"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
9836
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
179

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1993 год:
Статья
Просмотров
Фуллерен. Строение, динамика кристаллической решетки, электронная структура и свойства О б з о р
38
Когерентное и последовательное туннелирование в резонансно-туннельном диоде со спейсером
33
Визуализация электрических неоднородностей в полуизолирующем арсениде галлия
31
Экспериментальный полевой транзистор на основе карбида кремния политипа 4H
30
Именной указатель к журналу "Физика и техника полупроводников"
30
Электронная структура примесей редкоземельных элементов в соединениях AIIIBV О б з о р
28
Влияние особенностей структуры эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe на электрические и фотоэлектрические свойства при лазерном облучении
28
Изотермическая и термостимулированная релаксация тока и емкости в слабо асимметричном p-n-переходе с неоднородным профилем легирования n- и p-областей
28
Фоточувствительность поверхностно-барьерных структур на основе InP с микрорельефной границей раздела
27
Давыдовские мультиплеты колебательных спектров и эффективные ионные заряды в кристаллах TlInS2, TlGaSe2
27
Механизмы образования нарушенного слоя в p-CdTe под действием лазерных импульсов наносекундной длительности
27
Переходные процессы в n+-p-структурах на основе CdxHg1-xTe
27
Исследование структуры токовых нитей в Si<Zn>
26
Структурные дефекты и фотолюминесценция эпитаксиальных слоев InxGa1-xAs
26
Двумерно-периодическая доменная структура сегентоэлектрического включения в матрице
26
Массы дырочных подзон размерного квантования полупроводниковых гетероструктур разной ориентации
26
Эффект увеличения диффузионной длины носителей заряда в поликристаллических пленках PbTe
25
Детекторы ионизирующего излучения на структуре сцинтиллятор (подложка) --- планарный фотоприемник ZnSexTe1-x-ZnSe
25
Сверхрешетки Ge-Ge1-xSix, полученные гидридным методом
25
Последеградационные характеристики p-i-n-фотоэлементов из гидрированного аморфного кремния (a-Si : H)
25
Статья
Просмотров
Когерентное и последовательное туннелирование в резонансно-туннельном диоде со спейсером
1769
Фуллерен. Строение, динамика кристаллической решетки, электронная структура и свойства О б з о р
1096
Детекторы ионизирующего излучения на структуре сцинтиллятор (подложка) --- планарный фотоприемник ZnSexTe1-x-ZnSe
1080
Перколяция тока в полимеро-полупроводниковой структуре
987
Ударная ионизация электронов и дырок и лавинный пробой в МТДП структурах
983
Примесь алюминия в кремниевых полупроводниковых структурах SiO2-Si
973
Экситон в полупроводниковой квантовой яме и сильном магнитном поле
918
Физические свойства и фотолюминесценция пористого кремния
873
Явление перехода от закона Эфроса-Шкловского к закону Мотта в прыжковой проводимости с переменной длиной прыжка
850
Электронная структура примесей редкоземельных элементов в соединениях AIIIBV О б з о р
822
Поведение бора и азота в приповерхностном слое кремния при синтезе захороненных слоев имплантацией ионов N+
817
Влияние структурной неоднородности полупроводника и диэлектрика на зарядовые свойства поверхности МДП структур
801
Влияние этанола на электрофизические свойства диоксида олова
793
Влияние радиационного облучения на люминесценцию кристаллов CdP2
789
О механизме подавления генерации термодоноров в кремнии примесными атомами углерода
785
Экранированное кулоновское взаимодейстсвие и поляронный экситон в МПД структуре
785
Свойства эпитаксиального арсенида индия, легированного редкоземельными элементами
770
Структурные дефекты и фотолюминесценция эпитаксиальных слоев InxGa1-xAs
769
Электрофизические свойства теллурида висмута, легированного индием
761
Метод расчета энергии связи изовалентных и изоэлектронных примесей в тетраэдрических полупроводниках
761
Энергетическая диаграмма гетероперехода Pb1-xMnxTe/PbTe
757
Время-разрешенная фотолюминесценция пористого кремния
753
Фотоэлектрически активные и неактивные медленные центры прилипания электронов в кристаллах ZnSe
749
Кинетика образования структурных дефектов в поверхностном слое кремния при термическом окислении
747
Экспериментальный полевой транзистор на основе карбида кремния политипа 4H
745
Рентгенодифракционное исследование границы раздела между кристаллами Hg1-xCdxTe и анодными пленками
740
Проводимость инверсионных слоев и температурная зависимость плотности поверхностных состояний в МДП структурах
739
Образование периодических структур с модулированным составом при когерентном разделении фаз в четверных твердых растворах полупроводников AIIIBV
738
Послойное исследование ионно-имплантированного кремния методами эллипсометрии и избирательного смачивания
736
Акустоэлектрический эффект и термоэдс увлечения электронов фононами в режиме слабой локализации
734
Реакции разрушения комплексов дефектов с образованием A-центров в кремнии
733
Получение и свойства поликристаллических твердых растворов SiC-AlN
733
Поляризационная зависимость межзонного оптического поглощения квантовой ямы InGaAs в GaAs
731
Влияние рекомбинации в области пространственного заряда на люкс-вольтовые характеристики поверхностной фотоэдс в GaAs и InP
730
Фотолюминесценция из квантовой ямы с высокой концентрацией фотоносителей
728
Спектральные и электрические характеристики гетероструктур n-GaAs-(n-p)-AlxGa1-xAs-p-Al(y>x)Ga1-yAs-p+-GaAs с ультратонкими поверхностными слоями
728
Феноменологический анализ граничных условий для волновой функции модели Кейна
726
Модуляционные спектры структур легированных квантовых ям GaAs-Al0.3Ga0.7As
723
Эффект усиления наведенного фотоплеохроизма в структурах p-n-GaP/p-Si
722
Радиационные дефекты в кремнии, облученном alpha-частицами при низкой температуре
719
Расчет динамики фотоотклика диодов с резким переходом при высоких уровнях фотовозбуждения
718
О роли H+2-комплексов в оптимизации n-InSb-смесителей миллиметрового диапазона волн
714
Нелинейность фотопроводимости германия с примесями ртути, кобальта и цинка при возбуждении излучением с lambda=10.6 мкм
712
Токовая релаксационная спектроскопия глубоких уровней (i-DLTS)
712
Влияние обработки поверхности арсенида галлия в парах халькогенов на свойства барьеров Шоттки в структурах Me-GaAs
712
Идентификация многозарядных объемных уровней при релаксационной спектроскопии границы раздела полупроводник-диэлектрик
710
Визуализация электрических неоднородностей в полуизолирующем арсениде галлия
708
Преобразование системы дефектов вблизи поверхности кристаллов CdTe, ZnxCd1-xTe, CdTe1-xSex, обработанных ионами аргона
706
Фотоиндуцированные дефекты в псевдолегированном a-Si : H
705
Инфракрасная фотопроводимость и люминесценция квантовых ям в многослойных гетероструктурах CaAs/AlGaAs
