Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Определение подвижности и концентрации электронов в тонких полупроводниковых пленках на сверхвысоких частотах с помощью магнитоплазменного резонанса

Бородовский П.А.¹, Булдыгин А.Ф.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 5 мая 1998 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Пердставлены результаты экспериментального и теоретического исследования магнитоплазменного резонанса на сверхвысоких частотах (omega/2pi=8 ГГц) в гетероструктурах AlGaAs/GaAs и пленках n-Cd_xHg_1-xTe при температуре жидкого азота. Для объяснения экспериментальных результатов получено выражение для проводимости sigma_xx(omega,B). Показано, что сравнение результатов расчета с экспериментальными зависимостями позволяет определить параметры активного слоя в образцах: подвижность и концентрацию электронов.

К. Зеегер. Физика полупроводников (М., Мир, 1977) с. 148. [Пер. с англ.: K. Seeger. Semiconductor physics (Springer Verlag, Wien, N.Y., 1973)]
S.A. Allen, jr., H.L. Stormer, J.C.M. Hwang. Phys. Rev. B, 28, 4875 (1983)
С.А. Говорков, М.И. Резников, А.П. Сеничкин, В.И. Тальянский. Письма ЖЭТФ, 44, 380 (1986)
M. Wassermeier, J. Oshinow, J.P. Cotthaus, A.H. Mac Donald, C.T. Foxon, J.J. Harris. Phys. Rev. B, 41 10 287 (1990)
В.А. Волков, С.А. Михайлов. ЖЭТФ, 94, 217 (1988)
R.L. Ramey, T.S. Lewis. J. Appl. Phys., 39, 1747 (1968)
R.P. Leavitt, J.W. Little. Phys. Rev. B, 34, 2450 (1986)
П.А. Бородовский, А.Ф. Булдыгин, С.А. Студеникин. Автометрия, N 4, 59 (1966)
G.L. Hansen, J.L. Schmit. J. Appl. Phys., 54, 1963 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель