"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Оптическая активность Yb в GaAs и низкоразмерных структурах на основе GaAs/GaAlAs
Гиппиус А.А.1, Коннов В.М.1, Дравин В.А.1, Лойко Н.Н.1, Казаков И.П.1, Ушаков В.В.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 15 декабря 1998 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1999 г.

Показано, что оптическая активация Yb в GaAs и низкоразмерных структурах на основе GaAs/GaAlAs может быть достигнута путем формирования трехкомпонентных (Yb + S/Se/Te + O) центров люминесценции на базе иона Yb3+. Обнаружена корреляция характеристик таких центров с параметрами соактиваторов-халькогенов. Показано, что кислород играет определяющую роль в процессе передачи энергии электронно-дырочных пар центрам люминесценции.
  1. A. Kozanecki, R. Gratzschel. J. Appl. Phys., 68, 517 (1990)
  2. V.M. Konnov, T.V. Larikova, N.N. Loyko, V.A. Dravin, V.V. Ushakov, A.A. Gippius. Sol. St. Commun., 96, 839 (1995)
  3. V.M. Konnov, T.V. Larikova, N.N. Loyko, V.A. Dravin, V.V. Ushakov, A.A. Gippius. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 422, 187 (1996)
  4. A.A. Gippius, V.M. Konnov, N.N. Loyko, V.V. Ushakov, I.P. Kazakov, V.A. Dravin, N.N. Sobolev. Mater. Sci. Forum, 258--263, 917 (1997)
  5. Н.Н. Лойко, В.М. Коннов, Т.В. Ларикова. Кр. сообщ. по физике ФИАН, N 9--10, 48 (1996)
  6. В.М. Коннов, В.А. Дравин, Н.Н. Лойко, И.П. Казаков, А.А. Гиппиус. Кр. сообщ. по физике ФИАН (в печати)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.