705
Автор
Организация
Статей
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Мездрогина М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Власенко А.И.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
5
Строкан Н.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Шмарцев Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Емцев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Оганесян Г.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Шмальц К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Немов С.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
4
Вербицкая Е.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Новиков С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Еремин В.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Иванов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Мозоль П.Е.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
4
Жиляев Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Глинчук К.Д.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
4
Назаров Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Гурошев В.И.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
4
Федоров Л.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Ярошецкий И.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Прохорович А.В.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
4
Шаронова Л.В.
Институт физики полупроводников Академии наук Литвы,, Вильнюс, Литва Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия
4
Рыскин А.И.
Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова, Санкт-Петербург, Россия
3
Куликов Г.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Мусихин С.Ф.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
3
Урманов Н.А.
Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
3
Казакевич Л.А.
Научно-исследовательский институт прикладных физических проблем им. А.Н. Севченко,, Минск, Беларусь
3
Байдуллаева А.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
3
Кузнецов В.И.
Научно-исследовательский институт прикладных физических проблем им. А.Н. Севченко,, Минск, Беларусь
3
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Савельев И.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Лугаков П.Ф.
Научно-исследовательский институт прикладных физических проблем им. А.Н. Севченко,, Минск, Беларусь
3
Беляков Л.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Салманов А.Р.
Научно-исследовательский институт прикладных физических проблем им. А.Н. Севченко,, Минск, Беларусь
3
Фистуль В.И.
Российский открытый университет,, Москва, Россия
3
Гнатюк В.А.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
3
Алешкин В.Я.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Горячев Д.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Васильев Ю.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Щукин В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Матвеев О.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Сресели О.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Сучалкин С.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Субашиев А.В.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
3
Иванов Ю.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Винник Е.В.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
3
Коваленко А.В.
Днепропетровский государственный университет,, Днепропетровск, Украина
3
Бабенцов В.Н.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
3
Голикова О.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
91
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
20
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
15
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
8
Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
7
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
6
Московский институт электронной техники,, Москва, Россия
5
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
4
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
4
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Институт радиофизики и электроники Академии наук Украины,, Харьков, Украина
4
Институт физики Академии наук Украины,, Киев, Украина
4
Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова, Санкт-Петербург, Россия
4
Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Беларуси,, Минск, Беларусь
3
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
3
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
3
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Днепропетровский государственный университет,, Днепропетровск, Украина
3
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
3
Воронежский государственный университет им. Ленинского комсомола,, Воронеж, Россия
2
Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
2
Ярославский государственный университет,, Ярославль, Россия
2
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Институт физики полупроводников Академии наук Литвы,, Вильнюс, Литва
2
Московский энергетический институт,, Москва, Россия
2
Санкт-Петербургский технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Московский инженерно-физический институт,, Москва, Россия
2
Ферганский государственный педагогический институт им. Улугбека,, Фергана, Узбекистан
2
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
2
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Москва, Россия
2
Белорусский государственный университет,, Минск, Беларусь
2
Научно-исследовательский технологический институт,, Рязань, Россия
2
Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко, Дрогобыч, Украина
2
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского,, Саратов, Россия
2
Институт проблем материаловедения Академии наук Украины,, Черновцы, Украина
2
Молдавский государственный университет, Кишинев, Молдова
1
Московский институт связи,, Москва, Россия
1
Кишиневский политехнический институт им. С. Лазо,, Кишинев, Молдова
1
Физико-технический институт Академии наук Казахстана,, Алма-Ата, Казахстан
1
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
1
Львовский университет им. Ив. Франко, Львов, Украина
1
Воронежский технологический институт,, Воронеж, Россия
1
Отдел оптических проблем информатики Академии наук Беларуси,, Минск, Беларусь
1
Таганрогский радиотехнический институт им. В.Д. Калмыкова,, Таганрог, Россия
1
Научно-исследовательский институт механики и физики при Саратовском государственном университете им. Н. Г. Чернышевского,, Саратов, Россия
1
Московский инженерно-физический институт, Москва, Россия
1
Всесоюзный научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума,, Москва, Россия
1
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
1

Учредители

Издатель

© 2019 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme