"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фототермоакустическая и фотоэлектрическая микроскопия кремния
Бурбело Р.М.1, Кузьмич А.Г.1, Кучеров И.Я.1
1Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 11 августа 1998 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1999 г.

Методом совмещенной фототермоакустической и фотоэлектрической микроскопии исследованы структуры на основе кремния: эпитаксиально выращенная область n-типа в p-подложке; граница раздела p-p+, полученная имплантацией ионов бора; область вблизи вершины трещины. Делается вывод, что наиболее вероятной причиной визуализации областей эпитаксии тепловыми волнами являются упругие напряжения, возникающие в процессе изготовления структур. Показано, что пространственное распределение упругих напряжений, возникающих при ионной имплантации, визуализируется тепловыми волнами. В области вблизи вершины трещины тепловыми волнами и волнами электронно-дырочной плазмы диагностируются неоднородности в термоупругих и электрических свойствах протяженностью в сотни микрон. Обнаружена пространственная периодичность в изменениях термоупругих свойств вблизи вершины трещины с периодом ~ 85 мкм.
  1. A. Rosencwaig. Photoacoustics and Photoacoustic Spectroscopy (N. Y., John Wiley, 1980)
  2. A. Rosencwaig, G. Busse. Appl.Phys. Lett., 36, 725 (1980)
  3. B.C. Forget, I. Barberean, D. Furnnier, S. Tuli, A.B. Battacharyya. Appl. Phys. Lett., 69, 1107 (1996)
  4. А.Н. Васильев, В.А. Сабликов, В.В. Сандомирский. Изв. вузов. Физика, 30, вып. 6, 119 (1987)
  5. J. Opsal, A. Rosencwaig. Appl. Phys. Lett., 47, 498 (1985)
  6. Р.М. Бурбело, А.Л. Гуляев, А.Г. Кузьмич, И.Я. Кучеров. ЖТФ, 66, 121 (1996)
  7. Photoacoustic and Photothermal Phenomena. J. Progress in Natural Science, Suppl. to v. 6 (Science in China Press, Beijing, 1996)
  8. W. Kipert, H.-J. Obramski, R. Meckenstack, J. Pelzl, D. Fournier, V. Zammit. J. Progress in Natural Science, Suppl. to v. 6 (Science in China Press, Beijing, 1996) p. 524
  9. J. He, S.Y. Zhang, Z.L. Qian, Y.Y. Guo, H.B. Wang. J. Progress in Natural Science, Suppl. to v. 6 (Science in China Press, Beijing, 1996) p. 531
  10. Г.И. Булах, Р.М. Бурбело, А.Л. Гуляев, И.Я. Кучеров. ФТП, 24, 926 (1990)
  11. В.Г. Литовченко, А.П. Горбань. Основы физики микроэлектронных систем металл--диэлектрик--полупроводник (Киев, Наук. думка. 1978) с. 316
  12. Г. Матаре. Электроника дефектов в полупроводниках (М., Мир, 1974) с. 463
  13. P. Zavmsil, V. Winter, F. Cembal, M. Servidori, Z. Sovrek. Phys. St. Sol. (a), 100, 95 (1987)
  14. R.M. Burbelo, M.K. Zhabitenko. J. Progress in Natural Science, Suppl. to v. 6 (Science in China Press, Beijing, 1996) p. 720
  15. W. Jackson, N.M. Amer. J. Appl. Phys., 51, 3343 (1980)
  16. В.А. Калитенко, И.Я. Кучеров, В.М. Перга, В.А. Тхорик. ФТТ, 30, 3677 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.