"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Транспортные свойства и фоточувствительность структур металл/пористый кремний/c-Si
Яркин Д.Г.1
1Институт редких металлов, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 28 мая 1997 г.
Выставление онлайн: 20 января 1999 г.

Вольт-амперные характеристики, фоточувствительность и импеданс были исследованы для структур Al/пористый кремний/c-Si (p-типа) с толщиной пористого слоя 0.2/6 мкм и пористоcтью 80%. Показано, что в области обратных и небольших прямых смещений ток определяется потенциальным барьером подложки c-Si у изотипного гетероперехода <пористый кремний>/c-Si. Фоточувствительность определяется поглощением света в подложке c-Si. Потенциальный барьер контакта металл/<пористый кремний> не влияет на фоточувствительность и на вольт-амперные характеристики структур. Экспериментальные зависимости импеданса структур от приложенного постоянного смещения, толщины слоя пористого кремния и частоты хорошо согласуются с теоретическими, если использовать эквивалентную схему, включающую две последовательно соединенные параллельные RC-цепочки из сопротивления и геометрической емкости слоя пористого кремния, а также сопротивления и емкости потенциального барьера подложки c-Si.
  1. P.M. Fauchet. J. Lumm., 70, 294 (1996)
  2. J.P. Zheng, K.L. Jiao, W.P. Shen, W.A. Anderson, H.S. Kwok. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 283, 371 (1993)
  3. Е.В. Астрова, А.А. Лебедев, А.Д. Ременюк, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 31, 159 (1997)
  4. L.A. Balagurov, D.G. Yarkin, G.A. Petrovicheva, E.A. Petrova, A.F. Orlov, S. Ya. Andryushin. J. Appl. Phys., 82, 4647 (1997)
  5. D. Deresmes, V. Marissael, D. Stievenard, C. Ortega. Thin Sol. Films, 255, 258 (1995)
  6. K. Khirouni, J.C. Bourgoin, K. Borgi, H. Maaref, D. Deresmes, D. Stievenard. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 452, 619 (1997)
  7. M. Ben Chorin, F. Moller, F. Koch. J. Appl. Phys., 77, 4482 (1995)
  8. L. Pavesi. J. Microelectronics, 27, 437 (1996)
  9. C. Peng, K.D. Hirschman, P.M. Fauchet. J. Appl. Phys., 80, 295 (1986)
  10. A.G. Milnes, D.L. Feucht. Heterojunctions and metal-semiconductor junctions (Academic Press, N.Y.--London, 1972)
  11. Л.С. Берман. Емкостные методы исследования полупроводников (Л., Наука, 1972)
  12. Л.А. Балагуров, Н.Б. Смирнов, Е.А. Кожухова, А.Ф. Орлов, А.Я. Поляков. Изв. АН. Сер. физ., 58, 78 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.