Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1999, выпуск 3 » Статья стр. 357
<<<>>>
Бистабильность электролюминесценции в двойной гетероструктуре II типа AlGaAsSb/InGaAsSb
Журтанов Б.Е.1, Моисеев К.Д.1, Михайлова М.П.1, Воронина Т.И.1, Стоянов Н.Д.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 августа 1998 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1999 г.
PDF версия
Обнаружена бистабильность электролюминесценции в гетероструктуре II типа P-AlGaAsSb/p-InGaAsSb/N-AlGaAsSb со слабо легированными ограничительными слоями и узкозонной активной областью (ширина запрещенной зоны Eg=326 мэВ при температуре T=77 K). В прямой ветви вольт-амперной характеристики наблюдалось отрицательное дифференциальное сопротивление, контролируемое током. На конечном участке отрицательного дифференциального сопротивления наблюдалась интенсивная электролюминесценция с узкой полосой (полуширина ~ 7/ 10 мэВ), при этом энергия фотона в максимуме излучения превышала на 50 мэВ ширину запрещенной зоны узкозонного материала. Этот эффект объясняется туннельной инжекцией и непрямой излучательной рекомбинацией носителей, локализованных на гетерогранице AlGaAsSb/InGaAsSb. С ростом напряжения основной вклад начинают вносить излучательные переходы в объеме активной области и максимум излучения скачком сдвигается в длинноволновую сторону. Такие туннельно-инжекционные структуры могут быть использованы для создания управляемых током высокоэффективных светоизлучающих диодов.
  1. A.N. Baranov, A.N. Imenkov, V.V. Sherstnev, Yu.P. Yakovlev. Appl. Phys. Lett., 64, 2480 (1994)
  2. М.П. Михайлова, И.А. Андреев, Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, К.Д. Моисеев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 29, 678 (1996)
  3. M.P. Mikhailova, K.D. Moiseev, G.G. Zegrya, Yu.P. Yakovlev. Sol. St. Electron., 40, N 8, 673 (1996)
  4. H.K. Choi, C.W. Turner, S.J. Eglash, Z.I. Liau. Appl. Phys. Lett., 65, 2251 (1994)
  5. К.Д. Моисеев, М.П. Михайлова, О.Г. Ершов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 30, 399 (1996)
  6. G.G. Zegrya, A.D. Ahdreev. Appl. Phys. Lett., 67, 2681 (1995)
  7. J.R. Meyer, C.A. Hoffman, F.J. Bartoli. Appl. Phys. Lett., 67, 757 (1995)
  8. M.P. Mikhailova, B.E. Zhurtanov, K.D. Moiseev, A.N. Imenkov, O.G. Ershov, Yu.P. Yakovlev. Proc. MPS Fall Meeting (1997) v. 484, p. 101
  9. D.H. Show, J.N. Schulman. Appl. Phys. Lett., 64, 76 (1994)
  10. К.Д. Моисеев, М.П. Михайлова, О.В. Андрейчук, Б.Е. Саморуков, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 23, вып. 9, 68 (1997)
  11. R.Q. Yang, C.-H. Lin, S.J. Murry, S.S. Pei, H.C. Liu, M. Buchanam, E. Dupont. Appl. Phys. Lett., 70, 2013 (1997)
  12. S.M. Cao, M. Willander, A.A. Toropov, T.V. Shubina, B.Ya. Meltzer, P.S. Kop'ev, T. Lundstrom, P.O. Holtz, J.P. Bergman, B. Monemar. Appl. Phys. Lett., 72, 347 (1998)
  13. Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 30, 223 (1996)
  14. F. Fuchs, J. Schmitz, H. Obloh, J.D. Ralsto, P. Koidl. Appl. Phys. Lett., 64, 1665 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme