"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Проводимость структур на основе легированных нанокристаллических пленок SnO2 c золотыми контактами
Акимов Б.А.1, Гаськов А.М.1, Лабо М.2, Подгузова С.Е.1, Румянцева М.Н.1, Рябова Л.И.1, Тадеев А.2
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Национальный политехнический институт, г. Гренобль, Франция
Поступила в редакцию: 7 апреля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 января 1999 г.

Исследована проводимость нанокристаллических пленок диоксида олова, легированных Pt, Pd, Ni, на изолирующих подложках SiO2 при температурах 77-400 K. Легирование позволило варьировать сопротивление пленок от 104 до 107 Ом. Установлено, что в отличие от контакта Au-монокристалличeский SnO2 золотые контакты для нанокристаллического материала являются омическими во всем диапазоне температур и их вклад в проводимость всех исследованных структур не превышает 5%.
  1. M.N. Rumyantseva, A.M. Gaskov, L.I. Ryabova, J.P. Senateur, B. Chenevier, M. Labeau. Mater. Sci. Eng. B, 41, 333 (1996)
  2. M.N. Rumyantseva, M. Labeau, G. Delabouglise, L. Ryabova, I. Kutsenok, A. Gaskov. J. Mater. Chem., 7, 1785 (1997)
  3. Б.А. Акимов, А.В. Албул, А.М. Гаськов, В.Ю. Ильин, М. Лабо, М.Н. Румянцева, Л.И. Рябова. ФТП, 31, 400 (1997)
  4. Б.А. Акимов, А.М. Гаськов, М. Лабо, М.М. Осипова, М.Н. Румянцева, Л.И. Рябова. Вести МГУ. Сер. 3, Физика, астрономия, 5, 60 (1996)
  5. C.G. Fonstad, R.H. Rediker. J. Appl. Phys., 42, 2911 (1971)
  6. I.B. Gautheron, M. Labeau, G. Delabouglise, U. Schmatz. Sens. Actuators B, 15--16, 357 (1993)
  7. M. Labeau, B. Gautheron, F. Cellier, M. Vallet--Regi, E. Garcia, Gonzalez Calbet. J. Sol. St. Chem., 102, 434 (1993)
  8. G.K. Reeves, H.B. Harrison. IEEE Electron Dev. Lett., 5, 111 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.