Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1999, выпуск 3 » Статья стр. 351
<<<>>>
Подавление оже-рекомбинации в диодных лазерах на основе гетеропереходов II типа InAsSb / InAsSbP и InAs / GaInAsSb
Зегря Г.Г.1, Михайлова М.П.1, Данилова Т.Н.1, Именков А.Н.1, Моисеев К.Д.1, Шерстнев В.В.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1999 г.
PDF версия
Cравнительное исследование температурной зависимости порогового тока, дифференциальной квантовой эффективности и поляризации света выполнено для гетероструктур I и II типа InAsSb / InAsSbP, а также для туннельно-инжекционного лазера на основе разъединенного гетероперехода II типа GaInAsSb / InGaAsSb. Получено экспериментальное доказательство подавления безызлучательной оже-рекомбинации в лазерах InAsSb / InAsSbP II типа с большим отношением разрывов зон на гетерогранице Delta Ev/Delta Ec=3.4. Ослабление температурной зависимости порогового тока установлено для обоих видов лазеров II типа. Максимальная рабочая температура Tlim=203 и 195 K и характеристическая температура T0=40 и 47 K были достигнуты соответственно для традиционного лазера InAsSb / InAsSbP II типа и туннельно-инжекционного лазера II типа на основе p-GaInAsSb / n-InGaAsSb.
  1. A.I. Nadezhdinski, A.M. Prokhorov. Proc. SPIE, 1724, 2 (1992)
  2. A. Popov, A. Baranov, V. Sherstnev, Yu. Yakovlev, B. Scheumann, R. Mucke, P. Werle. Progr. and Abstr. 4th Int. Symp. (Freiburg, 1994)
  3. A.N. Baranov, A.N. Imenkov, V.V. Sherstnev, Yu.P. Yakovlev. Appl. Phys. Lett. 64, 2480 (1994)
  4. M. Aidaraliev, N.V. Zotova, B.A. Matveev, N.M. Stus', G.N. Talalakin. Semicond. Sci. Technol., 2, 1575 (1993)
  5. H.K. Choi, G.W. Turner, S.J. Eglash, Z.L. Liau. Appl. Phys. Lett., 65, 2251 (1994)
  6. J.H. Zhang. Appl. Phys. Lett., 66, 118 (1995)
  7. J. Faist, F. Capasso, D.L. Sivko, C. Sirtori, A.L. Hutchinson, A.J. Cho. Science, 264, 553 (1994)
  8. Б.Л. Гельмонт, З.Н. Соколова, И.Н. Яссиевич. ФТП, 16, вып. 4, 592 (1982)
  9. G.G. Zegrya, A.D. Andreev. Appl. Phys. Lett., 67, 2681 (1995)
  10. Г.Г. Зегря, А.Д. Андреев. ЖЭТФ, 102, 615 (1996)
  11. Н.С. Аверкиев, А.Н. Баранов, А.Н. Именков, А.А. Рогачев, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 13, вып. 6, 332 (1987)
  12. К.Д. Моисеев, М.П. Михайлова, О.Г. Ершов, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 21, 83 (1995)
  13. J.R. Meyer, C.A. Hoffman, F.J. Bartoli. Appl. Phys. Lett., 67, 757 (1995)
  14. C.L. Felix, J.R. Meyer, I. Vurgaftman, C.-H. Lin, S.J. Murry, D. Zhang, S.-S. Pei. IEEE Photon. Technol. Lett., 9, 734 (1997)
  15. T. Hasenberg, R.H. Miles, A.R. Kost, L. West. IEEE J. Quant. Electron, 33, 1403 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme