Вышедшие номера
Положение уровня ферми на поверхности арсенида индия, обработанной в парах серы
Безрядин Н.Н.1, Татохин Е.А.1, Арсентьев И.Н.2, Буданов А.В.1, Линник А.В.1
1Воронежская государственная технологическая академия, Воронеж, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 8 апреля 1999 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1999 г.

Изучены особенности кинетики формирования слоев In2S3 на подложках из арсенида индия методом гетеровалентного замещения. Выделены и определены энергии активации двух ступеней этого процесса. Из исследования термодинамической работы выхода методом зонда Кельвина зарегистрировано изменение положения уровня Ферми на поверхности InAs после обработки ее в парах серы.