"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
High density 2DEG in AIIIBV-semiconductor heterostructures and high electron mobility transistors on their basis
Mokerov V.G.1, Fedorov Yu.V.1, Hook A.V.1
1Institute of Radio Engineering and Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia
Поступила в редакцию: 1 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1999 г.

Situation in high electron mobility transistor (HEMT) technology is discussed. Nowadays N-AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMT's are considered as most advanced for mm-wave monolithic circuits, but metamorphic N-InxAl1-xAs/InyGa1-yAs/InxAl1-xAs HEMT's grown on GaAs substrates are very promising for the future high frequency devices. High density 2DEG in HEMT's is analysed by means of Hall effect and photoluminescence measurements. Processing technology of the sub-0.25 mum pseudomorphic HEMT's, metamorphic HEMT's and their characteristics are also described.
  1. L.D. Nguyen, P.J. Tasker, D.C. Radulescu, L.F. Eastman. IEEE Trans. El. Dev., 36, 2243 (1989)
  2. L.D. Nguyen, L.E. Larson, U.K. Mishra. Proc. IEEE, 80, 491 (1992)
  3. P. Win, Y. Druelle, A. Cappy. Appl. Phys. Lett., 61, 922 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.