Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электрические и люминесцентные свойства монокристаллов GaAs--A^IIB^IVC^V₂

Полушина И.К.¹, Рудь В.Ю.², Рудь Ю.В.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия

Поступила в редакцию: 27 октября 1998 г.

Выставление онлайн: 20 мая 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом кристаллизации из разбавленных галлиевых растворов-расплавов выращены монокристаллы GaAs-A^IIB^IVAs₂. Исследованы электрические и люминесцентные свойства полученных кристаллов. Показано, что реализованный технологический процесс сопровождается обычным легированием арсенида галлия и позволяет выращивать монокристаллы арсенида галлия, оптоэлектронные свойства которых контролируются вводимым в раствор-расплав соединением A^IIB^IVAs₂.

Н.А. Горюнова. Автореф. канд. дис. (Л., ФТИ АН СССР, 1950)
Ж.И. Алферов, Б.В. Царенков. ФТП, 19, 2113 (1985)
Н.А. Горюнова. Сложные алмазоподобные полупроводниковые соединения элементов III и V групп (М., Мир, 1967)
Н.А. Горюнова, Н.М. Федорова. ЖТФ, 25, 1339 (1955)
Полупроводники A^IIB^IVC₂^V. Под ред. Н.А. Горюновой, Ю.А. Валова (М., Сов. радио, 1974)
Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник (М., Наука, 1978)
K. Хилсум, А. Роуз-Инс. Полупроводники A^IIIB^V (М., ИИЛ, 1963)
О. Маделунг. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп (М., Мир, 1967)
M.C. Ohmer, R. Pandey. MRS Bulletin, 23, 16 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель