Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Радиационно-термическая активация кремния, имплантированного в арсенид галлия

Ардышев В.М.¹, Суржиков А.П.¹

¹Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия Tomsk Polytechnic University, Tomsk, Russia

Поступила в редакцию: 19 октября 1998 г.

Выставление онлайн: 20 мая 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы слоевая концентрация, концентрационный профиль и подвижность электронов в легированных ионами ²⁸Si слоях полуизолирующего GaAs после радиационного отжига с энергией электронов выше и ниже порога образования дефектов и после термического отжига в диапазоне температур T_a=590/830^oC. Показано, что при энергии радиационного отжига выше порога образования дефектов формируются ионно-легированные слои при существенно меньших температурах отжига, они имеют высокую степень электрической активации кремния и малую концентрацию дефектов, ограничивающих подвижность электронов.

А.В. Черняев. Метод ионной имплантации в технологии приборов и интегральных схем на арсениде галлия (М., Радио и связь, 1980)
А.В. Двуреченский, Б.П. Кашников, Л.С. Смирнов. ФТП, 14, 1837 (1980)
В.М. Ардышев, М.В. Ардышев. ФТП, 32, 1153 (1998)
В.М. Ардышев, В.В. Пешев, А.П. Суржиков. А. с. N 1554670
Ю.Е. Крейндель, Н.И. Лебедева, В.Я. Мартенс, Г.А. Месяц, Д.И. Проскуровская. Письма ЖТФ, 8, вып. 23, 1465 (1982)
S. Hilsum. Electron. Lett., 10, N 10, 259 (1974)
Полевые транзисторы на арсениде галлия [Пер. с англ. под ред. Г.В. Петрова] (М., Радио и связь, 1988)
В.М. Ардышев, В.В. Пешев, А.П. Суржиков. ФХОМ, N 4 (в печати) (1998)
Д. Ланг. В кн.: Точечные дефекты в твердых телах [Пер. с англ. под ред. Б.И. Болтакса и др.] (М., Мир, 1979) с. 187
Б.М. Горюнов, Е.И. Зорин, П.В. Павлов и др. В сб.: Арсенид галлия (Томск, ТГУ, 1974) вып. 4, с. 102
МОП--СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов, под ред. П. Антонетти и др. [Пер. с англ. под ред. Р.А. Суриса] (М., Радио и связь, 1988)
А.В. Буренков, Ф.Ф. Комаров, М.А. Кумахов, М.М. Темкин. Таблицы параметров пространственного распределения ионно-имплантированных примесей (Минск, Изд-во Минск. ун-та, 1980)
D.H. Lee, R.M. Malbon. Appl. Phys. Lett., 30, N 7, 327 (1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель