Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Формирование оптически активных центров в пленках аморфного гидрированного кремния при легировании эрбием

Мездрогина М.М.¹, Аннаоразова М.П.¹, Теруков Е.И.¹, Трапезникова И.Н.¹, Назаров Н.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 25 декабря 1998 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

На пленках a-Si : H, легированных Er различной чистоты, наблюдалась фотолюминесценция на длине волны 1.54 мкм. Показано, что дополнительное введение кислорода активирует ионы Er. Рассматривается вопрос о влиянии на ФЛ силицидов и дефектов в пленках аморфного кремния a-Si : H и в кристаллическом кремнии c-Si.

H. Ennen, J. Schneider, G. Pomkenke, A. Axmann. Appl. Phys. Lett., 43, 943 (1983)
Е.И. Теруков, В.Х. Кудоярова, М.М. Мездрогина, В.Г. Голубев, A. Sturm, W. Fuhs. ФТП, 30, 820 (1996)
M.S. Bresler, O.B. Gusev, V.Kh. Kudoyarova, A.N. Kuznetsov, P.E. Pak, E.I. Terukov, I.N. Jassievich, B.P. Zaharchenya. Appl. Phys. Lett., 67, 3599 (1995)
A. Polman, G.N. Van den Hoven, J.S. Custer, J.H. Shin, R. Serna, P.F.A. Alkemade. J. Appl. Phys., 77, 1256 (1995)
В.Ф. Мастеров, Ф.С. Насрединов, П.П. Серегин, М.М. Мездрогина, Е.И. Теруков. ФТП, 32, 68 (1998)
T. Ostereich, C. Swiatkowski, I. Broser. Appl. Phys. Lett., 56, 446 (1990)
D.N. Leong, M.A. Harry, K.J. Reeson, K.P. Homewood. Appl. Phys. Lett., 68 (12), 1649 (1996)
А.Р. Регель, П.П. Серегин, Ф.С. Насрединов, М.М. Мездрогина, М.С. Аблова. ФТП, 22, 162 (1988)
S. Lanzerstorfer, M. Stepikove, J. Hartung, C. Skierbisz, W. Jantch. Mater. Sci. Forum, 258--263, 1509 (1997)
Ж. Атаев, В.А. Васильев, И.А. Елизаров, М.М. Мездрогина. ФТП, 29, 799 (1995)
М.М. Мездрогина, П.П. Серегин, Ф.С. Насрединов, А.Ф. Бардамид, В.А. Хайдаров. Неорг. матер., 27, 1123 (1989)
A. Ferrasi, G. Franzo, S. Coffa, F. Priolo, F.D. Acapito, S. Mobilio. Appl. Phys. Lett., 79, 1712 (1997)
D.M. Hansen, R. Zhang, N.R. Perkins, S. Salfi, L. Zhang, K.L. Bray, T.F. Kurch. Appl. Phys. Lett., 72(10) (1998)
D. Leong, M.A. Harry, K.J. Reeson, K.P. Homewood. Nature, 387, 686 (1997)
А.М. Шмырева, Т.В. Семикина, М.Г. Душейко, Н. Бишена. Тез. докл. всерос. симп. "Аморфные и микрокристаллические полупроводники" (СПб., 1998) с. 144

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель