"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Температурная зависимость квантовой эффективности кремниевых p-n-фотоприемников
Гольдберг Ю.А.1, Забродский В.В.1, Оболенский О.И.1, Петелина Т.В.1, Суханов В.Л.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1999 г.

Исследована температурная зависимость квантовой эффективности фотодиодов на основе кремниевых p-n-структур в области энергий фотонов 1.1-5.2 эВ и интервале температур 77-300 K. Показано, что для энергий фотонов, превышающих 1.4 эВ, изменение квантовой эффективности не превосходит 0.01% на градус. Проводится сопоставление температурной зависимости фотоотклика кремниевых фотодиодов и фотодиодов на основе GaAs и GaP барьеров Шоттки.
  1. Hamamatsu Photonics Photodiodes Catalog, 1995
  2. Е.И. Иванов, Л.Б. Лопатина, В.Л. Суханов, В.В. Тучкевич, Н.Н. Шмидт. ФТП, 15, 1343 (1981)
  3. Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, О.И. Оболенский, Е.А. Поссе, Б.В. Царенков. ФТП, 31, 563 (1997)
  4. Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, Е.А. Поссе, Б.В. Царенков. ФТП, 29, 215 (1995)
  5. H.R. Philipp, E.A. Taft. Phys. Rev., 99, 1151 (1955)
  6. D. Redfield. Phys. Appl. Lett., 35, 182 (1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.