Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности электронных свойств и структуры пленок a-Si : H с повышенной фоточувствительностью
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 11 августа 1998 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1999 г.
Исследованы температурные зависимости фотопроводимости, параметр Урбаха, оптические модуляционные спектры и рамановские спектры с целью выяснения причины повышения фоточувствительности пленок a-Si : H. Показано, что эти пленки сочетают низкую плотность дефектов с существованием глубоких дырочных ловушек. Эти факторы приводят к возрастанию величины sigmaph при T=300 K по сравнению с sigmaph "стандартного" a-Si : H при Delta E=const.
- О.А. Голикова, М.М. Казанин. ФТП, 32 (в печати) (1998)
- P. Roca i Cabarrocas, S. Hamma, P. St'ahel, C. Longeaud, J.P. Kleider, R. Meaudre, M. Meaudre. Proc. EPSEC-14 (Barselona, July 1997) P. 5A20
- Dersch, L. Schweitzer, J. Stuke. Phys. Rev. B, 28, 4678 (1983)
- А. Роуз. Основы теории фотопроводимости (М., Мир, 1966)
- О.А. Голикова, В.Х. Кудоярова. ФТП, 29, 1128 (1995)
- G.J. Adriaenssens, О.А. Голикова, W. Grevendonk. ФТП, 32, 123 (1998)
- T. Okada, T. Twaki, K. Yamomoto, H. Kashara, K. Abe. Sol. St. Commun., 49, 809 (1984)
- M. Azuma, T. Yukoi, I. Shimizu. Abstracts of ICAS-16 (Kobe, Sept. 1995) Mo-B03-2
- J. Stuke. J. Non-Cryst. Sol., 97/98, 1 (1987)
- D. Ruff, H. Mell, L. Tolf, G. Huhn, I. Silber, W. Fuhs. Abstracts ICAMS-17 (Budapest, Aug, 1997) ThP113/4
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
