"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Определение плотности состояний в квантовых ямах и ансамблях квантовых точек вольт-фарадным методом
Алешкин В.Я.1, Бекин Н.А.1, Буянова М.Н.1, Звонков Б.Н.2, Мурель А.В.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 8 февраля 1999 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1999 г.

Изучена возможность нахождения из вольт-фарадной характеристики электронной плотности состояний в квантовых ямах и ансамблях квантовых точек в гетероструктурах, где важную роль играют флуктуации состава и геометрических размеров. Показано, что из измеренной вольт-фарадной характеристики невозможно восстановить точную плотность состояний, поскольку данная задача является некорректной с точки зрения математики. Предложен приближенный метод решения этой задачи, при использовании которого находится "приведенная" плотность состояний. Показано, что "приведенная" плотность состояний близка к настоящей, если характерный масштаб энергии, на котором последняя изменяется, много больше тепловой энергии kT. Предложенный метод применен для нахождения плотности состояний в зоне проводимости квантовой ямы гетероструктуры In0.22Ga0.78As / GaAs.
  1. H. Kroemer, W.Y. Chen, J.S. Harris, D.D. Edwall. Appl. Phys. Lett., 36, 295 (1980)
  2. X. Letartre, D. Stievenard, E. Barbier. J. Appl. Phys., 69, 7912 (1991)
  3. В.Я. Алешкин, Е.В. Демидов, Б.Н. Звонков, А.В. Мурель, Ю.А. Романов. ФТП, 25, 1047 (1991)
  4. P.N. Brounkov, S.G. Konnikov, T. Benyattou, G. Guillot. Phys. Low-Dim. Structur., 10/11, 197 (1995)
  5. G. Medeiros-Rebeiro, D. Leonard, P.M. Petroff. Appl. Phys. Lett., 66, 1767 (1995)
  6. M. Fricke, A. Lorke, J.P. Kotthaus, G. Medeiros-Ribeiro, P.M. Petroff. Europhys. Lett., 36, 197 (1996)
  7. Д.Н. Бычковский, О.В. Константинов. ФТП, 28, 157 (1994)
  8. E.H. Nicollian, J.R. Brews. MOS (Metal Oxide Semiconductor) Physic and Technology (John Wiley \& Sons, N. Y., 1982) ch. 8
  9. А.Н. Тихонов, В.Я. Арсенин. Методы решения некорректных задач (М., Наука, 1986)
  10. В.И. Фистуль. Сильно легированные полупроводники (М., Наука, 1967)
  11. Ч. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1
  12. И.А. Авруцкий, О.П. Осауленко, В.Г. Плотниченко, Ю.Н. Пырков. ФТП, 26, 1907 (1992)
  13. И.А. Карпович, В.Я. Алешкин, А.В. Аншон, Н.В. Байдусь, Л.М. Батукова, Б.Н. Звонков, С.М. Планкина. ФТП, 26, 1886 (1992)
  14. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.