"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности электронных свойств и структуры пленок a-Si : H с повышенной фоточувствительностью
Голикова О.А.1, Казанин М.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 августа 1998 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1999 г.

Исследованы температурные зависимости фотопроводимости, параметр Урбаха, оптические модуляционные спектры и рамановские спектры с целью выяснения причины повышения фоточувствительности пленок a-Si : H. Показано, что эти пленки сочетают низкую плотность дефектов с существованием глубоких дырочных ловушек. Эти факторы приводят к возрастанию величины sigmaph при T=300 K по сравнению с sigmaph "стандартного" a-Si : H при Delta E=const.
  1. О.А. Голикова, М.М. Казанин. ФТП, 32 (в печати) (1998)
  2. P. Roca i Cabarrocas, S. Hamma, P. St'ahel, C. Longeaud, J.P. Kleider, R. Meaudre, M. Meaudre. Proc. EPSEC-14 (Barselona, July 1997) P. 5A20
  3. Dersch, L. Schweitzer, J. Stuke. Phys. Rev. B, 28, 4678 (1983)
  4. А. Роуз. Основы теории фотопроводимости (М., Мир, 1966)
  5. О.А. Голикова, В.Х. Кудоярова. ФТП, 29, 1128 (1995)
  6. G.J. Adriaenssens, О.А. Голикова, W. Grevendonk. ФТП, 32, 123 (1998)
  7. T. Okada, T. Twaki, K. Yamomoto, H. Kashara, K. Abe. Sol. St. Commun., 49, 809 (1984)
  8. M. Azuma, T. Yukoi, I. Shimizu. Abstracts of ICAS-16 (Kobe, Sept. 1995) Mo-B03-2
  9. J. Stuke. J. Non-Cryst. Sol., 97/98, 1 (1987)
  10. D. Ruff, H. Mell, L. Tolf, G. Huhn, I. Silber, W. Fuhs. Abstracts ICAMS-17 (Budapest, Aug, 1997) ThP113/4

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.