"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Общее количество статей:
10577
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
76
Распределение количества просмотров по годам:
580583
544920
527826
472013
407886
391905
361795
321383
394889
500594
495581
452965
452442
460383
444096
458827
479369
488194
427723
455314
426271
547069
557729
549565
523328
567609
571024
549528
522469
481345
380722
277451
152793
61674
2446
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
953
345
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
153
175
159
167
148
175
163
182
187
188
227
155
217
211
213
239
253
286
242
279
274
295
249
323
261
89

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1993 год:
Статья
Просмотров
Статья
Просмотров
Автор
Организация
Статей
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Мездрогина М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Власенко А.И.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
5
Шмарцев Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Емцев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Строкан Н.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Глинчук К.Д.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
4
Гурошев В.И.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
4
Прохорович А.В.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
4
Жиляев Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Назаров Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Федоров Л.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Немов С.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
4
Новиков С.В.
Институт радиотехники и электроники,, Фрязино, Россия
4
Мозоль П.Е.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
4
Шаронова Л.В.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
4
Ярошецкий И.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Оганесян Г.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Шмальц К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Вербицкая Е.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Еремин В.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Иванов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Козловский В.В.
Санкт-Петербургский технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
3
Субашиев А.В.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
3
Винник Е.В.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
3
Коваленко А.В.
Днепропетровский государственный университет,, Днепропетровск, Украина
3
Рыскин А.И.
Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова, Санкт-Петербург, Россия
3
Куликов Г.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Голикова О.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Савельев И.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Урманов Н.А.
Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
3
Глазов В.М.
Московский институт электронной техники,, Москва, Россия
3
Бабенцов В.Н.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
3
Байдуллаева А.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
3
Казакевич Л.А.
Научно-исследовательский институт прикладных проблем им. А.Н. Севченко,, Минск, Беларусь
3
Кузнецов В.И.
Научно-исследовательский институт прикладных проблем им. А.Н. Севченко,, Минск, Беларусь
3
Лугаков П.Ф.
Научно-исследовательский институт прикладных проблем им. А.Н. Севченко,, Минск, Беларусь
3
Салманов А.Р.
Научно-исследовательский институт прикладных проблем им. А.Н. Севченко,, Минск, Беларусь
3
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гнатюк В.А.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
3
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Мусихин С.Ф.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
3
Матвеев О.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Фистуль В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Щукин В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Беляков Л.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Горячев Д.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Сресели О.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Сучалкин С.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Васильев Ю.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Иванов Ю.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Андреев В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Калиновский В.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Дидик В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Скорятина Е.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кудряшов Н.А.
Московский инженерно-физический институт,, Москва, Россия
2
Кучеренко С.С.
Московский инженерно-физический институт,, Москва, Россия
2
Мякенькая Г.С.
Институт физики высоких энергий Академии наук Казахстана,, Алма-Ата, Казахстан
2
Гуцев Г.Л.
Институт физики высоких энергий Академии наук Казахстана,, Алма-Ата, Казахстан
2
Герчиков Л.Г.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Икрамов Р.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Казанин М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Прошин В.И.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Березин А.В.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Беляев А.П.
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
2
Рубец В.П.
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
2
Тошходжаев X.А.
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
2
Калинкин И.П.
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
2
Калинушкин В.П.
Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия Институт электронной физики, Берлин, Германия
2
Юрьев В.А.
Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия Институт электронной физики, Берлин, Германия
2
Расулов Р.Я.
Ферганский государственный педагогический институт им. Улугбека,, Фергана, Узбекистан
2
Дмитриев А.Г.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Иванов-Омский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Савицкий В.Г.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Бочкарева Л.В.
Ярославский государственный университет,, Ярославль, Россия
2
Магомедов М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бреслер М.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Яссиевич И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Грехов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Романов Ю.А.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Сейсян Р.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гуревич Ю.Г.
Институт радиофизики и электроники Академии наук Украины,, Харьков, Украина
2
Васько Ф.Т.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Солдатенко Ю.Н.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Кольцов В.Б.
Московский институт электронной техники,, Москва, Россия
2
Юнусов М.С.
Институт ядерной физики АН Республики Узбекистан, Улугбек, Ташкент, Узбекистан
2
Иванов П.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Челноков В.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ашмонтас С.
Институт физики полупроводников,, Вильнюс, Литва
2
Тысченко И.Е.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Абдураимов А.
Ташкентский государственный университет им. В.И. Ленива,, Ташкент, Узбекистан
2
Маматкаримов О.О.
Ташкентский государственный университет им. В.И. Ленива,, Ташкент, Узбекистан
2
Химматкулов О.
Ташкентский государственный университет им. В.И. Ленива,, Ташкент, Узбекистан
2
Лигачев В.А.
Московский энергетический институт,, Москва, Россия
2
Ембергенов Б.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Корсунская Н.Е.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Ждан А.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
2
Ибрагимова М.И.
Казанский физико-технический институт Академии наук Татарстана,, Казань, Татарстан
2
Хайбуллин И.Б.
Казанский физико-технический институт Академии наук Татарстана,, Казань, Татарстан
2
Кадушкин В.И.
Научно-исследовательский технологический институт,, Рязань, Россия
2
Евстропов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сергеев Д.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ломако В.М.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2
Титков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лашкарев Г.В.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Бродовой А.В.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Мирец А.Л.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Слынько Е.И.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2
Абдурахманов К.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Першеев С.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гусятников В.Н.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2
Иванченко В.А.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2
Туан Ле
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Будагян Б.Г.
Московский институт электронной техники,, Москва, Россия
2
Айвазов А.А.
