Транспортные свойства и фоточувствительность структур металл/пористый кремний/c-Si
Выставление онлайн: 20 января 1999 г.
Вольт-амперные характеристики, фоточувствительность и импеданс были исследованы для структур Al/пористый кремний/c-Si (p-типа) с толщиной пористого слоя 0.2/6 мкм и пористоcтью 80%. Показано, что в области обратных и небольших прямых смещений ток определяется потенциальным барьером подложки c-Si у изотипного гетероперехода <пористый кремний>/c-Si. Фоточувствительность определяется поглощением света в подложке c-Si. Потенциальный барьер контакта металл/<пористый кремний> не влияет на фоточувствительность и на вольт-амперные характеристики структур. Экспериментальные зависимости импеданса структур от приложенного постоянного смещения, толщины слоя пористого кремния и частоты хорошо согласуются с теоретическими, если использовать эквивалентную схему, включающую две последовательно соединенные параллельные RC-цепочки из сопротивления и геометрической емкости слоя пористого кремния, а также сопротивления и емкости потенциального барьера подложки c-Si.
- P.M. Fauchet. J. Lumm., 70, 294 (1996)
- J.P. Zheng, K.L. Jiao, W.P. Shen, W.A. Anderson, H.S. Kwok. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 283, 371 (1993)
- Е.В. Астрова, А.А. Лебедев, А.Д. Ременюк, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 31, 159 (1997)
- L.A. Balagurov, D.G. Yarkin, G.A. Petrovicheva, E.A. Petrova, A.F. Orlov, S. Ya. Andryushin. J. Appl. Phys., 82, 4647 (1997)
- D. Deresmes, V. Marissael, D. Stievenard, C. Ortega. Thin Sol. Films, 255, 258 (1995)
- K. Khirouni, J.C. Bourgoin, K. Borgi, H. Maaref, D. Deresmes, D. Stievenard. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 452, 619 (1997)
- M. Ben Chorin, F. Moller, F. Koch. J. Appl. Phys., 77, 4482 (1995)
- L. Pavesi. J. Microelectronics, 27, 437 (1996)
- C. Peng, K.D. Hirschman, P.M. Fauchet. J. Appl. Phys., 80, 295 (1986)
- A.G. Milnes, D.L. Feucht. Heterojunctions and metal-semiconductor junctions (Academic Press, N.Y.--London, 1972)
- Л.С. Берман. Емкостные методы исследования полупроводников (Л., Наука, 1972)
- Л.А. Балагуров, Н.Б. Смирнов, Е.А. Кожухова, А.Ф. Орлов, А.Я. Поляков. Изв. АН. Сер. физ., 58, 78 (1994)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук