"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
10031
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
65

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1993 год:
Статья
Просмотров
Детекторы ионизирующего излучения на структуре сцинтиллятор (подложка) --- планарный фотоприемник ZnSexTe1-x-ZnSe
17
Усиление фототока в диодных структурах Pd-SiO2-n(p)-Si
12
Исследование статических вольт-амперных характеристик резонансно-туннельных диодов на основе гетероструктур GaAs/AlAs
12
Акустоэлектрический эффект и термоэдс увлечения электронов фононами в режиме слабой локализации
12
Исследование незаполненных электронных состояний и определение сродства к электрону PbS (100) с помощью спектроскопии обратной фотоэмиссии
11
Влияние начального заполнения глубоких центров на положение пика термостимулированного тока в n+-p-переходе с произвольным отношением концентраций мелких и глубоких центров
10
Глубокие состояния в твердых растворах Pb1-xSnxTe, легированных галлием
10
Фотолюминесценция из квантовой ямы с высокой концентрацией фотоносителей
10
Определение энергетического спектра плотности поверхностных состояний в МДП структурах с помощью емкостной спектроскопии DLTS при учете взаимодействия с неосновными носителями тока
10
Спектр токового шума микроплазмы при высокоимпедансном включении диода
10
Особенности низкотемпературной проводимости германия, легированного ртутью
10
Фуллерен. Строение, динамика кристаллической решетки, электронная структура и свойства О б з о р
10
Плотность электронных состояний "собственного" аморфного гидрированного кремния
10
Исследование методом DLTS дефектов, образующихся в кремнии при высокотемпературном облучении ионами N+
9
О механизме возникновения отрицательного дифференциального сопротивления в тонких пленках аморфного селена
9
Особенности поведения глубоких центров в особо чистом германии
9
Исследование комплекса VGaSnGa в GaAs методами поляризованной фотолюминесценции и пьезоспектроскопии II. Явление двухступенчатого выстраивания
9
Влияние подвижных дефектов на характеристики контакта металл-полупроводник в кристаллах CdS
9
Орбитальный магнитный отклик в мезоскопических проводниках
9
Процессы формирования "новых доноров" при термообработке кремния с различной концентрацией кислорода
9
Статья
Просмотров
Когерентное и последовательное туннелирование в резонансно-туннельном диоде со спейсером
2228
Детекторы ионизирующего излучения на структуре сцинтиллятор (подложка) --- планарный фотоприемник ZnSexTe1-x-ZnSe
1284
Фуллерен. Строение, динамика кристаллической решетки, электронная структура и свойства О б з о р
1261
Примесь алюминия в кремниевых полупроводниковых структурах SiO2-Si
1089
Перколяция тока в полимеро-полупроводниковой структуре
1087
Ударная ионизация электронов и дырок и лавинный пробой в МТДП структурах
1078
Экситон в полупроводниковой квантовой яме и сильном магнитном поле
1037
Физические свойства и фотолюминесценция пористого кремния
1021
Электронная структура примесей редкоземельных элементов в соединениях AIIIBV О б з о р
959
Явление перехода от закона Эфроса-Шкловского к закону Мотта в прыжковой проводимости с переменной длиной прыжка
941
Поведение бора и азота в приповерхностном слое кремния при синтезе захороненных слоев имплантацией ионов N+
923
Экранированное кулоновское взаимодейстсвие и поляронный экситон в МПД структуре
909
Влияние этанола на электрофизические свойства диоксида олова
907
Влияние радиационного облучения на люминесценцию кристаллов CdP2
904
Влияние структурной неоднородности полупроводника и диэлектрика на зарядовые свойства поверхности МДП структур
902
О механизме подавления генерации термодоноров в кремнии примесными атомами углерода
895
Структурные дефекты и фотолюминесценция эпитаксиальных слоев InxGa1-xAs
891
Свойства эпитаксиального арсенида индия, легированного редкоземельными элементами
878
Метод расчета энергии связи изовалентных и изоэлектронных примесей в тетраэдрических полупроводниках
876
Электрофизические свойства теллурида висмута, легированного индием
873
Время-разрешенная фотолюминесценция пористого кремния
870
Кинетика образования структурных дефектов в поверхностном слое кремния при термическом окислении
869
Экспериментальный полевой транзистор на основе карбида кремния политипа 4H
869
Фотоэлектрически активные и неактивные медленные центры прилипания электронов в кристаллах ZnSe
867
Акустоэлектрический эффект и термоэдс увлечения электронов фононами в режиме слабой локализации
862
Энергетическая диаграмма гетероперехода Pb1-xMnxTe/PbTe
862
Рентгенодифракционное исследование границы раздела между кристаллами Hg1-xCdxTe и анодными пленками
858
Послойное исследование ионно-имплантированного кремния методами эллипсометрии и избирательного смачивания
857
Проводимость инверсионных слоев и температурная зависимость плотности поверхностных состояний в МДП структурах
846
Поляризационная зависимость межзонного оптического поглощения квантовой ямы InGaAs в GaAs
845
Влияние обработки поверхности арсенида галлия в парах халькогенов на свойства барьеров Шоттки в структурах Me-GaAs
845
Расчет динамики фотоотклика диодов с резким переходом при высоких уровнях фотовозбуждения
845
Образование периодических структур с модулированным составом при когерентном разделении фаз в четверных твердых растворах полупроводников AIIIBV
844
Влияние рекомбинации в области пространственного заряда на люкс-вольтовые характеристики поверхностной фотоэдс в GaAs и InP
842
Получение и свойства поликристаллических твердых растворов SiC-AlN
839
Реакции разрушения комплексов дефектов с образованием A-центров в кремнии
838
Спектральные и электрические характеристики гетероструктур n-GaAs-(n-p)-AlxGa1-xAs-p-Al(y>x)Ga1-yAs-p+-GaAs с ультратонкими поверхностными слоями
836
Фотолюминесценция из квантовой ямы с высокой концентрацией фотоносителей
836
Модуляционные спектры структур легированных квантовых ям GaAs-Al0.3Ga0.7As
835
Междуровневые оптические переходы в квантовых ямах
834
Радиационные дефекты в кремнии, облученном alpha-частицами при низкой температуре
830
Инфракрасная фотопроводимость и люминесценция квантовых ям в многослойных гетероструктурах CaAs/AlGaAs
829
Особенности контакта полупроводник-газовый разряд при малых межэлектродных расстояниях
828
Феноменологический анализ граничных условий для волновой функции модели Кейна
826
Токовая релаксационная спектроскопия глубоких уровней (i-DLTS)
817
Профили изотопов, образованных в полупроводниковых соединениях AIIIBV при облучении высокоэнергетичными alpha-частицами
814
Эффект усиления наведенного фотоплеохроизма в структурах p-n-GaP/p-Si
813
Идентификация многозарядных объемных уровней при релаксационной спектроскопии границы раздела полупроводник-диэлектрик
813
