Вышедшие номера
Подавление оже-рекомбинации в диодных лазерах на основе гетеропереходов II типа InAsSb / InAsSbP и InAs / GaInAsSb
Зегря Г.Г.1, Михайлова М.П.1, Данилова Т.Н.1, Именков А.Н.1, Моисеев К.Д.1, Шерстнев В.В.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1999 г.

Cравнительное исследование температурной зависимости порогового тока, дифференциальной квантовой эффективности и поляризации света выполнено для гетероструктур I и II типа InAsSb / InAsSbP, а также для туннельно-инжекционного лазера на основе разъединенного гетероперехода II типа GaInAsSb / InGaAsSb. Получено экспериментальное доказательство подавления безызлучательной оже-рекомбинации в лазерах InAsSb / InAsSbP II типа с большим отношением разрывов зон на гетерогранице Delta Ev/Delta Ec=3.4. Ослабление температурной зависимости порогового тока установлено для обоих видов лазеров II типа. Максимальная рабочая температура Tlim=203 и 195 K и характеристическая температура T0=40 и 47 K были достигнуты соответственно для традиционного лазера InAsSb / InAsSbP II типа и туннельно-инжекционного лазера II типа на основе p-GaInAsSb / n-InGaAsSb.