Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Мездрогина М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Власенко А.И.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
5
Шмарцев Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Емцев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Строкан Н.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Глинчук К.Д.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
4
Гурошев В.И.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
4
Прохорович А.В.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
4
Жиляев Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Назаров Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Федоров Л.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Немов С.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
4
Новиков С.В.
Институт радиотехники и электроники,, Фрязино, Россия
4
Мозоль П.Е.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
4
Шаронова Л.В.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
4
Ярошецкий И.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Оганесян Г.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Шмальц К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Вербицкая Е.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Еремин В.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Иванов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Козловский В.В.
Санкт-Петербургский технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
3
Субашиев А.В.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
3
Винник Е.В.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
3
Коваленко А.В.
Днепропетровский государственный университет,, Днепропетровск, Украина
3
Рыскин А.И.
Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова, Санкт-Петербург, Россия
3
Куликов Г.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Голикова О.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Савельев И.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Урманов Н.А.
Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
3
Глазов В.М.
Московский институт электронной техники,, Москва, Россия
3
Бабенцов В.Н.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
3
Байдуллаева А.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
3
Казакевич Л.А.
Научно-исследовательский институт прикладных проблем им. А.Н. Севченко,, Минск, Беларусь
3
Кузнецов В.И.
Научно-исследовательский институт прикладных проблем им. А.Н. Севченко,, Минск, Беларусь
3
Лугаков П.Ф.
Научно-исследовательский институт прикладных проблем им. А.Н. Севченко,, Минск, Беларусь
3
Салманов А.Р.
Научно-исследовательский институт прикладных проблем им. А.Н. Севченко,, Минск, Беларусь
3
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гнатюк В.А.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
3
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Мусихин С.Ф.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
3
Матвеев О.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Фистуль В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Щукин В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Беляков Л.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Горячев Д.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Сресели О.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Сучалкин С.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Васильев Ю.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Иванов Ю.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Андреев В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Калиновский В.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Дидик В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Скорятина Е.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кудряшов Н.А.
Московский инженерно-физический институт,, Москва, Россия
2
Кучеренко С.С.
Московский инженерно-физический институт,, Москва, Россия
2
Мякенькая Г.С.
Институт физики высоких энергий Академии наук Казахстана,, Алма-Ата, Казахстан
2
Гуцев Г.Л.
Институт физики высоких энергий Академии наук Казахстана,, Алма-Ата, Казахстан
2
Герчиков Л.Г.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Икрамов Р.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Казанин М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Прошин В.И.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Березин А.В.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Беляев А.П.
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
2
Рубец В.П.
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
2
Тошходжаев X.А.
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
2
Калинкин И.П.
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
2
Калинушкин В.П.
Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия Институт электронной физики, Берлин, Германия
2
Юрьев В.А.
Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия Институт электронной физики, Берлин, Германия
2
Расулов Р.Я.
Ферганский государственный педагогический институт им. Улугбека,, Фергана, Узбекистан
2
Дмитриев А.Г.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Иванов-Омский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Савицкий В.Г.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Бочкарева Л.В.
Ярославский государственный университет,, Ярославль, Россия
2
Магомедов М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бреслер М.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Яссиевич И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Грехов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Романов Ю.А.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Сейсян Р.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гуревич Ю.Г.
Институт радиофизики и электроники Академии наук Украины,, Харьков, Украина
2
Васько Ф.Т.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Солдатенко Ю.Н.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Кольцов В.Б.
Московский институт электронной техники,, Москва, Россия
2
Юнусов М.С.
Институт ядерной физики АН Республики Узбекистан, Улугбек, Ташкент, Узбекистан
2
Иванов П.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Челноков В.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ашмонтас С.
Институт физики полупроводников,, Вильнюс, Литва
2
Тысченко И.Е.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Абдураимов А.
Ташкентский государственный университет им. В.И. Ленива,, Ташкент, Узбекистан
2
Маматкаримов О.О.
Ташкентский государственный университет им. В.И. Ленива,, Ташкент, Узбекистан
2
Химматкулов О.
Ташкентский государственный университет им. В.И. Ленива,, Ташкент, Узбекистан
2
Лигачев В.А.
Московский энергетический институт,, Москва, Россия
2
Ембергенов Б.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Корсунская Н.Е.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Ждан А.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
2
Ибрагимова М.И.