Исследование методом DLTS дефектов, образующихся в кремнии при высокотемпературном облучении ионами N+
812
Инверсия типа проводимости слоев CdxHg1-xTe, подвергнутых плазменной обжработке
810
Автор
Организация
Статей
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Власенко А.И.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
5
Строкан Н.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Шмарцев Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Емцев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Мездрогина М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Новиков С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Немов С.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
4
Вербицкая Е.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Еремин В.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Иванов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Мозоль П.Е.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
4
Жиляев Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Глинчук К.Д.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
4
Назаров Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Гурошев В.И.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
4
Федоров Л.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Прохорович А.В.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
4
Оганесян Г.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Шмальц К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Ярошецкий И.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Шаронова Л.В.
Институт физики полупроводников Академии наук Литвы,, Вильнюс, Литва Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия
4
Казакевич Л.А.
Научно-исследовательский институт прикладных физических проблем им. А.Н. Севченко,, Минск, Беларусь
3
Кузнецов В.И.
Научно-исследовательский институт прикладных физических проблем им. А.Н. Севченко,, Минск, Беларусь
3
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Савельев И.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Лугаков П.Ф.
Научно-исследовательский институт прикладных физических проблем им. А.Н. Севченко,, Минск, Беларусь
3
Фистуль В.И.
Российский открытый университет,, Москва, Россия
3
Беляков Л.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Алешкин В.Я.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Салманов А.Р.
Научно-исследовательский институт прикладных физических проблем им. А.Н. Севченко,, Минск, Беларусь
3
Урманов Н.А.
Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
3
Байдуллаева А.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
3
Горячев Д.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Сресели О.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Щукин В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гнатюк В.А.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
3
Винник Е.В.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
3
Бабенцов В.Н.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
3
Козловский В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Глазов В.М.
Московский институт электронной техники,, Москва, Россия
3
Голикова О.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Субашиев А.В.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
3
Коваленко А.В.
Днепропетровский государственный университет,, Днепропетровск, Украина
3
Рыскин А.И.
Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова, Санкт-Петербург, Россия
3
Куликов Г.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Васильев Ю.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Матвеев О.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Сучалкин С.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
91
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
20
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
15
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
8
Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
7
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
6
Московский институт электронной техники,, Москва, Россия
5
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
4
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
4
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Институт радиофизики и электроники Академии наук Украины,, Харьков, Украина
4
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
4
Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова, Санкт-Петербург, Россия
4
Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Беларуси,, Минск, Беларусь
3
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
3
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
3
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3
Днепропетровский государственный университет,, Днепропетровск, Украина
3
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
3
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
3
Воронежский государственный университет им. Ленинского комсомола,, Воронеж, Россия
2
Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
2
Ярославский государственный университет,, Ярославль, Россия
2
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Институт физики полупроводников Академии наук Литвы,, Вильнюс, Литва
2
Московский энергетический институт,, Москва, Россия
2
Санкт-Петербургский технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Московский инженерно-физический институт,, Москва, Россия
2
Ферганский государственный педагогический институт им. Улугбека,, Фергана, Узбекистан
2
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
2
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Москва, Россия
2
Белорусский государственный университет,, Минск, Беларусь
2
Научно-исследовательский технологический институт,, Рязань, Россия
2
Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко, Дрогобыч, Украина
2
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Молдавский государственный университет, Кишинев, Молдова
1
Московский институт связи,, Москва, Россия
1
Кишиневский политехнический институт им. С. Лазо,, Кишинев, Молдова
1
Физико-технический институт Академии наук Казахстана,, Алма-Ата, Казахстан
1
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
1
Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
1
Воронежский технологический институт,, Воронеж, Россия
1
Отдел оптических проблем информатики Академии наук Беларуси,, Минск, Беларусь
1
Таганрогский радиотехнический институт им. В.Д. Калмыкова,, Таганрог, Россия
1
Научно-исследовательский институт механики и физики при Саратовском государственном университете им. Н. Г. Чернышевского,, Саратов, Россия
1
Московский инженерно-физический институт, Москва, Россия
1

Учредители

Издатель

© 2019 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme