Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1999, выпуск 10 » Статья стр. 1158
<<<>>>
Особенности роста кремния на Si (100) в атмосфере мышьяка при молекулярно-пучковой эпитаксии
Цырлин-=SUP=--=/SUP=- Г.Э.1, Петров В.Н.1, Поляков Н.К.1, Масалов С.А.1, Голубок А.О.1, Денисов Д.В.2, Кудрявцев Ю.А.2, Бер Б.Е.2, Устинов В.М.2
1Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 апреля 1999 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1999 г.
PDF версия
Представлены результаты по исследованию методами дифракции быстрых электронов на отражение, сканирующей туннельной микроскопии, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и вторичной ионной масс-спектрометрии влияния фонового давления мышьяка на свойства автоэпитаксиальных слоев кремния, полученных на поверхности Si (100) методом молекулярно-пучковой эпитаксии.
  1. G. Franzo, F. Priolo, S. Coffa, A. Polman, A. Carnera. Appl. Phys. Lett., 64, 2235 (1994)
  2. K. Eberl, K. Brunner, W. Winter. Thin Sol. Films, 249, 98 (1997)
  3. A.G. Gullis, L.T. Canha, P.D.J. Calcott. J. Appl. Phys., 82, 909 (1997)
  4. Г.Э. Цырлин, В.Н. Петров, В.Г. Дубровский, С.А. Масалов, А.О. Голубок, Н.И. Комяк, Н.Н. Леденцов, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг. Письма ЖТФ, 24(8), 10 (1998)
  5. G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii, V.N. Petrov, N.K. Polyakov, N.P. Korneeva, V.N. Demidov, A.O. Golubok, S.A. Masalov, D.V. Kurochkin, O.M. Gorbenko, N.I. Komyak, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.R. Kovsh, M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, B.V. Volovik, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg. Semicond. Sci. Technol., 13, 1262 (1998)
  6. Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг. ФТП, 32, 385 (1998)
  7. A.F. Tsatsul'nikov, A.Yu. Egorov, P.S. Kop'ev, A.R. Kovsh, M.V. Maximov, V.M. Ustinov, B.V. Volovik, A.E. Zhukov, Zh.I. Alferov, G.E. Cirlin, A.O. Golubok, S.A. Masalov, V.N. Petrov, N.N. Ledentsov, R. Heitz, M. Grundmann, D. Bimberg, I.P. Soshnikov, P. Werner, U. Gosele. Proc. 24th Int. Conf. Phys. Semicond., Jerusalem, 1998 (World Scientific, Singapoure, 1999) in press
  8. A.Yu. Egorov, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, M.V. Maksimov, G.E. Cirlin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, P. Werner, Zh.I. Alferov. J. Cryst. Growth (1999) in press
  9. J. Tersoff, C. Teichert, M.G. Lagally. Phys. Rev. Lett., 76, 1675 (1996)
  10. A. Ishisaka, Y. Shiraki. J. Electrochem. Soc., 133, 666 (1986)
  11. В.А. Иошкин, А.А. Орликовский, С.Р. Октябрьский, А.В. Квит, Е.Ю. Довыденко. Тр. ФТИАН (М., Наука, 1994) т. 8, c. 58
  12. Г.М. Гурьянов, В.Н. Демидов, Н.П. Корнеева, В.Н. Петров, Ю.Б. Самсоненко, Г.Э. Цырлин. ЖТФ, 67(8), 111 (1997)
  13. А.О. Голубок, С.А. Масалов, Н.Б. Пономарева, В.Н. Петров, С.Я. Типисев, Г.Э. Цырлин. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, вып. 2, 70 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme