Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Формирование донорных центров при различных давлениях в кремнии, облученном ионами кислорода

Неустроев Е.П.¹, Антонова И.В.², Попов В.П.², Киланов Д.В.², Мисюк А.³

¹Якутский государственный университет, Якутск, Россия
²Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

³Институт электронной технологии, Варшава, Польша

Поступила в редакцию: 18 марта 1999 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы донорные центры, формирующиеся в кремнии за областью непосредственного проникновения имплантированных ионов кислорода, в интервале температур 350/ 550^oC. Установлено, что имплантация ионов кислорода в кремнии, выращенном методом Чохральского, сопровождается при отжиге ускоренным введением термодоноров практически по всей толщине исследованных кристаллов. Воздействие гидростатического давления еще в большей степени ускоряет процесс формирования донорных центров. Полученные данные позволяют сделать вывод, что ускоренное введение доноров связано с диффузией из имплантированного слоя в объем кристалла радиационных дефектов с коэффициентом диффузии не менее 1· 10^-7 см²/с.

V. Privetera, S. Coffa, F. Priolo, K.K. Larsen, S. Libertino, A. Carnera. Nucl. Instrum. Meth. B, 120, 9 (1996)
W. Kaizer, H. Frisch, H. Reiss. Phys. Rev., 112, 1546 (1958)
C.S. Fuller, J.H. Ditzenbergen, N.B. Hanny, E. Buehler. Phys. Rev., 96, 883 (1954)
P. Deak, L.C. Snyder, J.W. Corbett. Phys. Rev. B, 45, 11 612 (1992)
D. Mathiot. Appl. Phys. Lett., 51, 904 (1987)
R. Pflueger, J.C. Corelli, J.W. Corbett. Phys. St. Sol. (a), 91, k49 (1985)
V.P. Popov, E.P. Neustroev, I.V. Antonova, V.F. Stas, V.I. Obodnikov. European MRS. Springer Meeting (1998) paper AP9
T. Hallberg, J.L. Lingstrom. J. Appl. Phys., 72 (11), 5130 (1992)
В.П. Маркевич, Л.И. Мурин. ФТП, 25, 1737 (1991)
A. Henry, K. Saminadayar, J.L. Pautrat, N. Magnea. Phys. St. Sol. (a), 107, 101 (1988)
В.В. Литвинов, Г.В. Пальчик, В.И. Уренев. ФТП, 24, 367 (1990)
H. Park, K.S. Jones, J.A. Slinkman, M.E. Law. J. Appl. Phys., 78, 3664 (1995)
S. Hahn, H.J. Stein, S.C. Chatas, F.A. Ponce. J. Appl. Phys., 72, 1758 (1992)
G.D. Watkins. Radiation Effects in Semiconductors (Inst. of Phys., London--Bristol, 1977) [Conf. Ser., N 31] p. 221
D. Eaglesham. Phys. Wold, 4, 41 (1995)
Gr. Davies, E.C. Lightowles, R.C. Newman, A.C. Oates. Semicond. Sci. Technol., 2, 524 (1987)
В.М. Бабич, Н.И. Блецкан, Е.Ф. Венгер. Кислород в монокристаллах кремния (Киев, Interpress LTD, 1997) гл. 3, с. 46
H. Takeno, Y. Hayamizu, K. Miki. J. Appl. Phys., 84, 3113 (1998)
T. Yoneda, K. Kajiyama, F. Tohjou, Y. Yoshika, A. Ikeda, Y. Kisaka, T. Nishimura, Y. Kido. J. Appl. Phys., 36, 7323 (1997)
U. Gozele, T.Y. Tan. Appl. Phys. A, 28 (1), 31 (1982)
R.C. Newman, J.H. Tucker, A.R. Broun, S.A. McQuaid. J. Appl. Phys., 70, 3061 (1991)
L. Zhong, F. Shimura. J. Appl. Phys., 73, 707 (1993)
П.Ф. Лугаков, В.В. Лукьяница. ФТП, 24, 1721 (1990)
В.П. Маркевич, Л.И. Мурин. ФТП, 30, 265 (1996)
H.J. Stein, S. Hahn. J. Electrochem. Soc., 142, 1247 (1995)
Yu.V. Martynov, T. Gregorkiewicz, C.A.J. Ammerlaan. Phys. Rev. Lett., 74, 2030 (1995)
P. Leary, R. Jones, S. Oberg. Phys. Rev. B, 57, 3887 (1998)
D. Mathiot. Mater. Sci. Forum, 38--41, 649 (1989)
M. Tajiama, M. Warashina, H. Takena, T. Abe. Appl. Phys. Lett., 65, 222 (1994)
В.П. Маркевич, Л.И. Мурин. ФТП, 22, 324 (1988)
R. Falster, M. Pagani, D. Gambaro, M. Cornara, M. Olmo, G. Ferrero, P. Pichler, M. Lacob. Sol. St. Phenomena, 57--58, 129 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель