Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Бистабильность электролюминесценции в двойной гетероструктуре II типа AlGaAsSb/InGaAsSb
Журтанов Б.Е.1, Моисеев К.Д.1, Михайлова М.П.1, Воронина Т.И.1, Стоянов Н.Д.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 5 августа 1998 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1999 г.
Обнаружена бистабильность электролюминесценции в гетероструктуре II типа P-AlGaAsSb/p-InGaAsSb/N-AlGaAsSb со слабо легированными ограничительными слоями и узкозонной активной областью (ширина запрещенной зоны Eg=326 мэВ при температуре T=77 K). В прямой ветви вольт-амперной характеристики наблюдалось отрицательное дифференциальное сопротивление, контролируемое током. На конечном участке отрицательного дифференциального сопротивления наблюдалась интенсивная электролюминесценция с узкой полосой (полуширина ~ 7/ 10 мэВ), при этом энергия фотона в максимуме излучения превышала на 50 мэВ ширину запрещенной зоны узкозонного материала. Этот эффект объясняется туннельной инжекцией и непрямой излучательной рекомбинацией носителей, локализованных на гетерогранице AlGaAsSb/InGaAsSb. С ростом напряжения основной вклад начинают вносить излучательные переходы в объеме активной области и максимум излучения скачком сдвигается в длинноволновую сторону. Такие туннельно-инжекционные структуры могут быть использованы для создания управляемых током высокоэффективных светоизлучающих диодов.
- A.N. Baranov, A.N. Imenkov, V.V. Sherstnev, Yu.P. Yakovlev. Appl. Phys. Lett., 64, 2480 (1994)
- М.П. Михайлова, И.А. Андреев, Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, К.Д. Моисеев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 29, 678 (1996)
- M.P. Mikhailova, K.D. Moiseev, G.G. Zegrya, Yu.P. Yakovlev. Sol. St. Electron., 40, N 8, 673 (1996)
- H.K. Choi, C.W. Turner, S.J. Eglash, Z.I. Liau. Appl. Phys. Lett., 65, 2251 (1994)
- К.Д. Моисеев, М.П. Михайлова, О.Г. Ершов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 30, 399 (1996)
- G.G. Zegrya, A.D. Ahdreev. Appl. Phys. Lett., 67, 2681 (1995)
- J.R. Meyer, C.A. Hoffman, F.J. Bartoli. Appl. Phys. Lett., 67, 757 (1995)
- M.P. Mikhailova, B.E. Zhurtanov, K.D. Moiseev, A.N. Imenkov, O.G. Ershov, Yu.P. Yakovlev. Proc. MPS Fall Meeting (1997) v. 484, p. 101
- D.H. Show, J.N. Schulman. Appl. Phys. Lett., 64, 76 (1994)
- К.Д. Моисеев, М.П. Михайлова, О.В. Андрейчук, Б.Е. Саморуков, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 23, вып. 9, 68 (1997)
- R.Q. Yang, C.-H. Lin, S.J. Murry, S.S. Pei, H.C. Liu, M. Buchanam, E. Dupont. Appl. Phys. Lett., 70, 2013 (1997)
- S.M. Cao, M. Willander, A.A. Toropov, T.V. Shubina, B.Ya. Meltzer, P.S. Kop'ev, T. Lundstrom, P.O. Holtz, J.P. Bergman, B. Monemar. Appl. Phys. Lett., 72, 347 (1998)
- Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 30, 223 (1996)
- F. Fuchs, J. Schmitz, H. Obloh, J.D. Ralsto, P. Koidl. Appl. Phys. Lett., 64, 1665 (1994)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