Московский институт электронной техники,, Москва, Россия
2
Гасан-заде С.Г.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Шепельский Г.А.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Гуткин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Рещиков М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сосновский В.Р.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Раренко А.И.
Институт радиофизика и электроники,, Харьков, Украина
2
Сирота А.В.
Институт радиофизика и электроники,, Харьков, Украина
2
Халамейда Д.Д.
Институт радиофизика и электроники,, Харьков, Украина
2
Машовец Т.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ивченко Е.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гафурова М.В.
Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
2
Терехов В.А.
Воронежский государственный университет им. Ленинского комсомола,, Воронеж, Россия
2
Домашевская Э.П.
Воронежский государственный университет им. Ленинского комсомола,, Воронеж, Россия
2
Кузнецов О.А.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Орлов Л.К.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Горбань С.И.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Даулетмуратов Б.К.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2
Рудь В.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мурель А.В.
Нижегородский исследовательский физико-технический институт,0, Нижний Новгород, Россия
2
Литвак-Горская Л.Б.
Московский государственный открытый педагогический институт,, Москва, Россия
2
Казанский А.Г.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Шерняков Ю.М.
Физика-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия
2
Житинская М.К.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Равич Ю.И.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Карпович И.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Бедный Б.И.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Байдусь Н.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Звонков Б.Н.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Воронина Т.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лагунова Т.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сиповская М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Берман Л.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ременюк А.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Звягин И.П.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Бакуева Л.Г.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Ильин В.И.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Ипатова И.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Малышкин В.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Туланов В.Т.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Парицкий Л.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Хайдаров 3.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Астров Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шмидт Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Фай Л.К.
Молдавский государственный университет, Кишинев, Молдова
1
Новак В.И.
Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
1
Хвостиков В.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Свительский А.В.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
1
Бутусов Д.М.
Московский инженерно-физический институт, Москва, Россия
1
Шаймеев С.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Сапаев Б.
Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
1
Маслов А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Федорин В.А.
Научно-исследовательский институт физики при Одесском государственном университете им. И.И. Мечникова, Одесса, Украина
1
Офицерова Н.В.
Дагестанский государственный университет им. В.И. Ленина,, Махачкала, Россия
1
Пахомов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Зайнабидинов С.З.
Ташкентский государственный университет им. В.И. Ленина,, Ташкент, Узбекистан
1
Плоппа М.Г.
Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия Институт электронной физики, Берлин, Германия
1
Кропотов Г.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Сидикова X.А.
Ферганский государственный педагогический институт им. Улугбека,, Фергана, Узбекистан
1
Дроздова И.А.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
1
Панаев И.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Кузнецов В.С.
Ярославский государственный университет,, Ярославль, Россия
1
Чеботарев А.П.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
1
Рыльков В.В.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
1
Петрусенко В.Н.
Киевский университет им. Т.Г. Шевченко, Киев, Украина
1
Несвижский А.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Титов О.Ю.
Институт радиофизики и электроники Академии наук Украины,, Харьков, Украина
1
Власов Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Киндяк В.В.
Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Беларуси,, Минск, Беларусь
1
Сулейманов Р.А.
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
1
Григорчак И.И.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
1
Данченков А.А.
Московский энергетический институт,, Москва, Россия
1
Гавриленко В.И.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Болотов Л.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Горбылев В.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Якушева Н.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Жадько И.П.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
1
Колчанова Н.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Зубков А.М.
Московский институт электронной техники,, Москва, Россия
1
Помозов Ю.В.
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
1
Шамонина Е.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Сиябеков X.Б.
Ташкентский фармацевтический институт,, Ташкент, Узбекистан
1
Макарова Т.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Терентьев А.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
91
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
20
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
15
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
8
Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
7
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
6
Московский институт электронной техники,, Москва, Россия
5
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
4
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
4
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Институт радиофизики и электроники Академии наук Украины,, Харьков, Украина
4
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
4
Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова, Санкт-Петербург, Россия
4
Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Беларуси,, Минск, Беларусь
3
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
3
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
3
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3
Днепропетровский государственный университет,, Днепропетровск, Украина
3
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
3
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
3
Воронежский государственный университет им. Ленинского комсомола,, Воронеж, Россия
2
Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
2
Ярославский государственный университет,, Ярославль, Россия
2
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Институт физики полупроводников Академии наук Литвы,, Вильнюс, Литва
2
Московский энергетический институт,, Москва, Россия
2
Санкт-Петербургский технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Московский инженерно-физический институт,, Москва, Россия
2
Ферганский государственный педагогический институт им. Улугбека,, Фергана, Узбекистан
2
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
2
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Москва, Россия
2
Белорусский государственный университет,, Минск, Беларусь
2
Научно-исследовательский технологический институт,, Рязань, Россия
2
Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко, Дрогобыч, Украина
2
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Молдавский государственный университет, Кишинев, Молдова
1
Московский институт связи,, Москва, Россия
1
Кишиневский политехнический институт им. С. Лазо,, Кишинев, Молдова
1
Физико-технический институт Академии наук Казахстана,, Алма-Ата, Казахстан
1
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
1
Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
1
Воронежский технологический институт,, Воронеж, Россия
1
Отдел оптических проблем информатики Академии наук Беларуси,, Минск, Беларусь
1
Таганрогский радиотехнический институт им. В.Д. Калмыкова,, Таганрог, Россия
1
Научно-исследовательский институт механики и физики при Саратовском государственном университете им. Н. Г. Чернышевского,, Саратов, Россия
1
Московский инженерно-физический институт, Москва, Россия
1