Growth of III--N materials and devices by metalorganic chemical vapor deposition
Dupuis R.D.1, Grudowski P.A.1, Eiting C.J.1,2, Park J.1
1The University of Texas at Austin, Microelectronics Research Center PRC/MER 1.606D--R Austin TX USA
2The Air Force Research Laboratory, Materials and Manufacturing Directorate, WPAFB OH USA
Поступила в редакцию: 1 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1999 г.
The characteristics of III-V nitride semiconductor epitaxial layers grown by metalorganic chemical vapor deposition are of interest for the realization of many technologically important devices. This paper will review heteroepitaxial growth on (0001) sapphire substrates as well as the selective-area and subsequent lateral epitaxial overgrowth on masked substrate surfaces.
- I. Akasaki. H. Amano, Y. Koide, K. Hiramatsu, N. Sawaki. J. Cryst. Growth, 98, 209 (1989)
- I. Akasaki, H. Amano. J. Electrochem. Soc., 141, 2266 (1994)
- S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama. Japan. J. Appl. Phys., 34, L797 (1995)
- S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto. Japan. J. Appl. Phys., 35, L74 (1996)
- S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimito. Japan. J. Appl. Phys., 35, L217 (1996)
- S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, H. Kiyoku. Appl. Phys., Lett., 70, 1417 (1997)
- I. Akasaki, H. Amano, S.Sota, H. Sakai, T. Tanaka, M. Koike. Japan, J. Appl. Phys., 34, L1517 (1995)
- K. Itaya, M. Onomura, J. Nishio, L. Sugiura, S. Saito, M. Suzuki, J. Rennie, S. Nunoue, M. Yamamoto, H. Fujimoto, Y. Kokubun, Y. Ohba, G. Hatakoshi, M. Ishikawa. Japan, J. Appl. Phys., 35, L1315 (1996)
- G.E. Bulman, K. Doverspike, S.T. Sheppard, T.W. Weeks, M. Leonard, H.S. Kong, H. Dieringer, C. Carter, J. Edmond, J.D. Brown, J.T. Swindell, J.F. Schetzina, Y.-K. Song, M. Kuball, A. Nurmikko. Device Research Conference and Electronic Materials Conference (Ft. Collins, Co., 1997)
- Q. Chen, M.A. Khan, C.J. Sun, J.W. Yang. Appl. Phys. Lett., 31, 1781 (1995)
- J.C. Carrano, P.A. Grudowski, C.J. Eiting, R.D. Dupuis, J.C. Campbell. Appl. Phys. Lett., 70, 1992 (1997)
- Z. Fan, S.N. Mohammad, O. Aktas, A.E. Botchkarev, A. Salvador, H. Morkoc. Appl. Phys. Lett., 69, 1229 (1996)
- S. Yoshida, S. Misawa, S. Gonda. J. Appl. Phys., 63, 6844 (1982)
- B.D. Joyce, J.A. Bradkey. Nature, 195, 458 (1962)
- See A.D. Morrison, T. Daud. US Patent No. 04522661, for a discussion of the application of SALEO to the growth of high-purity semiconductors
- R.F. Davis. Gordon Conf. Electronic Materials: Chemistry, Excitations, and Processing (Henniker, New Hampshire, 1997) (invited paper, unpublished)
- O.H. Nam, M.D. Bremser, T.S. Zheleva, R.F.Davis. Appl. Phys. Lett., 71, 2638 (1997)
- T.S. Zheleva, O.H. Nam, M.D. Bremser, R.F. Davis. Appl. Phys. Lett., 71, 2472 (1997)
- S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, K. Chocho. Appl. Phys. Lett., 72, 211 (1998)
- S. Nakamura. The 24th International Symposium on Compound Semiconductors (San Diego CA, 1997) paper plenary 1
- J. Park, P.A. Grudowski, C.J. Eiting, R.D. Dupuis. Appl. Phys. Lett., 73, 333 (1998)
- J. Park, P.A. Grudowski, C.J. Eiting, R.D. Dupuis, Z. Liliental-Weber (unpublished)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
