"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние температуры подложки и отжига на фотолюминесценцию эрбия на длине волны 1.54 мкм в пленках a-Si : H, полученных методом тлеющего разряда
Теруков Е.И.1, Коньков О.И.1, Кудоярова В.Х.1, Гусев О.Б.1, Вайзер Г.2, Кюне Х.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Philipps-Universitat Marburg, Marburg, Germany
Поступила в редакцию: 13 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 января 1999 г.

В пленках a-Si : H, легированных атомами Er через газовую фазу с использованием в качестве источника ионов Er порошка Er(ТМНД)3, наблюдается эффективная фотолюминесценция Er при комнатной температуре. Показано, что условия осаждения пленок и их последующий отжиг влияют на интенсивность фотолюминесценции и ее температурную зависимость. Наблюдаемое поведение объясняется изменением структуры матрицы аморфного кремния в рамках механизма оже-возбуждения с участием дефектов.
  1. Е.И. Теруков, О.И. Коньков, В.Х. Кудоярова, О.Б. Гусев, Г. Вайзер. ФТП, 32, 8 (1998).
  2. M.S. Bresler, O.B. Gusev, V.Kh. Kudoyarova, A.N. Kuznetsov, P.E. Pak, E.I. Terukov, I.N. Yassievich, B.P. Zakharchenya, W. Fuhs, A. Sturm. Appl. Phys. Lett., 67, 3599 (1995)
  3. R.A. Street. Hydrogenated Amorphous Silicon (Cambridge University Press, Cambridge, 1991)
  4. L.H. Slooff, A. Polman, M.P. Oude Wolbers, F.C.J.M. van Veggel, D.N. Reinhoudt, J.W. Hofstraat. J. Appl. Phys., 83, 497 (1998)
  5. W. Fuhs, I. Ulber, G. Weiser, M.S. Bresler, O.B. Gusev, V.Kh. Kudoyarova, A.N. Kuznetsov, E.I. Terukov, I.N. Yassievich. Phys. Rev. B, 56, 9545 (1997).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.