Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Гетероэпитаксиальный рост InAs на Si: новый тип квантовых точек

Цырлин Г.Э.¹, Петров В.Н.¹, Дубровский В.Г.¹, Самсоненко Ю.Б.¹, Поляков Н.К.¹, Голубок А.О.¹, Масалов С.А.¹, Комяк Н.И.¹, Устинов В.М.², Егоров А.Ю.², Ковш А.Р.², Максимов М.В.², Цацульников А.Ф.², Воловик Б.В.², Жуков А.Е.², Копьев П.С.², Леденцов Н.Н.², Алферов Ж.И.², Бимберг Д.³

¹Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Institute for Analytical Instrumentation of the Russian Academy of Sciences, Saint Petersburg, Russia

Institute for Analytical Instrumentation of the Russian Academy of Sciences, Saint Petersburg, Russia

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

³Технический университет, Берлин, Германия

Поступила в редакцию: 1 марта 1999 г.

Выставление онлайн: 20 августа 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты по исследованию механизма гетероэпитаксиального роста в системе InAs/Si методами дифракции быстрых электронов на отражение, сканирующей туннельной микроскопии и фотолюминесценции. Показано, что при определенных условиях роста нанообъекты InAs образуются на поверхности Si непосредственно в процессе роста при молекулярно-пучковой эпитаксии. Определен диапазон температур подложки, приводящих к формированию наноразмерных островков. Квантовые точки InAs, выращенные на буферном слое Si и заращенные сверху слоем кремния толщиной 50 нм, привели к появлению в спектрах фотолюминесценции линии на длине волны 1.3 мкм при 77 K и 1.6 мкм при 300 K.

N.N. Ledentsov. Prog. 23th Int. Conf. Phys. Semiconductors (Berlin, 1996), ed. by M. Scheffler and R. Zimmermann (World Scientific, Singapoure, 1996) v. 1, p. 19
Г.Э. Цирлин, В.Н. Петров, В.Г. Дубровский, С.А. Масалов, А.О. Голобок, Н.И. Комяк, Н.Н. Леденцов, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг. Письма ЖТФ, 24 (8), 10 (1998)
A. Ishisaka, Y. Shiraki. J. Electrochem. Soc., 133, 666 (1986)
Г.М. Гурьянов, В.Н. Демидов, Н.П. Корнеева, В.Н. Петров, Ю.Б. Самсоненко, Г.Э. Цырлин. ЖТФ, 67 (8), 111 (1997)
G.E. Cirlin, G.M. Guryanov, A.O. Golubok, S.Ya. Tipissev, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, M. Grundmann, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 67, 97 (1995)
А.О. Голубок, С.А. Масалов, Н.Б. Пономарева, В.Н. Петров, С.Я. Типисев, Г.Э. Цырлин. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, вып. 2, 70 (1998)
A.Yu. Egorov, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, M.V. Maksimov, G.E. Cirlin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, P. Werner, Zh.I. Alferov. J. Cryst. Growth (in press)
F. Hatami, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, F. Heinrichsdorff, D. Bimberg, S.S. Ruvimov, P. Werner, O. Gosele, J. Heydenreich, U. Richter, S.V. Ivanov, B.Ya. Meltser, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Appl. Phys. Lett., 67, 656 (1995)
A.F. Tsatsul'nikov, A.Yu. Egorov, P.S. Kop'ev, A.R. Kovsh, M.V. Maximov, V.M. Ustinov, B.V. Volivik, A.E. Zhukov, Zh.I. Alferov, G.E. Cirlin, A.O. Golubok, S.A. Masalov, V.N. Pertov, N.N. Ledentsov, R. Heitz, M. Grundmann, D. Bimberg, I.P. Soshnikov, P. Werner, U. Gosele et al. Proc. 24th Int. Conf. Phys. Semiconductors (Jerusalem, 1998) (World Scientific, Singapoure, 1998) (in press)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель