Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотолюминесценция квантовых точек InAs, выращенных на разориентированных подложках GaAs
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 1 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1999 г.
Исследованы спектры фотолюминесценции во внешнем магнитном поле ансамбля квантовых точек InAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке (001) GaAs, разориентированной в направлении [010]. Наблюдалось перераспределение фотовозбужденных носителей между различными группами точек под действием магнитного поля. Из анализа полученных зависимостей определена концентрация квантовых точек.
- L.V. Asryan, R.A. Suris. Semicond. Sci. Technol., 11, 554 (1996)
- D. Leonard, K. Pond, P.M. Petroff. Phys. Rev. B, 50, 11 687 (1994)
- В.П. Евтихиев, В.Е. Токранов, А.К. Крыжановский, А.М. Бойко, Р.А. Сурис, А.Н. Титков, А. Накамура, М. Ичида. ФТП, 32(7), 860 (1998)
- Д.Г. Васильев, В.П. Евтихиев, В.Е. Токранов, И.В. Кудряшов, В.П. Кочерешко. ФТТ, 40(5), 855 (1998)
- G.V. Astakhov, A.A. Kiselev, V.P. Kocheresko, M.M. Moiseeva, A.V. Platonov. Semicond. Sci. Technol., 13(14), (1999)
- А.А. Киселев. ФТП, 32(5), 564 (1998)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
