Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Положение уровня ферми на поверхности арсенида индия, обработанной в парах серы

Безрядин Н.Н.¹, Татохин Е.А.¹, Арсентьев И.Н.², Буданов А.В.¹, Линник А.В.¹

¹Воронежская государственная технологическая академия, Воронеж, Россия
²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 8 апреля 1999 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изучены особенности кинетики формирования слоев In₂S₃ на подложках из арсенида индия методом гетеровалентного замещения. Выделены и определены энергии активации двух ступеней этого процесса. Из исследования термодинамической работы выхода методом зонда Кельвина зарегистрировано изменение положения уровня Ферми на поверхности InAs после обработки ее в парах серы.

В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев. ФТП, 32(11), 1281 (1998)
Б.С. Сысоев, В.Д. Стрыгин, Е.И. Чурсина, Г.И. Котов. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 27(8), 1583 (1991)
Б.И. Сысоев, Н.Н. Безрядин, А.В. Буданов, Ю.К. Шлык. Микроэлектроника, 19(6), 591 (1990)
Б.И. Сысоев, Н.Н. Безрядин, А.В. Буданов, Т.В. Прокопова, Б.Л. Агапов. Неорг. Матер., 31(7), 891 (1995)
С.А. Титов, В.Д. Линник, Б.И. Сысоев. ПТЭ, N 4, 125 (1994)
П. Барре. Кинетика гетерогенных процессов (М., Мир, 1976)
Б.Ф. Ормонт. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников (М., Высш. шк., 1973)
Н.Х. Абрикосов, В.Ф. Банкина, Л.В. Порецкая, Е.В. Скуднова, С.Н. Чижевская. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе. (М., Наука, 1975)
H.U. Baier, L. Koenders, W. Monch. Sol. St. Commun., 58(5), 327, (1986)
И.Ю. Бутусов, В.В. Крячко, И.Е. Лобов, В.В. Котов. Электронная промышленность, N 4--5, 111 (1994)
Б.И. Сысоев, В.Ф. Сыноров. ФТП, 6(10), 1856 (1972)
В.Е. Лашкарев. Изв. АН СССР. Сер физ., 16(2), 203 (1952)
W.E. Spicer, J. Lindau, P. Pianetta, P.W. Chye, C.M. Garner. Thin Sol. Films, 56, 1 (1979)
Б.И. Сысоев, Н.Н. Безрядин, Г.И. Котов, Б.Л. Агапов, В.Д. Стрыгин. ФТП, 29(1), 24 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель