"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрические и фотоэлектрические характеристики диодных структур n-Si/пористый кремний/Pd и влияние на них газообразного водорода
Слободчиков С.В.1, Горячев Д.Н.1, Салихов Х.М.1, Сресели О.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 июня 1998 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1999 г.

Исследованы вольт-амперные характеристики и фотоэдс диодных структур Pd/por-Si/n-Si в интервале температур 106-300 K. Прямая ветвь вольт-амперной характеристики при комнатной температуре экспоненциальна с коэффициентом неидеальности n>~= 12. При низкой температуре и высоком уровне инжекции зависимость тока от напряжения носит степенной характер с показателем степени, равным 4.1. Обнаружено усиление фототока при увеличении обратного смещения; коэффициент усиления достигал значения 103 при смещении более 10 В и при 106 K. Сделан вывод о преобладании механизма двойной инжекции носителей заряда в процессе переноса тока через пористый слой. При воздействии газообразного водорода фотоэдс уменьшается по величине на 3, а темновые токи - на 1 порядок. Исследованные структуры характеризуются значительными релаксационными временами как нарастания токов, так и восстановления токов и фотоэдс - после воздействия водорода. Влияние водорода на фотоэлектрические характеристики связывается с образованием дополнительного дипольного слоя на границе Pd/por-Si, понижающего барьер Шоттки.
  1. Г.Г. Ковалевская, М.М. Мередов, Е.В. Руссу, Х.М. Салихов, С.В. Слободчиков. ЖТФ, 63, вып. 2, 185 (1993)
  2. H. Shi, Y. Zheng, Y. Wang, R. Yuan. Appl. Phys. Lett., 63, 770 (1993)
  3. N. Koshida, H. Koyama. Appl. Phys. Lett., 60, 347 (1992)
  4. L. Pavesi, M. Ceschini, G. Mariotto, E. Zanghellini, O. Bisi, M. Anderie, L. Calliari, M. Fedrizzi, L. Fedrizzi. J. Appl. Phys., 75, 1118 (1994)
  5. Э.И. Адирович, П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. Токи двойной инжекции в полупроводниках (М., Наука, 1978)
  6. Л.В. Беляков, Д.Н. Горячев, О.М. Сресели, И.Д. Ярошецкий. ФТП, 27, 1371 (1993)
  7. C. Peng, K.D. Hirschman, P.M. Fauchet. J. Appl. Phys., 80, 295 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.