.I. Ivanova, N.A. Feoktistov, A.N. Chaika, A.P. Onokhov, A.B. Pevtsov. Mol. Cryst. Liq. Cryst., 282, 315 (1996)
  3. G.Y. Hu, R.F. O'Connel, Y.L. He, M.B. Yu. J. Appl. Phys., 78, 3945 (1995)
  4. T. Hamasaki, H. Kurata, M. Hirose, Y. Osaka. Appl. Phys. Lett., 37, 1084 (1980)
  5. X. Liu, S. Tong, L. Wang, G. Chen, X. Bao. J. Appl. Phys., 78, 6143 (1995)
  6. A.B. Pevtsov, V.Yu. Davydov, N.A. Feoktistov, V.G. Karpov. Phys. Rev. B, 52, 955 (1995)
  7. В.Г. Голубев, В.Ю. Давыдов, А.В. Медведев, А.Б. Певцов, Н.А. Феоктистов. ФТТ, 39, 1348 (1997)
  8. R. Tsu, J. Gonsalez-Hernandez, S.S. Chao, S.C. Lee, K. Tanaka. Appl. Phys. Lett., 40, 534 (1982)
  9. Дж. Займан. Модели беспорядка (М., Мир, 1982)
  10. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979) гл. 9, с. 276

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.