Казанский физико-технический институт Академии наук Татарстана,, Казань, Татарстан
2
Хайбуллин И.Б.
Казанский физико-технический институт Академии наук Татарстана,, Казань, Татарстан
2
Кадушкин В.И.
Научно-исследовательский технологический институт,, Рязань, Россия
2
Евстропов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сергеев Д.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ломако В.М.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2
Титков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лашкарев Г.В.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Бродовой А.В.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Мирец А.Л.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Слынько Е.И.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2
Абдурахманов К.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Першеев С.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гусятников В.Н.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2
Иванченко В.А.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2
Туан Ле
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Будагян Б.Г.
Московский институт электронной техники,, Москва, Россия
2
Айвазов А.А.
Московский институт электронной техники,, Москва, Россия
2
Гасан-заде С.Г.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Шепельский Г.А.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Гуткин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Рещиков М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сосновский В.Р.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Раренко А.И.
Институт радиофизика и электроники,, Харьков, Украина
2
Сирота А.В.
Институт радиофизика и электроники,, Харьков, Украина
2
Халамейда Д.Д.
Институт радиофизика и электроники,, Харьков, Украина
2
Машовец Т.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ивченко Е.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гафурова М.В.
Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
2
Терехов В.А.
Воронежский государственный университет им. Ленинского комсомола,, Воронеж, Россия
2
Домашевская Э.П.
Воронежский государственный университет им. Ленинского комсомола,, Воронеж, Россия
2
Кузнецов О.А.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Орлов Л.К.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Горбань С.И.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Даулетмуратов Б.К.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Рудь В.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мурель А.В.
Нижегородский исследовательский физико-технический институт,0, Нижний Новгород, Россия
2
Литвак-Горская Л.Б.
Московский государственный открытый педагогический институт,, Москва, Россия
2
Казанский А.Г.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Шерняков Ю.М.
Физика-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия
2
Житинская М.К.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Равич Ю.И.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Карпович И.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Бедный Б.И.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Байдусь Н.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Звонков Б.Н.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Воронина Т.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лагунова Т.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сиповская М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Берман Л.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ременюк А.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Звягин И.П.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Бакуева Л.Г.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Ильин В.И.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Ипатова И.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Малышкин В.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Туланов В.Т.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Парицкий Л.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Хайдаров 3.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Астров Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шмидт Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Матвеев Б.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Андрианов А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Кочегаров Ю.В.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
1
Рязанцев И.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Антоненко В.И.
Всесоюзный научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума,, Москва, Россия
1
Чапланов В.А.
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
1
Потапов А.И.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
1
Малкович P.Ш.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Романовский А.
Институт электронной техники, Вроцлав, Польша
1
Лончаков А.Т.
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
1
Сизов Ф.Ф.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
1
Пожела К.
Институт физики полупроводников и Литовское отделение всемирной лаборатории,, Вильнюс, Литва
1
Кулеев И.Г.
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
1
Федотов В.Г.
Институт физики твердого тела и полупроводников Белорусской академии наук,, Минск, Беларусь
1
Гулициус Э.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Кульбачинский В.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Цыпишка Д.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Бойко С.И.
Киевский государственный университет им. Т.Г. Шевченко,, Киев, Украина
1
Оджаев В.Б.
Белорусский государственный университет,, Минск, Беларусь
1
Остроумова Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Казакова Л.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Кардона М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия Max-Planck Institut fur Festkorperforschung, Stuttgart, FRG
1
Усманов Ш.
Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
1
Фалькевич Э.С.
Московский институт электронной техники,, Москва, Россия
1
Медведкин Г.А.
Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Беларуси,, Минск, Беларусь
1
Абрамов А.П.
Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова, Санкт-Петербург, Россия
1
Ревин Д.Г.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Лисецкая Е.К.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
1
Петрунин А.П.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
1
Володько В.Г.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Павлов В.Г.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
1
Мавлянов X.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Зу Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Ланда Г.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Гамерник Р.В.
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
1
Бахадырханов М.К.
Ташкентский государственный технический университет им. Беруни,, Ташкент, Узбекистан
1
Халфин В.Б.
Физика-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия
1
Басc Ф.Г.
Институт радиофизики и электроники Академии наук Украины,, Харьков, Украина
1
Царев А.Н.
Институт радиотехники и электроники,, Фрязино, Россия
1
Чураков Г.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук