Вышедшие номера
Регистрация парамагнитных центров рекомбинации в облученном протонами кремнии
Власенко Л.С.1, Власенко М.П.1, Козлов В.А.1, Козловский В.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 декабря 1998 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1999 г.

Методами спин-зависимой рекомбинации зарегистрированы спектры электронного парамагнитного резонанса центров рекомбинации в тонком (~1 мкм) приповерхностном слое кремния p-типа, выращенного методом Чохральского и облученного протонами с энергией ~100 кэВ. Обнаружены спектры возбужденных триплетных состояний комплексов кислород + вакансия (A-центры) и комплексов, состоящих из двух атомов углерода и межузельного атома кремния (комплексы CS-SiI-CS). Максимальная интенсивность спектров электронного парамагнитного резонанса этих радиационных дефектов наблюдается при дозах облучения ~1013 см-2 и уменьшается с увеличением дозы, что связано, по-видимому, с пассивацией радиационных дефектов водородом.