"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фотоионизация короткодействующих акцепторных состояний в одноосно деформированных полупроводниках
Абрамов А.А.1, Васько Ф.Т.2, Тулупенко В.Н.1, Фирсов Д.А.3
1Донбасская государственная машиностроительная академия, Краматорск, Украина
2Институт физики полупроводников, Киев, Украина
3Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1999 г.

Проведен расчет сечения фотоионизации (коэффициента поглощения) дырок, локализованных на глубоких центрах с короткодействующим потенциалом, при их переходах в валентную зону одноосно-деформированного полупроводника типа Ge. За счет расщепления акцепторного уровня и экстремума дырочных подзон порог фотоионизации также расщепляется --- возникают четыре типа таких переходов. С ростом температуры происходит изменение населенности расщепленных примесных состояний и вкладов каждого из типов переходов в коэффициент поглощения. Поскольку деформация нарушает сферическую симметрию задачи, появляется также заметная поляризационная зависимость коэффициента поглощения. Расчет базируется на общей квантово-механической формуле с матричным элементом перехода, использующим волновую функцию примесного центра при деформации.
  1. И.В. Алтухов, М.С. Каган, В.П. Синис. Письма ЖЭТФ, 47, 133 (1988)
  2. Матер. Всеросс. совещ. " Наноструктуры на основе кремния и германия" (Нижний Новгород, Институт физики микроструктур РАН, 1998)
  3. G. Lucovsky. Sol. St. Commun., 3, 299 (1965)
  4. Н.М. Колчанова, И.Д. Логинова, И.Н. Яссиевич. ФТТ, 6, 1650 (1983)
  5. M.V. Strikha, F.T. Vasko. Phys. St. Sol. (b), 181, 447 (1994)
  6. Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
  7. F.H. Pollak. Semicond. Semimet., 32, 17 (1990)
  8. E.V. Bakhanova, F.T. Vasko. Phys. St. Sol. (b), 182, 97 (1994)
  9. В.Ф. Мастеров. ФТП, 18, 3 (1984)
  10. Е.В. Баханова, Ф.Т. Васько. ФТТ, 32, 86 (1990)
  11. М.А. Одноблюдов, А.А. Пахомов, В.М. Чистяков, И.Н. Яссиевич. ФТП, 31, 1180 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.