"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Вертикальный двухколлекторный тензотранзистор с ускоряющими электрическими полями в базе и эмиттере
Бабичев Г.Г.1, Козловский С.И.1, Романов В.А.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 23 февраля 1998 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1999 г.

Теоретически исследованы характеристики биполярного вертикального двухколлекторного тензотранзистора с ускоряющими электрическими полями в базе и эмиттере. Описаны его конструкция и принцип действия, а также проведена оптимизация топологии прибора. Показано, что выходной сигнал обусловлен двумя эффектами: эффектом поперечного отклонения неравновесных носителей заряда в базе и модуляцией инжекции поперечной разностью потенциалов в эмиттере.
  1. И.И. Бойко, В.А. Романов. ФТП, 11, 817 (1977)
  2. H.P. Baltes, R.S. Popovic. Proc. IEEE, 34, 1107 (1986)
  3. Г.Г. Бабичев, В.Н. Гузь, И.П. Жадько, С.И. Козловский, В.А. Романов. ФТП, 26, 1244 (1992)
  4. С.И. Козловский. ФТП, 29, 1783 (1995)
  5. F.F. Fang, D.D. Tang. Double carrier deflection high sensitivity magnetic sensor. US Patent No 4939563 (1990)
  6. Д.Д. Иваненко, А. Соколов. Классическая теория поля (М.--Л., ГИТТЛ, 1949) с. 432
  7. И.И. Бойко, И.П. Жадько, С.И. Козловский, В.А. Романов. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., 27, 94 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.