"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотолюминесценция квантовых точек InAs, выращенных на разориентированных подложках GaAs
Астахов Г.В.1, Кочерешко В.П.1, Васильев Д.Г.1, Евтихиев В.П.1, Токранов В.Е.1, Кудряшов И.В.1, Михайлов Г.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1999 г.

Исследованы спектры фотолюминесценции во внешнем магнитном поле ансамбля квантовых точек InAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке (001) GaAs, разориентированной в направлении [010]. Наблюдалось перераспределение фотовозбужденных носителей между различными группами точек под действием магнитного поля. Из анализа полученных зависимостей определена концентрация квантовых точек.
  1. L.V. Asryan, R.A. Suris. Semicond. Sci. Technol., 11, 554 (1996)
  2. D. Leonard, K. Pond, P.M. Petroff. Phys. Rev. B, 50, 11 687 (1994)
  3. В.П. Евтихиев, В.Е. Токранов, А.К. Крыжановский, А.М. Бойко, Р.А. Сурис, А.Н. Титков, А. Накамура, М. Ичида. ФТП, 32(7), 860 (1998)
  4. Д.Г. Васильев, В.П. Евтихиев, В.Е. Токранов, И.В. Кудряшов, В.П. Кочерешко. ФТТ, 40(5), 855 (1998)
  5. G.V. Astakhov, A.A. Kiselev, V.P. Kocheresko, M.M. Moiseeva, A.V. Platonov. Semicond. Sci. Technol., 13(14), (1999)
  6. А.А. Киселев. ФТП, 32(5), 564 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.