Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние собственных дефектов на политипизм SiC
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 25 ноября 1998 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1999 г.
Проведен анализ экспериментальных данных по влиянию собственных дефектов кристаллической решетки на политипизм карбида кремния. Получено простое аналитическое выражение, связывающее степень гексагональности политипа с концентрацией углеродных и кремниевых вакансий. Рассмотрена возможная зависимость параметров предложенной модели от условий эксперимента.
- L.S. Ramsdell. Amer. Mineral., 32, 64 (1947)
- Г. Хэпиш, Р.М. Рой. Карбид кремния (М., Мир, 1972)
- H. Jagodzinskii. Acta Cryst. Camb, 2, 201 (1949)
- Ю. Вахнер, Ю.М. Таиров. ФТТ, 12, 1543 (1970)
- Ю.А. Водаков, Е.Н. Мохов, А.Д. Роенков, М.М. Аникин. Письма ЖТФ, 5, 367 (1979)
- Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов. ФТТ, 24, 1377 (1982)
- Н.Д. Сорокин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков, М.А. Чернов. Кристаллография, 28, 910 (1983)
- Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov. Inst. Phys. Conf. Ser., 137, 197 (1994)
- Е.Ф. Шендер. ЖЭТФ, 70, 2251 (1976)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
