Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1999, выпуск 10 » Статья стр. 1168
<<<>>>
Люминесцентные свойства слоев InAs и p-n-структур на их основе, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений
Воронина Т.И.1, Зотова Н.В.1, Кижаев С.С.1, Молчанов С.С.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 февраля 1999 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1999 г.
PDF версия
Исследованы люминесцентные свойства слоев InAs p- и n-типа проводимости, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений при атмосферном давлении. Выявлены акцепторные уровни в InAs с энергиями 350, 372, 387, 397 мэВ. Определены оптимальные условия для выращивания слоев InAs в реакторе планетарного типа. При температуре роста 565oC получены структуры InAs с резкими p-n-переходами. На основе выращенных структур изготовлены светодиоды, работающие на длинах волн 3.1 мкм (T=77 KK), 3.7 мкм (T=300 K).
  1. B. Baliga, K. Ghanghi. J. Electrochem. Soc., 121, 1642 (1974)
  2. T. Fukui, Y. Horikoshi. Japan. J. Appl. Phys., 18, 2157 (1979)
  3. T. Fukui, Y. Horikoshi. Japan. J. Appl. Phys., 19, 551 (1980)
  4. T. Fukui, Y. Horikoshi. Japan. J. Appl. Phys., 20, 587 (1981)
  5. S. Haywood, R. Martin, N. Mason, P. Walker. J. Cryst. Growth, 97, 489 (1989)
  6. S. Haywood, R. Martin, N. Mason, P. Walker. J. Electron. Mater., 8, 783 (1990)
  7. D. Partin, L. Green, D. Morelli, J. Heremans, B. Fuller, C. Thrush. J. Electron. Mater., 20, 1109 (1991)
  8. Y. Iwamura, H. Shigeta, N. Watanabe. Japan. J. Appl. Phys., 32, 368 (1991)
  9. K. Huang, Yu Hsu, R. Cohen, G. Stringfellow. J. Cryst. Growth, 156, 311 (1995)
  10. S. Watkins, C. Tran, R. Ares, G. Soerensen. Appl. Phys. Lett., 66, 882 (1995)
  11. R. Egan, T. Tansley, V. Chin. J. Cryst. Growth, 147, 19 (1995)
  12. C. von Eichel-Streiber, M. Behet, M. Heuken, K. Heime. J. Cryst. Growth, 170, 783 (1997)
  13. Y. Iwamura, K. Masubuchi, M. Noya, N. Watanabe. Abstracts of Mid-infrared Optoelectronics Material and Devices Second In. Conf. (1998) p. 10
  14. Z. Fang, K. Ma, R. Cohen, G. Stringfellow. Appl. Phys. Lett., 59, 1446 (1991)
  15. Y. Lacroix, S. Watkins, C. Tran, M. Thewalt. Appl. Phys. Lett., 66, 1101 (1995)
  16. N. Buchan, c. Larsen, G. Stringfellow. J. Cryst. Growth, 92, 605 (1988)
  17. О.А. Аллаберенов, Н.В. Зотова, Д.Н. Наследов, Л.Д. Неуймина. ФТП, 4 (10), 1939 (1970)
  18. H. Ito, T. Ishibashi. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 163, 887 (1989)
  19. J. Huang, J. Ryan, K. Bray, T. Kuech. J. electron. Mater., 24, 1539 (1995)
  20. C. Goo, W. Lau, T. chong, L. Tan, P. Chu. Appl. Phys. Lett., 68, 841 (1996)
  21. С.С. Кижаев, М.П. Михайлова, С.С. Молчанов, С.С. Стоянов, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 24 (7), 1 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme