"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование планарно-легированных структур на основе арсенида галлия для сверхвысокочастотных диодов с объемным потенциальным барьером
Малеев Н.А.1, Волков В.В.2, Егоров А.Ю.1, Жуков А.Е.1, Ковш А.Р.1, Кокорев М.Ф.3, Устинов В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ЗАО "Светлана-Электронприбор", Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1999 г.

Диоды с планарно-легированным потенциальным барьером --- приборы с переносом заряда основными носителями, для которых возможно управление высотой потенциального барьера и формой вольт-амперных характеристик за счет определенного сочетания слоев при выращивании эпитаксиальных структур. Эти приборы выступают в качестве потенциальной замены диодов с барьером Шоттки для ряда сверхвысокочастотных применений. В настоящей работе мы исследуем некоторые типичные проблемы, возникающие при выращивании структур с планарно-легированным потенциальным барьером методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Предлагается технология получения структур, основанная на сочетании газофазной эпитаксии с молекулярно-пучковой эпитаксией. Исследуются различные методы формирования омических контактов в структурах с планарно-легированным потенциальным барьером. Разработана технология, обеспечивающая малые контактные сопротивления (<6·10-7 Ом·см2) и высокий процент выхода годных диодов (>95%). Изготовленные сверхвысокочастотные диоды с планарно-легированным потенциальным барьером сопоставляются с диодами Шоттки на основе арсенида галлия.
  1. R.J. Malik, R.T. Aucoin, R.L. Ross, K. Board, C.E.C. Wood, L.F. Eastman. Electron. Lett., 16, 836 (1980)
  2. М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир, 1991)
  3. M.J. Kearney, I. Dale. GEC J. Res., 8, 1 (1990)
  4. B.L. Sharma, S.C. Gupta. Sol. St. Technol., 23, 90 (1980)
  5. В.Г. Божков, В.В. Вилисова, К.И. Куракан, О.Ю. Малаховский, Т.М. Табакеева. Электронная промышленность, N 9, 82 (1993)
  6. P. Marsh, D. Pavlidis, K. Hong. IEEE Trans. Electron. Dev., 44, 7 (1997)
  7. J. Dale, A. Condie, S. Neylon, M.J. Kearney. IEEE MTT-S Digest. (1989) p. 467
  8. S. Hutchinson, M. Carr, R. Gwilliam, M.J. Kelly, B.J. Sealy. Electron. Lett., 31, 583 (1995)
  9. V.V. Tuyen, B. Szentpali. J. Appl. Phys., 68, 2824 (1990)
  10. I. Dale, A. Condie, S. Neylon, M.J. Kearney. 19 Eurupe Microwave Conf. Proc. (1989) p. 237
  11. В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, П.С. Копьев, В.А. Красник, Н.А. Малеев. Микроэлектроника, 23, 13 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.