"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние термообработки на фотоэлектрические свойства фотоприемников на основе Si(Zn)
Астрова Е.В.1, Воронков В.Б.1, Лебедев А.А.1, Лодыгин А.Н.1, Ременюк А.Д.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 августа 1998 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1999 г.

Установлено, что в дырочном кремнии, легированном цинком в высокой концентрации (NZn~2·1016 см3), в результате термообработки в диапазоне температур 450/650oC возникают неоднородности электропроводности, которые препятствуют устойчивой работе преобразователя изображения ионизационного типа. Их формирование приводит к сильному возрастанию фотопроводимости (до 102 раз), изменению ее спектральной характеристики, возникновению долговременной релаксации фототока и остаточной проводимости, появлению токовых шнуров. Наблюдаемые явления удается объяснить в рамках модели, основанной на пространственном разделении носителей, когда рекомбинации неравновесных дырок с отрицательно заряженными центрами цинка препятствуют потенциальные барьеры, образованные этими неоднородностями. Предполагается, что неоднородности потенциала в p-Si(Zn) возникают в результате перераспределения центров цинка в кристалле с образованием включений i-типа проводимости в p-матрице.
  1. А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, 1977)
  2. N. Sclar. Infr. Phys., 17, 71 (1977)
  3. Приборы с зарядовой связью, под ред. Д.Ф. Барба (М., Мир, 1982)
  4. Ш.С. Касымов, Л.Г. Парицкий, С.М. Рывкин. Деп. ВИНИТИ, N 2693, 29 (1974)
  5. Ю.А. Астров, Ш.С. Касымов, Л.Г. Парицкий, С.М. Рывкин. Деп. ВИНИТИ, N 1032, 35 (1975)
  6. H. Willebrand, Yu. Astrov, L. Potsel, S. Teperik, T. Gauselmann. Infr. Phys. Technol., 36, 809 (1995)
  7. Ю.А. Астров. ФТП. 27, 1971 (1993)
  8. H. Bracht, N.A. Stolwijk, H. Mehrer. Phys. Rev. B, 52, 16 542 (1995)
  9. А.А. Лебедев, Е.В. Астрова. Препринт N 1165 (ФТИ им. А.Ф. Иоффе, Л., 1987)
  10. Ю.И. Завадский, Б.В. Корнилов. ФТП, 1, 1326 (1967)
  11. А.А. Лебедев, Н.А. Султанов, В. Экке. ФТП, 21, 10 (1987)
  12. А.А. Лебедев, Н.А. Султанов, В. Экке. ФТП, 21, 193 (1987)
  13. A.F. Sklensky, R.H. Bube. Phys. Rev. B, 6, 1328 (1972)
  14. S. Weiss, R. Beckmann, R. Kassing. Appl. Phys. A, 50, 151 (1990)
  15. Б.И. Болтакс, М.К. Бахадырханов, Г.С. Куликов, Э.М. Педяш. ФТП, 4, 873 (1970)
  16. C.A.J. Ammerlan, H.E. Altink. Sol. St. Phenomena, 19 \& 20, 639 (1991)
  17. R.O. Carlson. Phys. Rev., 108, 1390 (1957)
  18. N. Sclar. Sol. St. Electron., 24, 203 (1981)
  19. P. Stolz, G. Pensl, D. Gruenebaum, N. Stolwijk. Mater. Sci. Eng. B, 4, 31 (1989)
  20. P. Stolz. Ph. D. Thesis (Erlangen--Nuernberg University, 1990)
  21. С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., ФМ, 1963)
  22. A.C. Wang, L.S. Lee, C.T. Sah. Phys. Rev. B, 30, 5896 (1984)
  23. А.А. Лебедев, А.Т. Мамадалимов. ФТП, 7, 1470 (1973)
  24. М.К. Шейнкман, А.Я. Шик. ФТП, 10, 209 (1976)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.