Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Определение плотности состояний в квантовых ямах и ансамблях квантовых точек вольт-фарадным методом
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 8 февраля 1999 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1999 г.
Изучена возможность нахождения из вольт-фарадной характеристики электронной плотности состояний в квантовых ямах и ансамблях квантовых точек в гетероструктурах, где важную роль играют флуктуации состава и геометрических размеров. Показано, что из измеренной вольт-фарадной характеристики невозможно восстановить точную плотность состояний, поскольку данная задача является некорректной с точки зрения математики. Предложен приближенный метод решения этой задачи, при использовании которого находится "приведенная" плотность состояний. Показано, что "приведенная" плотность состояний близка к настоящей, если характерный масштаб энергии, на котором последняя изменяется, много больше тепловой энергии kT. Предложенный метод применен для нахождения плотности состояний в зоне проводимости квантовой ямы гетероструктуры In0.22Ga0.78As / GaAs.
- H. Kroemer, W.Y. Chen, J.S. Harris, D.D. Edwall. Appl. Phys. Lett., 36, 295 (1980)
- X. Letartre, D. Stievenard, E. Barbier. J. Appl. Phys., 69, 7912 (1991)
- В.Я. Алешкин, Е.В. Демидов, Б.Н. Звонков, А.В. Мурель, Ю.А. Романов. ФТП, 25, 1047 (1991)
- P.N. Brounkov, S.G. Konnikov, T. Benyattou, G. Guillot. Phys. Low-Dim. Structur., 10/11, 197 (1995)
- G. Medeiros-Rebeiro, D. Leonard, P.M. Petroff. Appl. Phys. Lett., 66, 1767 (1995)
- M. Fricke, A. Lorke, J.P. Kotthaus, G. Medeiros-Ribeiro, P.M. Petroff. Europhys. Lett., 36, 197 (1996)
- Д.Н. Бычковский, О.В. Константинов. ФТП, 28, 157 (1994)
- E.H. Nicollian, J.R. Brews. MOS (Metal Oxide Semiconductor) Physic and Technology (John Wiley \& Sons, N. Y., 1982) ch. 8
- А.Н. Тихонов, В.Я. Арсенин. Методы решения некорректных задач (М., Наука, 1986)
- В.И. Фистуль. Сильно легированные полупроводники (М., Наука, 1967)
- Ч. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1
- И.А. Авруцкий, О.П. Осауленко, В.Г. Плотниченко, Ю.Н. Пырков. ФТП, 26, 1907 (1992)
- И.А. Карпович, В.Я. Алешкин, А.В. Аншон, Н.В. Байдусь, Л.М. Батукова, Б.Н. Звонков, С.М. Планкина. ФТП, 26, 1886 (1992)
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
