Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

О роли примесей в формировании силицина --- цепочечного кремния: теория и эксперимент

Машин А.И.¹, Хохлов А.Ф.¹, Разуваев А.Г.², Игнатов С.К.¹, Щепалов А.А.¹

¹Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

²Научно-исследовательский институт химии Нижегородского государственного университета, Нижний Новгород, Россия

Выставление онлайн: 19 сентября 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приведены результаты электронографических исследований структуры ближнего порядка аморфного кремния, полученного различными методами. Изучено влияние посторонних примесей в исходных пленках и облучения их ионами неона, кислорода и углерода дозами до 1·10¹⁶ см^-2 на характер структурных перестроек и формирование межатомных кремниевых мультисвязей при отжиге. Обнаружено, что структура отожженных при 500^oC пленок зависит от типа посторонних примесей и характера их химической связи с атомами кремния. В частности, наличие кислорода (более 0.2 ат%) в отличие от водорода и углерода является препятствующим фактором для формирования силицина. Отмечается также хорошее согласие между параметрами ближнего порядка, полученными из эксперимента, и рассчитанными неэмпирическим методом Хартри-Фока.

А.Ф. Хохлов, А.И. Машин, Д.А. Хохлов. Письма в ЖЭТФ, 67, 646 (1998)
А.И. Машин, А.Ф. Хохлов, И.В. Кольчугин, Н.И. Машин. Тез. докл. Всерос. симп. "Аморфные и микрокристаллические полупроводники" (СПб., 1998) с. 28
Д.А. Хохлов, Д.А. Павлов, А.И. Машин. Тез. докл. Всерос. конф. "XVI научные чтения им. Н.В. Белова" (Нижний Новгород, 1997) с. 136
Л.И. Татаринова. Электронография аморфных веществ (М., Наука, 1972)
С.И. Овсецин, Д.А. Хохлов, Е.А. Солдатов, А.И. Машин. Тез. докл. Всерос. конф. "XVI научные чтения им. Н.В. Белова" (Нижний Новгород, 1997) с. 105
В.Н. Гордеев, А.И. Попов, В.А. Филиков. Неорг. матер., 16, 1773 (1980)
M.W. Schmidt, K.K. Baldridge, J.A. Boatz, S.T. Elbert, M.S. Gordon, J.J. Jensen, S. Koseki, N. Matsunaga, K.A. Nguyen, S. Su, T.L. Windus, M. Dupuis, J.A. Montgomery. J. Comput. Chem., 14, 1347 (1993)
W. Beyer. In: Tetrahedrally-Bonded Amorphous Semiconductors, ed. by D. Adler and H. Fritzsche (N.Y., Plenum Press, 1985) p. 129
А.Ф. Хохлов, А.И. Машин, Д.А. Павлов, Д.А. Хохлов. ФТП, 28, 1750 (1994)
А.Ф. Скрышевский. Структурный анализ жидкостей и аморфных тел (М., Высш. шк., 1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель