Вышедшие номера
Антиструктурные дефекты в полупроводниках типа PbTe
Мастеров В.Ф.1, Бондаревский С.И.1, Насрединов Ф.С.1, Серегин Н.П.1, Серегин П.П.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 декабря 1998 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1999 г.

Методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопе 119mTe(119mSn) проведена идентификация примесных центров олова в решетках PbTe и PbS. Использование эмиссионного варианта мессбауэревской спектроскопии позволило стабилизировать примесные атомы олова в анионной подрешетке, т. е. получить дефекты типа антиструктурных. Обнаружена зависимость зарядового состояния смещенных из анионной подрешетки примесных атомов олова от положения уровня Ферми.
  1. П.П. Серегин, П.В. Нистирюк. Применение эффекта Мессбауэра и фотоэлектронной спектроскопии в физике аморфных полупроводников (Кишинев, Штиинца, 1991)
  2. В.Ф. Мастеров, Ф.С. Насрединов, С.А. Немов, П.П. Серегин. ФТП, 31, 291 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.