Вышедшие номера
Антиструктурные дефекты в полупроводниках типа PbTe
Мастеров В.Ф.1, Бондаревский С.И.1, Насрединов Ф.С.1, Серегин Н.П.1, Серегин П.П.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 декабря 1998 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1999 г.

Методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопе 119mTe(119mSn) проведена идентификация примесных центров олова в решетках PbTe и PbS. Использование эмиссионного варианта мессбауэревской спектроскопии позволило стабилизировать примесные атомы олова в анионной подрешетке, т. е. получить дефекты типа антиструктурных. Обнаружена зависимость зарядового состояния смещенных из анионной подрешетки примесных атомов олова от положения уровня Ферми.